【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种修调电路，尤其是一种可预修调的双模修调电路。
技术介绍
1、修调电路广泛应用在基准电路、电源电路等模拟电路中，由于工艺的误差，未经修调的模拟电路很难达到非常精确的值，因此，基准电路、电源电路一般都需经过修调处理。
2、目前，对基准电路、电源电路等模拟电路进行修调时，多使用激光修调的方式，通过多晶的熔断或者未熔断的状态，提供一个或者多个非易失性值，以实现修调目的。当然，也会使用电流修调的方式，在电路中增加一些控制电路来，通过控制电流的路径熔断顶层铝的方式，提供一个或者多个非易失性值。
3、对于上述两种常规修调方式，一般根据第一次的测试值，通过理论计算应该被修调的熔丝，使被修调对象的输出值更接近理想值。但由于修调后熔丝的状态不可再进行二次修调，因此，被修调对象的输出值与理想值仍可能存在一定的误差，从而，如何有效提高修调的精度，降低修调成本，是目前继续解决的技术难题。
技术实现思路
1、本专利技术的目的是克服现有技术中存在的不足，提供一种可预修调的双模修调电路，其可有效提高被修调对象经修调后的输出精度以及修调操作的灵活性。
2、按照本专利技术提供的技术方案，一种可预修调的双模修调电路，所述双模修调电路包括若干双模修调单元，以利用一个双模修调单元生成一个对应的双模修调状态信号，其中，
3、所述双模修调单元至少包括基于电流修调的电流修调单元，其中，所述电流修调主单元包括电流修调主单元以及与所述电流修调主单元适配连接的修调复位控
4、基于电流修调单元进行电流修调时，先利用电流修调主单元进行预修调，并在预修调后进行后修调，其中，
5、预修调时，将预修调数据加载到电流修调主单元，以使得电流修调主单元生成与预修调数据对应的预修调状态信号；
6、基于预修调生成的预修调状态信号，确定电流修调主单元在后修调时的电流修调目标状态信号，其中，电流修调目标状态信号的状态为修调有效状态或修调无效状态；
7、后修调时，基于电流修调目标状态信号，将目标修调数据加载到电流修调主单元，并经电流修调单元输出对应的电流修调目标状态信号，且基于电流修调目标状态信号形成双模修调状态信号，其中，
8、当电流修调目标状态信号的状态为修调有效状态时，基于电流修调目标状态信号以及处于有效状态的修调使能信号将电流修调主单元内的多晶熔丝采用电流熔断方式熔断，以在多晶熔丝熔断后，锁定电流修调主单元输出的电流修调目标状态信号；
9、电流修调单元重新上电后，利用修调复位控制信号生成单元生成修调复位控制信号，以使得电流修调主单元在修调复位控制信号下将生成的修调状态信号配置为对应的电流修调目标状态信号。
10、所述电流修调主单元包括dff触发器、多晶熔丝单元以及修调复位单元，其中，
11、dff触发器的数据端接收预修调数据或目标修调数据，dff触发器的clk端接收时钟信号clk，以基于时钟信号clk将预修调数据或目标修调数据加载到dff触发器内，其中，
12、预修调数据加载到dff触发器的数据端时，通过dff触发器的q端生成预修调状态信号；
13、目标修调数据加载到dff触发器的数据端时，通过dff触发器的q端生成电流修调目标状态信号；
14、多晶熔丝位于多晶熔丝单元内，多晶熔丝单元还包括与多晶熔丝适配连接的熔丝电流路径单元，其中，
15、熔丝电流路径单元接收修调使能信号，并与dff触发器的q端连接；
16、当dff触发器输出修调有效状态的电流修调目标状态信号，且修调使能信号也处于有效状态时，则驱动熔丝电流路径单元形成有效电流路径，此后，基于熔丝熔断电压以及形成的有效电流路径对多晶熔丝进行电流熔断；
17、修调复位单元与多晶熔丝单元以及dff触发器适配连接，并基于修调复位控制信号生成单元生成修调复位控制信号，且基于所接收的修调复位控制信号配置dff触发器q端输出对应的电流修调目标状态信号。
18、修调有效状态的电流修调目标状态信号为高电平状态时，则修调无效状态的电流修调目标状态信号为低电平状态，其中，
19、当修调使能信号为低电平有效时，则熔丝电流路径单元包括或非门nor0以及与所述或非门nor0输出端连接的nmos管n0，其中，
20、dff触发器的q端通过反相器inv0与或非门nor0的一端连接，修调使能信号与或非门nor0的另一端连接；
21、nmos管n0的源极端接地，nmos管n0的漏极端与多晶熔丝的第一端连接，多晶熔丝的第二端接熔丝熔断电压；
22、基于修调有效状态的电流修调目标状态信号以及低电平的修调使能信号使得nmos管n0处于导通状态时，基于nmos管n0形成有效电流路径。
23、修调复位单元包括电平状态检测单元以及与所述电平状态检测单元适配连接的复位置位信号生成单元，其中，
24、修调复位控制信号加载到电平状态检测单元，电平状态检测单元基于修调复位控制信号获取表征多晶熔丝熔断状态的熔丝电平状态信号；
