System.ArgumentOutOfRangeException: 索引和长度必须引用该字符串内的位置。 参数名: length 在 System.String.Substring(Int32 startIndex, Int32 length) 在 zhuanliShow.Bind() 平坦集成电路封装互连制造技术_技高网
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平坦集成电路封装互连制造技术

技术编号:44895081 阅读:3 留言:0更新日期:2025-04-08 00:34
本文一般讨论了包含大致共面的导电柱的设备、方法和系统。根据示例,一种技术能够包括:在衬底的相应暴露的接合衬垫上生成导电柱;将模制材料设置在所生成的导电柱周围和上面;同时移除模制材料和所生成的导电柱的一部分以使得所生成的导电柱和模制材料大致平坦;以及电气上将管芯耦合到导电柱。

【技术实现步骤摘要】

示例一般涉及集成电路(ic)封装,更具体涉及用于创建包含大体上平坦的导电柱的ic封装的工艺以及从这类工艺得到的装置。


技术介绍

1、ic封装技术具有朝着将ic制作得越来越小的方向发展的趋势。相比更大的ic封装,更小的ic封装一般每单位面积包含更多信号布线。制造这样更小的封装可能是有挑战性的。相比更大的封装,更小的封装可能具有更高的成品率损失。


技术实现思路

【技术保护点】

1.一种集成电路(IC)封装,包括:

2.如权利要求1所述的IC封装,其中,所述IC封装包括至少四个导电柱。

3.如权利要求1所述的IC封装,其中,所述管芯经由所述导电柱和所述接合衬垫电耦合到所述衬底中的所述电通路。

4.如权利要求1所述的IC封装,其中,所述多个导电柱中的每个导电柱耦合到导电粘合剂。

5.如权利要求4所述的IC封装,其中,所述导电粘合剂位于所述导电柱之一和所述管芯之间。

6.如权利要求4所述的IC封装,其中,所述导电粘合剂是焊料。

7.如权利要求6所述的IC封装,其中,对于每个所述导电柱,所述焊料的一部分沿着所述导电柱的侧壁延伸。

8.如权利要求1所述的IC封装,其中,所述多个导电柱包括铜。

9.如权利要求1所述的IC封装,其中,所述衬底包括位于所述衬底的底面上的多个接触衬垫,所述底面与所述顶面相对。

10.如权利要求1所述的IC封装,其中,所述管芯包括电耦合到所述多个导电柱的接触衬垫。

11.一种封装,包括:

12.如权利要求11所述的封装,还包括耦合到所述多个接触衬垫的外部设备。

13.如权利要求12所述的封装,其中,所述外部设备是电路板。

14.如权利要求12所述的封装,其中,所述外部设备是第二管芯。

15.如权利要求11所述的封装,其中,所述多个接触衬垫之一的宽度大于所述多个接合衬垫之一的宽度。

16.如权利要求11所述的封装,其中,所述管芯是片上系统(SoC)。

17.一种集成电路(IC)封装,包括:

18.如权利要求17所述的IC封装,其中,所述焊料的其他部分位于所述铜柱和所述管芯之间。

19.如权利要求17所述的IC封装,其中,所述IC封装包括至少五个铜柱。

20.如权利要求17所述的IC封装,其中,所述管芯包括通过所述多个铜柱和所述焊料电耦合到所述接合衬垫的接触衬垫。

...

【技术特征摘要】

1.一种集成电路(ic)封装,包括:

2.如权利要求1所述的ic封装,其中,所述ic封装包括至少四个导电柱。

3.如权利要求1所述的ic封装,其中,所述管芯经由所述导电柱和所述接合衬垫电耦合到所述衬底中的所述电通路。

4.如权利要求1所述的ic封装,其中,所述多个导电柱中的每个导电柱耦合到导电粘合剂。

5.如权利要求4所述的ic封装,其中,所述导电粘合剂位于所述导电柱之一和所述管芯之间。

6.如权利要求4所述的ic封装,其中,所述导电粘合剂是焊料。

7.如权利要求6所述的ic封装,其中,对于每个所述导电柱,所述焊料的一部分沿着所述导电柱的侧壁延伸。

8.如权利要求1所述的ic封装,其中,所述多个导电柱包括铜。

9.如权利要求1所述的ic封装,其中,所述衬底包括位于所述衬底的底面上的多个接触衬垫,所述底面与所述顶面相对。

10.如权利要求1所述的ic封装,其中,...

【专利技术属性】
技术研发人员:R·L·桑克曼S·加内桑
申请(专利权)人:英特尔公司
类型:发明
国别省市:

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