【技术实现步骤摘要】
本申请涉及半导体，具体涉及一种进气组件、半导体工艺腔室及半导体工艺设备。
技术介绍
1、各向同性刻蚀(isotropic etching)是指在所有方向上均相等的刻蚀。这种刻蚀方法使得在所有未被掩膜覆盖的区域中，蚀刻会以相同的速率发生，从而产生倒圆的边缘，如图1所示，图1是一种半导体结构各向同性刻蚀前后的效果对比图。
2、现有的一种刻蚀设备包括微波系统以及工艺腔室，微波系统用于产生等离子体并过滤其中的带电离子，将纯自由基通入工艺腔室以进行刻蚀，微波系统过滤带电离子的部件需要占据较多的空间，从而大大增加了刻蚀设备的体积，不利于机台维护。
技术实现思路
1、针对上述技术问题，本申请提供一种半导体工艺腔室及半导体工艺设备，可以改善现有的半导体工艺设备由于含有过长的长导管导致体积过大不方便维护的问题。
2、为解决上述技术问题，第一方面，本申请实施例提供一种进气组件，包括：
3、盖板，设有进气口，所述进气口用于与微波发生腔连通；
4、过滤件，设置在所述盖板远离所述微波发生腔的一侧，所述过滤件包括第一区域，所述进气口在所述过滤件上的投影落入所述第一区域内，所述第一区域用于阻挡所述微波发生腔产生的光通过。
5、可选的，所述过滤件与所述盖板之间形成匀流腔；
6、所述过滤件还包括第二区域，所述第二区域围绕所述第一区域设置，所述第二区域内设置有用于使工艺气体通过的第一贯通孔。
7、可选的，所述第一区域为未设置通孔的阻挡
8、所述第一区域内设置有第二贯通孔，并且所述第二贯通孔为折弯孔，以阻挡所述光通过；或者
9、所述第一区域内设置有第三贯通孔；所述进气组件还包括挡板，所述挡板设置于所述第三贯通孔远离所述盖板的一侧，用于阻挡所述光通过。
10、可选的，所述第二区域为中心对称图形，所述第一区域位于所述中心对称图形的中心。
11、可选的，所述第一区域和所述第二区域所构成的图形为正方形，并且所述正方形的四个角分别为一未设置所述第一贯通孔的空白区；和/或，
12、所述第一区域为正方形。
13、可选的，所述的进气组件还包括：
14、进气件，设置在所述盖板靠近所述微波发生腔的一侧，所述进气件的一端与所述进气口连通，另一端用于与所述微波发生腔连通，所述进气件用于在使所述工艺气体通过的同时阻挡所述微波发生腔产生的光通过。
15、可选的，所述进气件内设置有第四贯通孔，所述第四贯通孔为折弯孔，以在使所述工艺气体通过的同时阻挡所述微波发生腔产生的光通过。
16、可选的，所述第四贯通孔包括至少两段依次首尾连接的孔段，并且靠近所述过滤件的孔段垂直于所述第一区域，其余的所述孔段组成的整体相对于靠近所述过滤件的孔段弯折设置。
17、第二方面，本申请实施例提供一种半导体工艺腔室，包括腔室本体，以及如上各实施例所述的进气组件；
18、所述腔室本体上设有开口；
19、所述盖板盖设在所述开口处；
20、所述过滤件在所述腔室本体内与所述盖板相对设置，并将所述腔室本体内部空间分隔为靠近所述盖板的匀流腔和远离所述盖板的工艺腔。
21、第三方面，本申请实施例还提供一种半导体工艺设备，包括微波系统，以及如上各实施例所述的半导体工艺腔室；
22、所述微波系统的微波发生腔通过所述进气口与所述腔室本体连接。
23、可选的，所述微波发生腔的出气口位于所述进气组件的进气口的正上方，
24、所述进气组件还包括进气件，所述进气件的一端与所述进气口连接，另一端用于与所述微波发生腔连接，所述进气件用于在使所述工艺气体通过的同时阻挡所述微波发生腔产生的光通过。
25、本申请的进气组件，等离子体从进气口进入，并经过过滤件的过滤，可以过滤掉等离子体中的带电粒子，此外，由于进气口在过滤件上的投影落入第一区域内，第一区域可以阻挡微波发生腔产生的光通过，从而可以同时达到过滤光(特别是紫外光)的目的。本申请的进气组件同时具备过滤带电粒子和紫外光的功能，可以省去传统半导体工艺设备中微波系统所需的长导管，从而解决了传统的半导体工艺设备的体积过大、维护不便的问题。
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1.一种进气组件，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的进气组件，其特征在于，所述过滤件与所述盖板之间形成匀流腔；
3.根据权利要求2所述的进气组件，其特征在于，所述第一区域为未设置通孔的阻挡实体；或者
4.根据权利要求2所述的进气组件，其特征在于，所述第二区域为中心对称图形，所述第一区域位于所述中心对称图形的中心。
5.根据权利要求4所述的进气组件，其特征在于，所述第一区域和所述第二区域所构成的图形为正方形，并且所述正方形的四个角分别为一未设置所述第一贯通孔的空白区；和/或，
6.根据权利要求1-5中任一项所述的进气组件，其特征在于，还包括：
7.根据权利要求6所述的进气组件，其特征在于，所述进气件内设置有第四贯通孔，所述第四贯通孔为折弯孔，以在使所述工艺气体通过的同时阻挡所述微波发生腔产生的光通过。
8.根据权利要求7所述的进气组件，其特征在于，所述第四贯通孔包括至少两段依次首尾连接的孔段，并且靠近所述过滤件的孔段垂直于所述第一区域，其余的所述孔段组成的整体相对于靠近所述过滤件的孔段弯折
9.一种半导体工艺腔室，其特征在于，包括腔室本体，以及权利要求1-8任一项所述的进气组件；
10.一种半导体工艺设备，其特征在于，包括微波系统，以及权利要求9所述的半导体工艺腔室；
11.根据权利要求10所述的半导体工艺设备，其特征在于，所述微波发生腔的出气口位于所述进气组件的进气口的正上方，
...【技术特征摘要】
1.一种进气组件，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的进气组件，其特征在于，所述过滤件与所述盖板之间形成匀流腔；
3.根据权利要求2所述的进气组件，其特征在于，所述第一区域为未设置通孔的阻挡实体；或者
4.根据权利要求2所述的进气组件，其特征在于，所述第二区域为中心对称图形，所述第一区域位于所述中心对称图形的中心。
5.根据权利要求4所述的进气组件，其特征在于，所述第一区域和所述第二区域所构成的图形为正方形，并且所述正方形的四个角分别为一未设置所述第一贯通孔的空白区；和/或，
6.根据权利要求1-5中任一项所述的进气组件，其特征在于，还包括：
7.根据权利要求6所述的进气组件，其...
【专利技术属性】
技术研发人员：袁莉娟，
申请(专利权)人：北京北方华创微电子装备有限公司，
类型：新型
国别省市：
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