【技术实现步骤摘要】
本公开关于一种接触结构、包括一接触结构的一半导体元件以及该半导体元件的制备方法。特别涉及一种具有一延伸部的接触结构。
技术介绍
1、半导体元件使用在不同的电子应用，例如个人电脑、手机、数码相机，或其他电子设备。半导体元件的尺寸逐渐地变小，以符合计算能力所逐渐增加的需求。然而，在尺寸变小的工艺期间，增加不同的问题。因此，仍然持续着在达到改善品质、良率、效能与可靠度以及降低复杂度方面的挑战。
2、上文的“现有技术”说明仅提供
技术介绍
，并未承认上文的“现有技术”说明揭示本公开的标的，不构成本公开的现有技术，且上文的“现有技术”的任何说明均不应作为本公开的任一部分。
技术实现思路
1、本公开的一实施例提供一种接触结构，包括一本体部；以及一延伸部，自该本体部向下延伸且包括一凹槽。该凹槽自该延伸部的一下表面凹陷，通往该本体部，并暴露该本体部。
2、本公开的另一实施例提供一种半导体元件，包括一基底；一杂质区，设置在该基底中；以及一接触结构，包括：一本体部，设置在该基底上；以及一延伸部，自该本体部朝该基底向下延伸并形成一凹槽。该凹槽容纳该杂质区的一突出部，该突出部直接接触该本体部。
3、本公开的另一实施例提供一种半导体元件的制备方法，包括提供一基底；形成一介电层在该基底上；沿着该介电层形成一单元接触点开口以暴露该基底；共形地形成部分填充该单元接触点开口的一牺牲层，以形成暴露该基底的一中间开口；形成完全填满该中间开口的一阻挡层；移除该牺牲层；以该阻挡层当作一遮罩而
4、由于本公开的半导体元件的设计，该延伸部可以增加该接触结构的接触面积。结果，可以改善半导体元件的效能。
5、上文已相当广泛地概述本公开的技术特征及优点，从而使下文的本公开详细描述得以获得较佳了解。构成本公开的权利要求标的的其它技术特征及优点将描述于下文。本公开所属
中技术人员应了解，可相当容易地利用下文揭示的概念与特定实施例可作为修改或设计其它结构或工艺而实现与本公开相同的目的。本公开所属
中技术人员亦应了解，这类等效建构无法脱离权利要求所界定的本公开的构思和范围。
【技术保护点】
1.一种接触结构，包括：
2.如权利要求1所述的接触结构，其中该本体部在一顶视图中具有一正方形剖面轮廓。
3.如权利要求2所述的接触结构，其中该延伸部在一顶视图中具有一正方形环状剖面轮廓。
4.如权利要求1所述的接触结构，其中该本体部在一顶视图中具有一圆形剖面轮廓。
5.如权利要求4所述的接触结构，其中该延伸部在一顶视图中具有一环状剖面轮廓。
6.如权利要求1所述的接触结构，其中该延伸部的该下表面大致为平坦的。
7.如权利要求1所述的接触结构，其中该延伸部的该下表面是倾斜的。
8.如权利要求1所述的接触结构，其中在一顶视图中，该本体部的一中心点与该凹槽的一中心点对齐。
9.如权利要求1所述的接触结构，其中在一顶视图中，该本体部的一中心点与该凹槽的一中心点并未对齐。
10.如权利要求1所述的接触结构，其中该延伸部的一高度与该接触结构的一高度的一高度比在大约0.05至大约0.30之间。
11.一种半导体元件，包括：
12.如权利要求11所述的半导体元件，
13.如权利要求12所述的半导体元件，其中该延伸部在一顶视图中具有一正方形环状剖面轮廓。
14.如权利要求11所述的半导体元件，其中该本体部在一顶视图中具有一圆形剖面轮廓。
15.如权利要求14所述的半导体元件，其中该延伸部在一顶视图中具有一环状剖面轮廓。
16.如权利要求11所述的半导体元件，其中该延伸部的一下表面大致为平坦的。
17.如权利要求11所述的半导体元件，其中该延伸部的一下表面是倾斜的。
18.如权利要求11所述的半导体元件，其中在一顶视图中，该本体部的一中心点与该突出部的一中心点对齐。
19.如权利要求11所述的半导体元件，其中在一顶视图中，该本体部的一中心点与该突出部的一中心点并未对齐。
20.如权利要求11所述的半导体元件，其中该延伸部的一高度与该接触结构的一高度的一高度比在大约0.05至大约0.30之间。
...【技术特征摘要】
1.一种接触结构，包括：
2.如权利要求1所述的接触结构，其中该本体部在一顶视图中具有一正方形剖面轮廓。
3.如权利要求2所述的接触结构，其中该延伸部在一顶视图中具有一正方形环状剖面轮廓。
4.如权利要求1所述的接触结构，其中该本体部在一顶视图中具有一圆形剖面轮廓。
5.如权利要求4所述的接触结构，其中该延伸部在一顶视图中具有一环状剖面轮廓。
6.如权利要求1所述的接触结构，其中该延伸部的该下表面大致为平坦的。
7.如权利要求1所述的接触结构，其中该延伸部的该下表面是倾斜的。
8.如权利要求1所述的接触结构，其中在一顶视图中，该本体部的一中心点与该凹槽的一中心点对齐。
9.如权利要求1所述的接触结构，其中在一顶视图中，该本体部的一中心点与该凹槽的一中心点并未对齐。
10.如权利要求1所述的接触结构，其中该延伸部的一高度与该接触结构的一高度的一高度比在大约0.05至大约0.30之间。
11.一种半导体元件，包...
【专利技术属性】
技术研发人员：蔡镇宇，
申请(专利权)人：南亚科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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