【技术实现步骤摘要】
本公开涉及基板处理装置和方法、半导体器件的制造方法以及记录介质。
技术介绍
1、作为半导体器件(device)的制造工序的一个工序，有时相对于处理容器内的基板供给处理气体来处理基板上的膜(例如专利文献1)。
2、现有技术文献
3、专利文献
4、专利文献1：jp特开2022-148256号公报
技术实现思路
1、在上述这种装置中，有时从供给配管供给的气体在缓冲室内一旦使空间扩大，从而会引起绝热膨胀，气体的温度下降。因此，有从供给配管供给的气体在缓冲室内发生液化，在处理空间内产生颗粒。
2、本公开提供一种能够抑制气体的状态的变化的技术。
3、根据本公开的一实施方式，提供一种技术，具备：
4、处理基板的处理室；
5、向所述处理室供给气体且具有缓冲空间的缓冲室；
6、经由所述缓冲室向所述处理室供给气体的气体供给部；
7、加热所述缓冲空间的加热部；
8、能够测定所述缓冲空间的压力的压力测定部；以及
9、控制部，其构成为能够在所述压力测定部测定出的所述缓冲空间的压力超出事先设定的设定范围外的情况下，利用所述加热部调节所述缓冲空间的温度。
10、专利技术效果
11、根据本公开，能够抑制气体的状态的变化。
【技术保护点】
1.一种基板处理方法，其特征在于，包括如下的工序：
2.根据权利要求1所述的基板处理方法，其特征在于，
3.根据权利要求2所述的基板处理方法，其特征在于，
4.根据权利要求1所述的基板处理方法，其特征在于，
5.根据权利要求1所述的基板处理方法，其特征在于，
6.根据权利要求1所述的基板处理方法，其特征在于，
7.根据权利要求1所述的基板处理方法，其特征在于，
8.根据权利要求1所述的基板处理方法，其特征在于，
9.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
10.根据权利要求1所述的基板处理方法，其特征在于，
11.根据权利要求1所述的基板处理方法，其特征在于，
12.根据权利要求1所述的基板处理方法，其特征在于，
13.根据权利要求1所述的基板处理方法，其特征在于，
14.根据权利要求13所述的基板处理方法，其特征在于，
15.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，
16.一种能够由计算机读取的
17.一种基板处理装置，其特征在于，具备：
...【技术特征摘要】
1.一种基板处理方法，其特征在于，包括如下的工序：
2.根据权利要求1所述的基板处理方法，其特征在于，
3.根据权利要求2所述的基板处理方法，其特征在于，
4.根据权利要求1所述的基板处理方法，其特征在于，
5.根据权利要求1所述的基板处理方法，其特征在于，
6.根据权利要求1所述的基板处理方法，其特征在于，
7.根据权利要求1所述的基板处理方法，其特征在于，
8.根据权利要求1所述的基板处理方法，其特征在于，
9.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
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