【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本公开的实施例关于半导体器件以及半导体器件制造的领域。更具体地，本公开的实施例关于利用氮化镧作为用于dram钼应用的衬垫的方法。
技术介绍
1、诸如个人计算机、工作站、计算机服务器、大型机（mainframe）、及其他计算机相关设备（诸如打印机、扫描仪、及硬盘驱动器）的电子装置使用存储器装置，存储器装置提供大量数据存储能力，同时造成低功耗。存在两种主要类型的随机存取存储器单元，动态与静态，其良好地适于使用在电子装置中。动态随机存取存储器（dram）可以被编程以存储表示两个二进制值之一的电压，但需要定期再编程或“刷新”以维持此电压持续超过非常短的时期。静态随机存取存储器（sram）由于其不需要周期的刷新而被如此命名。
2、通过在单一半导体晶片上复制数百万计的相同电路元件（周知为dram单元）来制造dram存储器电路。每个dram单元是可寻址位置，其可存储一位（二进制数）的数据。在它的最常见的形式中，dram单元由两个电路部件构成：场效晶体管（fet）与电容器。
3、dram单元的制造包括晶体管、电容器、及三个触点的制造，三个触点的各自一者至位线、字线、及参考电压。dram制造是竞争激烈的行业。有着持续压力以减小单个单元的尺寸及增加存储器单元密度以容许更多存储器被压缩至单一存储器芯片上，尤其是对于大于256兆位的密度。减小单元尺寸的限制包括有源与无源字线两者穿过该单元的通路、单元电容器的尺寸、及阵列器件与非阵列器件的兼容性。在有源区域与3d dram底电极之间的低电阻接触的形成对于装置的性能是必要的。
...【技术保护点】
1.一种形成埋置字线的方法，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其中所述金属氮化物层具有小于20 Å的厚度。
3.根据权利要求1所述的方法，进一步包括在所述金属氮化物层上沉积第二金属氮化物层。
4.根据权利要求3所述的方法，其中所述第二金属氮化物层包括氮化钛（TiN）、氮化钽（TaN）、氮化钇（YN）、氮化锆（ZrN）、氮化铪（HfN）、及氮化钡（BaN）中的一者或多者。
5.根据权利要求4所述的方法，其中所述第二金属氮化物层包括氮化钛。
6.根据权利要求1所述的方法，其中所述ALD处理是热处理。
7.根据权利要求1所述的方法，其中所述钼导体层被选择性沉积在所述金属氮化物层上。
8.根据权利要求1所述的方法，其中所述ALD处理包括将所述基板依序暴露于反应物和钼前驱物。
9.根据权利要求1所述的方法，其中所述钼导体层被沉积至在从10 Å至200 Å的范围内的厚度。
10.根据权利要求1所述的方法，其中所述ALD处理在350 ºC至550 ºC的范围内的温度下发生。<...
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种形成埋置字线的方法，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其中所述金属氮化物层具有小于20 å的厚度。
3.根据权利要求1所述的方法，进一步包括在所述金属氮化物层上沉积第二金属氮化物层。
4.根据权利要求3所述的方法，其中所述第二金属氮化物层包括氮化钛（tin）、氮化钽（tan）、氮化钇（yn）、氮化锆（zrn）、氮化铪（hfn）、及氮化钡（ban）中的一者或多者。
5.根据权利要求4所述的方法，其中所述第二金属氮化物层包括氮化钛。
6.根据权利要求1所述的方法，其中所述ald处理是热处理。
7.根据权利要求1所述的方法，其中所述钼导体层被选择性沉积在所述金属氮化物层上。
8.根据权利要求1所述的方法，其中所述ald处理包括将所述基板依序暴露于反应物和钼前驱物。
9.根据权利要求1所述的方法，其中所述钼导体层被沉积至在从10 å至200 å的范围内的厚度。
10.根据权利要求1所述的方法，其中所述ald处理在350 ºc至550 ºc的范围内的温度下发生。
11.根据权利要求1所述的方法，其中所述埋置字线在1...
【专利技术属性】
技术研发人员：兰德·哈达丁，库纳尔·巴哈特纳瓜，
申请(专利权)人：应用材料公司，
类型：发明
国别省市：
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