【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及天线与微波，尤其涉及一种高阶紧耦合的fss结构及天线罩。
技术介绍
1、天线罩是天线系统不可或缺的组成部分，其可保护天线免受外部环境的侵害，以为天线提供相对稳定的工作状态。为了最大限度地保障天线系统的工作性能，天线罩在通带内必须是电磁透明的；此外，为了达到低散射的目的，天线罩需在工作频带外实现深截止。
2、fss（frequency selective surface，频率选择表面）是由金属谐振单元组成的周期性阵列，对不同频率、入射角及极化状态的电磁波具有选择透过性，通过调节fss单元的形状和尺寸，可实现各种响应特性；将fss应用于天线罩，以实现天线罩在特定频段的带通功能。
3、带通的fss天线罩需具有高阶的滤波响应，以获得平坦的通带和陡降的截止特性；单层的缝隙fss单元只在谐振频率处呈现一阶滤波响应；目前，为了实现高阶的滤波响应，fss结构的陡截止特性可采用双层或三层级联的方式实现，常用的单元形式有圆形、方形、六边形等；但传统的叠层方式对天线罩的厚度要求较高，当周期单元尺寸较大时，易在高频处产生栅瓣，导致通带内损耗高，带外快速截止的频率响应特性差。
技术实现思路
1、本专利技术的目的就在于为了解决上述问题设计了一种高阶紧耦合的fss结构。
2、本专利技术通过以下技术方案来实现上述目的：
3、高阶紧耦合的fss结构，包括级联耦合的多层结构，由外向内依次为第一蒙皮层、第一贴片型fss层、第一介质胶板层、第二贴片型fss层、
4、在一实施例中，所述第一贴片型fss层、第二贴片型fss层、第四贴片型fss层及第五贴片型fss层为对称的紧耦合方形贴片。
5、在一实施例中，所述第三缝隙型fss层为耶路撒冷十字结构。
6、在一实施例中，所述第一贴片型fss层、第二贴片型fss层、第三缝隙型fss层、第四贴片型fss层及第五贴片型fss层的厚度为0.018mm，所述第一蒙皮层和第四蒙皮层的厚度为0.2mm，所述第一介质胶板层和第二介质胶板层的厚度为0.05mm，所述第二蒙皮层第三蒙皮层的厚度为1.2mm。
7、在一实施例中，所述第一蒙皮层、第二蒙皮层、第三蒙皮层的及第四蒙皮层的介电常数ε=3.4，损耗角正切tanδ=0.006。
8、在一实施例中，所述第一介质胶板层和第二介质胶板层的介电常数ε=3.3，损耗角正切tanδ=0.004。
9、本专利技术还提出一种天线罩，所述天线罩包括上述的高阶紧耦合的fss结构。
10、本专利技术的有益效果在于：
11、高阶紧耦合的fss结构由6层介质层与5层fss层交替级联耦合而成，整体呈对称结构，以实现通带内平坦、带外快速截止的高阶频率响应特性；联合调节fss单元的周期大小和金属贴片的尺寸，可调整fss结构的谐振频率；调整缝隙型fss单元的尺寸，可相应地调节通带的带宽及透波特性，从而提高天线罩的透波性能。
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1.一种高阶紧耦合的FSS结构，其特征在于，所述高阶紧耦合的FSS结构包括级联耦合的多层结构，由外向内依次为第一蒙皮层、第一贴片型FSS层、第一介质胶板层、第二贴片型FSS层、第二蒙皮层、第三缝隙型FSS层、第三蒙皮层、第四贴片型FSS层、第二介质胶板层、第五贴片型FSS层、第四蒙皮层，整体呈对称结构。
2.根据权利要求1所述的高阶紧耦合的FSS结构，其特征在于，所述第一贴片型FSS层、第二贴片型FSS层、第四贴片型FSS层及第五贴片型FSS层为对称的紧耦合方形贴片。
3.根据权利要求2所述的高阶紧耦合的FSS结构，其特征在于，所述第三缝隙型FSS层为耶路撒冷十字结构。
4.根据权利要求1所述的高阶紧耦合的FSS结构，其特征在于，所述第一贴片型FSS层、第二贴片型FSS层、第三缝隙型FSS层、第四贴片型FSS层及第五贴片型FSS层的厚度为0.018mm，所述第一蒙皮层和第四蒙皮层的厚度为0.2mm，所述第一介质胶板层和第二介质胶板层的厚度为0.05mm，所述第二蒙皮层第三蒙皮层的厚度为1.2mm。
5.根据权利要求1所述的高阶紧耦合
6.根据权利要求1所述的高阶紧耦合的FSS结构，其特征在于，所述第一介质胶板层和第二介质胶板层的介电常数ε=3.3，损耗角正切tanδ=0.004。
7.一种天线罩，其特征在于，所述天线罩包括如权利要求1-6任意一项所述的高阶紧耦合的FSS结构。
...【技术特征摘要】
1.一种高阶紧耦合的fss结构，其特征在于，所述高阶紧耦合的fss结构包括级联耦合的多层结构，由外向内依次为第一蒙皮层、第一贴片型fss层、第一介质胶板层、第二贴片型fss层、第二蒙皮层、第三缝隙型fss层、第三蒙皮层、第四贴片型fss层、第二介质胶板层、第五贴片型fss层、第四蒙皮层，整体呈对称结构。
2.根据权利要求1所述的高阶紧耦合的fss结构，其特征在于，所述第一贴片型fss层、第二贴片型fss层、第四贴片型fss层及第五贴片型fss层为对称的紧耦合方形贴片。
3.根据权利要求2所述的高阶紧耦合的fss结构，其特征在于，所述第三缝隙型fss层为耶路撒冷十字结构。
4.根据权利要求1所述的高阶紧耦合的fss结构，其特征在于，所述第一贴片型fss层、第...
【专利技术属性】
技术研发人员：朱珊仪，周虹妍，兰皓文，李健骁，梁志鑫，番雄彬，章奥，任贵川，陈良，
申请(专利权)人：成都佳驰电子科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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