【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种cmp(化学机械研磨)用研磨液、cmp用研磨液套组、研磨方法等。
技术介绍
1、在半导体制造领域中，随着超大规模集成电路(very large scale integration，vlsi)器件的高性能化，通过作为以往技术的延伸的微细化技术来兼顾高集成化和高速化存在局限。因此，正在开发一种促进半导体元件的微细化的同时，在垂直方向上也实现高集成化的技术(即，配线的多层化技术)。
2、在制造配线多层化的器件的工艺中，cmp技术是最重要的技术之一。cmp技术是对通过化学气相沉积(cvd)等而在基板上形成薄膜而获得的基体的表面进行平坦化的技术。例如，为了确保光刻的焦深，基于cmp的平坦化处理不可或缺。若基体的表面存在凹凸，则会产生曝光工序中无法聚焦、无法充分形成微细配线结构等不便。并且，cmp技术在器件的制造过程中，也应用于通过等离子体氧化膜(bpsg、hdp-sio2、p-teos等)的研磨而形成元件分离(元件间分离。sti：浅沟槽隔离(shallow trench isolation))区域的工序；形成ild膜(层间绝缘膜。将同一层中的金属部件(配线等)彼此电绝缘的绝缘膜)的工序；及将包含氧化硅的膜埋入金属配线之后将插塞(例如，al·cu插塞)进行平坦化的工序等。
3、cmp通常使用能够向研磨垫上供给研磨液的装置来进行。而且，通过一边在基体的表面与研磨垫之间供给研磨液，一边将基体按压至研磨垫来研磨基体的表面。如此，在cmp技术中，研磨液是要件技术之一，为了获得高性能的研磨液，至今为止开发了各
4、在应用如上所述的cmp技术的工序中，尤其，在ild膜的cmp工序中，需要以高研磨速度研磨氧化硅。因此，在ild膜的cmp工序中，主要使用具有高研磨速度的二氧化硅系研磨液(使用了包含二氧化硅系粒子的研磨粒(abrasive grain)的研磨液)(例如，参考下述专利文献2)。然而，在二氧化硅系研磨液中，具有难以控制作为缺陷原因的研磨划痕(scratch)的倾向。并且，随着近年来的配线的微细化，期望在ild膜的cmp工序中也减少研磨划痕，但与元件分离区域用绝缘膜的cmp工序不同，一般而言不进行镜面研磨处理。因此，正在对使用与二氧化硅系研磨液相比研磨划痕少的铈系研磨液(使用了包含铈系粒子的研磨粒的研磨液)进行研讨(例如，参考下述专利文献3)。
5、以往技术文献
6、专利文献
7、专利文献1：日本特开2008-288537号公报
8、专利文献2：日本特开平9-316431号公报
9、专利文献3：日本特开平10-102038号公报
技术实现思路
1、专利技术要解决的技术课题
2、在使用研磨粒研磨被研磨面时，要求研磨粒在研磨后不易残留于被研磨面。其中，被研磨材料的氧化硅存在具有负zeta电位(zeta potential)的倾向，因此当使用具有负zeta电位的研磨粒来研磨包含氧化硅的被研磨面时，由于研磨粒与被研磨面之间的静电排斥而研磨粒在研磨后不易残留于被研磨面。另一方面，由于研磨粒与被研磨面之间的静电排斥而难以提高研磨速度，因此当使用具有负zeta电位的研磨粒时，有时难以实现氧化硅的高研磨速度。
3、并且，cmp用研磨液能够用于通过研磨具有由凸部(例如line部)及凹部(例如space部)构成的凹凸图案的图案晶圆而去除凸部来使被研磨面平坦化。在该情况下，从获得高平坦性的观点及缩短平坦化所需的研磨时间的观点出发，有时要求实现具有凹凸图案的图案晶圆的凸部处的氧化硅相对于不具有凹凸图案的毯覆式晶圆(blanket wafer)中的氧化硅的高研磨速度比。然而，当使用具有负zeta电位的研磨粒时，由于因研磨粒与凸部之间的静电排斥而难以提高研磨速度等原因，有时难以实现这种高研磨速度比。
4、本专利技术的一方面的目的在于提供一种cmp用研磨液，其使用具有负zeta电位的研磨粒，该cmp用研磨液能够实现具有凹凸图案的图案晶圆的凸部处的氧化硅相对于不具有凹凸图案的毯覆式晶圆中的氧化硅的高研磨速度比。并且，本专利技术的另一方面的目的在于提供一种用于获得所述cmp用研磨液的cmp用研磨液套组。此外，本专利技术的另一方面的目的在于提供一种使用所述cmp用研磨液的研磨方法。