25、基于修调复位控制信号以及熔丝电平状态信号，复位置位信号生成单元生成加载到dff触发器的复位置位信号，其中，
26、当熔丝电平状态信号表征多晶熔丝处于熔断状态时，则基于复位置位信号配置dff触发器的q端输出修调有效状态的电流修调目标状态信号；
27、当熔丝电平状态信号表征多晶熔丝处于未熔断状态时，则基于复位置位信号配置dff触发器的q端输出修调无效状态的电流修调目标状态信号。
28、修调复位控制信号包括预加载控制信号re-load、低位电平检测控制信号cfg-n以及高位电平检测控制信号cfg-p，其中，
29、电流修调单元重新上电后，高位电平检测控制信号cfg-p以及低位电平检测控制信号cfg-n立即处于有效电平状态，且预加载控制信号re-load延迟进入有效电平状态，以基于延迟进入有效电平状态的预加载控制信号re-load使得复位置位信号生成单元输出无效状态的复位置位信号；
30、当预加载控制信号re-load进入有效电平状态后，电平状态检测单元基于预加载控制信号re-load、低位电平检测控制信号cfg-n以及高位电平检测控制信号cfg-p生成熔丝电平状态信号。
31、当预加载控制信号re-load、低位电平检测控制信号cfg-n为高电平有效，且高位电平检测控制信号cfg-p为低电平有效时，则电平状态检测单元包括nmos管n1、nmos管n2以及pmos管p0，nmos管n2的源极端接地，nmos管n2的漏极端与nmos管n1的源极端连接，nmos管n1的漏极端与pmos管p0的漏极端以及复位置位信号生成单元连接，pmos管p0的源极端与多晶熔丝的第一端连接，
32、nmos管n1的栅极端接低位电平检测控制信号cfg-n，nmos管n2的栅极端本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种可预修调的双模修调电路，其特征是，所述双模修调电路包括若干双模修调单元，以利用一个双模修调单元生成一个对应的双模修调状态信号，其中，
2.根据权利要求1所述的可预修调的双模修调电路，其特征是：所述电流修调主单元包括DFF触发器、多晶熔丝单元以及修调复位单元，其中，
3.根据权利要求2所述的可预修调的双模修调电路，其特征是：修调有效状态的电流修调目标状态信号为高电平状态时，则修调无效状态的电流修调目标状态信号为低电平状态，其中，
4.根据权利要求2所述的可预修调的双模修调电路，其特征是：修调复位单元包括电平状态检测单元以及与所述电平状态检测单元适配连接的复位置位信号生成单元，其中，
5.根据权利要求4所述的可预修调的双模修调电路，其特征是：修调复位控制信号包括预加载控制信号RE-LOAD、低位电平检测控制信号CFG-N以及高位电平检测控制信号CFG-P，其中，
6.根据权利要求5所述的可预修调的双模修调电路，其特征是：当预加载控制信号RE-LOAD、低位电平检测控制信号CFG-N为高电平有效，且高位电平检测控制信号
7.根据权利要求6所述的可预修调的双模修调电路，其特征是：复位置位信号生成单元包括PMOS管P1以及施密特触发器，其中，
8.根据权利要求6所述的可预修调的双模修调电路，其特征是：所述修调复位控制信号生成单元至少包括修调复位控制信号生成主电路，其中，
9.根据权利要求1至8任一项所述的可预修调的双模修调电路，其特征是：所述双模修调单元还包括基于激光修调的激光修调单元，其中，
10.根据权利要求9所述的可预修调的双模修调电路，其特征是：所述激光修调单元包括激光熔丝，其中，
...【技术特征摘要】
1.一种可预修调的双模修调电路，其特征是，所述双模修调电路包括若干双模修调单元，以利用一个双模修调单元生成一个对应的双模修调状态信号，其中，
2.根据权利要求1所述的可预修调的双模修调电路，其特征是：所述电流修调主单元包括dff触发器、多晶熔丝单元以及修调复位单元，其中，
3.根据权利要求2所述的可预修调的双模修调电路，其特征是：修调有效状态的电流修调目标状态信号为高电平状态时，则修调无效状态的电流修调目标状态信号为低电平状态，其中，
4.根据权利要求2所述的可预修调的双模修调电路，其特征是：修调复位单元包括电平状态检测单元以及与所述电平状态检测单元适配连接的复位置位信号生成单元，其中，
5.根据权利要求4所述的可预修调的双模修调电路，其特征是：修调复位控制信号包括预加载控制信号re-load、低位电平检测控制信号cfg-n以及高位电平检测控制信号cfg-p，其中，
6.根据权利要求5所述的可预修调的双模修调电路，其特征是：当预加载控制信...
【专利技术属性】
技术研发人员：曹正州，单悦尔，张艳飞，耿杨，徐玉婷，
申请(专利权)人：无锡中微亿芯有限公司，
类型：发明
国别省市：
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