System.ArgumentOutOfRangeException: 索引和长度必须引用该字符串内的位置。 参数名: length 在 System.String.Substring(Int32 startIndex, Int32 length) 在 zhuanliShow.Bind() 一种形成致密氧化膜的箔化成方法及化成箔技术_技高网

一种形成致密氧化膜的箔化成方法及化成箔技术

技术编号:44896753 阅读:0 留言:0更新日期:2025-04-08 00:36
本发明专利技术公开了一种形成致密氧化膜的箔化成方法及化成箔。该箔化成方法包括依次实施的水热处理步骤和化成步骤,所述的水热处理步骤至少包括:将箔浸入偏铝酸钠‑氨水溶液中进行密闭水热处理。在该处理下,Al3+和氨水反应形成一层氢氧化铝介质沉积在箔表面,经干燥焙烧处理后,即在箔表面形成了一层致密的γ‑氧化铝。当以此层γ‑氧化铝为基准进行多级化成后,不仅箔表面形成的氧化膜较现有工艺更为致密,有利于缩短铝电解电容器化成箔的升压时间和Tr60时间,而且制备工艺简单,适用于工业化生产。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于化成箔材料,具体涉及一种形成致密氧化膜的箔化成方法及化成箔


技术介绍

1、化成箔是由特制的高纯铝箔经过电化学或化学腐蚀后扩大表面积,再经过电化成作用在表面形成一层氧化膜后的产物。铝电解电容器用中高压化成箔属电子专用材料是基础产业之一,是中国电子行业的薄弱环节,现已纳入国家重点发展和扶持的产业。高档次中高压化成箔又是中国电子工业代替进口的基础工业关键材料,因此生产中高压化成箔产品具有广阔的市场前景。

2、化成箔所形成的氧化膜需为γ-氧化铝,γ-氧化铝具有高孔容、高比表面积等优点,但是,用现有方法制造的铝电解电容器用化成箔仍然存在着氧化膜的致密性低、tr60时间偏长、升压时间偏长等问题。


技术实现思路

1、本专利技术针对上述技术问题,提供一种形成致密氧化膜的箔化成方法及化成箔。

2、为了实现上述专利技术目的,本专利技术的技术方案包括:

3、一种形成致密氧化膜的箔化成方法,包括依次实施的水热处理步骤和化成步骤,所述的水热处理步骤至少包括:

4、将箔浸入偏铝酸钠-氨水溶液中进行密闭水热处理。

5、本专利技术的化成方法中包含了将箔浸入偏铝酸钠-氨水溶液中,并在密闭环境下进行水热处理的步骤;在该处理下,al3+和氨水反应形成一层氢氧化铝介质沉积在箔表面,经干燥焙烧处理后,即在箔表面形成了一层致密的γ-氧化铝。当以此层γ-氧化铝为基准进行多级化成后,不仅箔表面形成的氧化膜较现有工艺更为致密,有利于缩短铝电解电容器化成箔的升压时间和tr60时间,而且制备工艺简单,适用于工业化生产。

6、本专利技术经试验发现,氨水与al3+比值直接影响γ-氧化铝的形成速率和氧化膜的厚度,因此作为优选,所述的偏铝酸钠-氨水溶液中,氨水浓度为5-15mol/l,以摩尔量计,氨水与al3+比值为(1~10):1。

7、进一步地,所述的偏铝酸钠-氨水溶液中,以摩尔量计,氨水与al3+比值为(1~3):1。

8、进一步地,所述的密闭水热处理的温度为85~95℃,所述的密闭水热处理的时间为2~5min。

9、进一步地,所述的水热处理步骤还包括:

10、将箔浸入纯水中进行水热处理;

11、该水热处理发生在所述的密闭水热处理前。

12、进一步地,所述的水热处理的温度为85~95℃,所述的水热处理的时间为2~5min。

13、进一步地,水热处理步骤后,将箔取出、干燥、焙烧后再实施化成步骤。

14、进一步地,所述的干燥处理在惰性气氛中进行,干燥处理的温度不大于200℃;