5、用于解决技术课题的手段
6、本专利技术在若干方面中涉及下述[1]～[15]等。
7、[1]一种cmp用研磨液，其含有研磨粒、具有芳香环的含氮化合物及水，所述研磨粒包含铈系粒子，所述研磨粒的zeta电位为负。
8、[2]根据[1]所述的cmp用研磨液，其中，
9、所述铈系粒子包含氧化铈。
10、[3]根据[1]或[2]所述的cmp用研磨液，其中，
11、所述含氮化合物包含具有与芳香环键合的氨基的化合物。
12、[4]根据[3]所述的cmp用研磨液，其中，
13、所述含氮化合物包含邻氨基苯甲酸(anthranilic acid)。
14、[5]根据[1]至[4]中任一项所述的cmp用研磨液，其中，
15、所述含氮化合物包含具有与芳香环键合的羟基酰胺基的化合物。
16、[6]根据[5]所述的cmp用研磨液，其中，
17、所述含氮化合物包含苯甲羟肟酸(benzohydroxamic acid)。
18、[7]根据[1]至[6]中任一项所述的cmp用研磨液，其中，
19、所述含氮化合物包含吲哚化合物。
20、[8]根据[7]所述的cmp用研磨液，其中，
21、所述含氮化合物包含吲哚乙酸。
22、[9]根据[1]至[8]中任一项所述的cmp用研磨液，其中，
23、所述含氮化合物包含喹啉化合物。
24、[10]根据[9]所述的cmp用研磨液，其中，
25、所述含氮化合物包含喹哪啶酸(quinaldic acid)。
26、[11]根据[1]至[10]中任一项所述的cmp用研磨液，其中，
27、所述含氮化合物的含量为0.001～5质量％。
28、[12]根据[1]至[11]中任一项所述的cmp用研磨液，其中，
29、ph为4.0～9.0。
30、[13]一种cmp用研磨液套组，其中，
31、[1]至[12]中任一项所述的cmp用研磨液的构成成分被分为第1液及第2液而保存，所述第1液包含所述研磨粒及水，所述第2液包含所述含氮化合物及水。
32、[14]一种研磨方法，其包括使用[1]至[12]中任一项所述的cmp用研磨液来研磨被研磨面的工序。
33、[15]根据[14]所述的研磨方法，其中，
34、所述被研磨面包含氧化硅。
35、专利技术效果
36、根据本专利技术的一方面本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种CMP用研磨液，其含有研磨粒、具有芳香环的含氮化合物及水，
2.根据权利要求1所述的CMP用研磨液，其中，
3.根据权利要求1所述的CMP用研磨液，其中，
4.根据权利要求3所述的CMP用研磨液，其中，
5.根据权利要求1所述的CMP用研磨液，其中，
6.根据权利要求5所述的CMP用研磨液，其中，
7.根据权利要求1所述的CMP用研磨液，其中，
8.根据权利要求7所述的CMP用研磨液，其中，
9.根据权利要求1所述的CMP用研磨液，其中，
10.根据权利要求9所述的CMP用研磨液，其中，
11.根据权利要求1所述的CMP用研磨液，其中，
12.根据权利要求1所述的CMP用研磨液，其中，
13.一种CMP用研磨液套组，其中，
14.一种研磨方法，其包括使用权利要求1至12中任一项所述的CMP用研磨液来研磨被研磨面的工序。
15.根据权利要求14所述的研磨方法，其中，
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种cmp用研磨液，其含有研磨粒、具有芳香环的含氮化合物及水，
2.根据权利要求1所述的cmp用研磨液，其中，
3.根据权利要求1所述的cmp用研磨液，其中，
4.根据权利要求3所述的cmp用研磨液，其中，
5.根据权利要求1所述的cmp用研磨液，其中，
6.根据权利要求5所述的cmp用研磨液，其中，
7.根据权利要求1所述的cmp用研磨液，其中，
8.根据权利要求7所述的cmp用研磨...
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