15、所述的焙烧处理的温度为400~750℃,焙烧处理的时长为3~12min。

16、进一步地,所述的干燥处理的温度为80~120℃,干燥的时长为5~10min;

17、所述的焙烧处理的温度为500~650℃,焙烧处理的时长为3~8min。

18、本专利技术的另一方面,提供一种化成箔,该化成箔即采用上述的箔化成方法制得。

19、与现有技术相比,本专利技术的有益效果体现在:

20、(1)本专利技术的化成方法中包含了将箔浸入偏铝酸钠-氨水溶液中,并在密闭环境下进行水热处理的步骤;在该处理下,al3+和氨水反应形成一层氢氧化铝介质沉积在箔表面,经干燥焙烧处理后,即在箔表面形成了一层致密的γ-氧化铝。当以此层γ-氧化铝为基准进行多级化成后,不仅箔表面形成的氧化膜较现有工艺更为致密,有利于缩短铝电解电容器化成箔的升压时间和tr60时间,而且制备工艺简单,适用于工业化生产。

21、(2)本专利技术所采用的偏铝酸钠-氨水溶液中,以摩尔量计,氨水与al3+比值优选为(1~10):1,更优选为(1~3):1;在该比值下,γ-氧化铝的形成速率较快,且化成后形成的氧化膜的厚度适宜。

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【技术保护点】

1.一种形成致密氧化膜的箔化成方法,包括依次实施的水热处理步骤和化成步骤,其特征在于,所述的水热处理步骤至少包括:

2.如权利要求1所述的箔化成方法,其特征在于,所述的偏铝酸钠-氨水溶液中,氨水浓度为5-15mol/L,以摩尔量计,氨水与Al3+比值为(1~10):1。

3.如权利要求1所述的箔化成方法,其特征在于,所述的偏铝酸钠-氨水溶液中,以摩尔量计,氨水与Al3+比值为(1~3):1。

4.如权利要求1所述的箔化成方法,其特征在于,所述的密闭水热处理的温度为85~95℃,所述的密闭水热处理的时间为2~5min。

5.如权利要求1所述的箔化成方法,其特征在于,所述的水热处理步骤还包括:

6.如权利要求5所述的箔化成方法,其特征在于,所述的水热处理的温度为85~95℃,所述的水热处理的时间为2~5min。

7.如权利要求1所述的箔化成方法,其特征在于,水热处理步骤后,将箔取出、干燥、焙烧后再实施化成步骤。

8.如权利要求7所述的箔化成方法,其特征在于,所述的干燥处理在惰性气氛中进行,干燥处理的温度不大于200℃;

9.如权利要求8所述的箔化成方法,其特征在于,所述的干燥处理的温度为80~120℃,干燥的时长为5~10min;

10.一种化成箔,其特征在于,采用如权利要求1-9中任意一项所述的箔化成方法制得。

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【技术特征摘要】

1.一种形成致密氧化膜的箔化成方法,包括依次实施的水热处理步骤和化成步骤,其特征在于,所述的水热处理步骤至少包括:

2.如权利要求1所述的箔化成方法,其特征在于,所述的偏铝酸钠-氨水溶液中,氨水浓度为5-15mol/l,以摩尔量计,氨水与al3+比值为(1~10):1。

3.如权利要求1所述的箔化成方法,其特征在于,所述的偏铝酸钠-氨水溶液中,以摩尔量计,氨水与al3+比值为(1~3):1。

4.如权利要求1所述的箔化成方法,其特征在于,所述的密闭水热处理的温度为85~95℃,所述的密闭水热处理的时间为2~5min。

5.如权利要求1所述的箔化成方法,其特征在于,...

【专利技术属性】
技术研发人员:宋洪洲金彬书
申请(专利权)人:浙江洪量新材科技有限公司
类型:发明
国别省市:

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