【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及氮化铝陶瓷粗抛，具体为一种用于氮化铝陶瓷粗抛cmp抛光液及其制备方法。
技术介绍
1、氮化铝(aln)是一种新型的半导体材料，具有热导率高、禁带宽度大、化学性能稳定、无毒性等优点，同时与硅相比，它能够达到与其相近的热膨胀系数和优异的机械强度，作为高集成度和高功率器件封装最理想的载板材料，能够满足半导体器件的新需求，在航空航天、汽车、芯片和国防军工中有着良好的应用前景。
2、目前针对氮化铝陶瓷表面平坦化，主要方法是研磨和抛光。研磨过程中使用的磨料有金刚石微粉、碳化硅等，研磨以达到去除线切痕迹为目的，但由于研磨所使用的磨料颗粒硬度较高，研磨后表面损伤严重，无法直接投入使用，故后续还需要抛光进一步处理；抛光主要分为粗抛和精抛两道工序，粗抛是为了快速去除损伤层，进一步降低表面粗糙度，为精抛奠定基础，粗抛要求表面粗糙度为50nm，没有损伤层，而精抛则一般使用硅溶胶，要求其表面粗糙度小于8nm。
技术实现思路
1、针对现有技术的不足，本专利技术提供了一种用于氮化铝陶瓷的cmp抛光液及其制备方法，以解决现有技术中氮化铝陶瓷加工难，表面粗糙度高，抛光时间长等问题。
2、为了实现上述目的，本专利技术提供的技术方案如下：
3、一种用于氮化铝陶瓷的cmp抛光液，其特征在于，所述抛光液组成成分：磨料8％-20％wt，螯合剂0.5％-1.5％wt，分散剂1％-3％wt，增稠剂0.5％-1.5％wt，保湿剂5％-15％wt，表面活性剂0.1％-1.0％wt，p
4、优选的，所述磨料为0.2μmα-氧化铝、0.6μmα-氧化铝、1.0μmα-氧化铝中的一种或几种。
5、优选的，所述螯合剂为乙二胺四乙酸二钠、羟基乙叉二磷酸、葡萄糖酸钠、柠檬酸钠中的一种或几种。
6、优选的，所述分散剂为亚甲基双甲基萘磺酸钠、聚丙烯酸钠、六偏磷酸钠中的一种或几种。
7、优选的，所述增稠剂为羧甲基纤维素钠、硅酸镁锂、羟乙基纤维素钠、聚乙烯吡咯烷酮中的一种或几种。
8、优选的，所述表面活性剂为脂肪醇聚氧乙烯醚、十二烷基硫酸钠、烯丙基磺酸钠、吐温60中的一种或几种。
9、优选的，所述ph调节剂为氢氧化钾、氢氧化铯、三乙醇胺、四羟乙基乙二胺中的一种或几种。
10、优选的，所述保湿剂为聚甘油-10、甘油、山梨醇中的一种或几种。
11、一种用于氮化铝陶瓷的cmp抛光液的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
12、步骤1、称取1％-3％wt的分散剂，加入到84.9％-58％wt的去离子水中并搅拌至完全溶解；
13、步骤2、称取0.5％-1.5％wt的增稠剂，加入到步骤1溶液中搅拌60分钟，使其充分溶解并呈悬浮液状；
14、步骤3、称取0.5％-1.5％wt的螯合剂、0.1％-1％wt的表面活性剂加入步骤2悬浮液中，搅拌20分钟至完全溶解；
15、步骤4、称取5％-15％wt的保湿剂加入步骤3溶液中，搅拌时长设置为30分钟；
16、步骤5、称取8％-20％wt的磨料少量分次加入处浆少量分次加入搅拌状态的步骤4溶液中，使其充分混合均匀，并用ph调节剂调节使得抛光液ph稳定在11.5-12.5；
17、步骤6、将制备所得的浆料用制备的浆料用400目不锈钢筛网过滤，过滤所得即为所述氮化铝陶瓷粗抛光液。
18、与现有技术相比，本专利技术的有益效果为：
19、本专利技术开发一款用于氮化铝陶瓷的抛光液，抛光液的ph为11.5-12.5，表面粗糙度小于22nm，最优表面粗糙度小于15nm，抛光后表面无损伤层，减少精抛的时间，降低成本，提高效率，抛光液对设备的通用性较强，所用原料易处理，对环境无污染。
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1.一种用于氮化铝陶瓷的CMP抛光液，其特征在于，所述抛光液组成成分：磨料8％-20％Wt，螯合剂0.5％-1.5％Wt，分散剂1％-3％Wt，增稠剂0.5％-1.5％Wt，保湿剂5％-15％Wt，表面活性剂0.1％-1.0％Wt，pH调节剂,余量为去离子水。
2.根据权利要求1所述的一种用于氮化铝陶瓷粗抛CMP抛光液，其特征在于：所述磨料为0.2μmα-氧化铝、0.6μmα-氧化铝、1.0μmα-氧化铝中的一种或几种。
3.根据权利要求1所述的一种用于氮化铝陶瓷粗抛CMP抛光液，其特征在于：所述螯合剂为乙二胺四乙酸二钠、羟基乙叉二磷酸、葡萄糖酸钠、柠檬酸钠中的一种或几种。
4.根据权利要求1所述的一种用于氮化铝陶瓷粗抛CMP抛光液，其特征在于：所述分散剂为亚甲基双甲基萘磺酸钠、聚丙烯酸钠、六偏磷酸钠中的一种或几种。
5.根据权利要求1所述的一种用于氮化铝陶瓷粗抛CMP抛光液，其特征在于：所述增稠剂为羧甲基纤维素钠、硅酸镁锂、羟乙基纤维素钠、聚乙烯吡咯烷酮中的一种或几种。
6.根据权利要求1所述的一种用于氮化铝陶瓷粗抛C
7.根据权利要求1所述的一种用于氮化铝陶瓷粗抛CMP抛光液，其特征在于：所述pH调节剂为氢氧化钾、氢氧化铯、三乙醇胺、四羟乙基乙二胺中的一种或几种。
8.根据权利要求1所述的一种用于氮化铝陶瓷粗抛CMP抛光液，其特征在于：所述保湿剂为聚甘油-10、甘油、山梨醇中的一种或几种。
9.一种用于氮化铝陶瓷的CMP抛光液的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
...【技术特征摘要】
1.一种用于氮化铝陶瓷的cmp抛光液，其特征在于，所述抛光液组成成分：磨料8％-20％wt，螯合剂0.5％-1.5％wt，分散剂1％-3％wt，增稠剂0.5％-1.5％wt，保湿剂5％-15％wt，表面活性剂0.1％-1.0％wt，ph调节剂,余量为去离子水。
2.根据权利要求1所述的一种用于氮化铝陶瓷粗抛cmp抛光液，其特征在于：所述磨料为0.2μmα-氧化铝、0.6μmα-氧化铝、1.0μmα-氧化铝中的一种或几种。
3.根据权利要求1所述的一种用于氮化铝陶瓷粗抛cmp抛光液，其特征在于：所述螯合剂为乙二胺四乙酸二钠、羟基乙叉二磷酸、葡萄糖酸钠、柠檬酸钠中的一种或几种。
4.根据权利要求1所述的一种用于氮化铝陶瓷粗抛cmp抛光液，其特征在于：所述分散剂为亚甲基双甲基萘磺酸钠、聚丙烯酸钠、六偏磷酸钠中...
【专利技术属性】
技术研发人员：孙蕊蕊，罗浩宁，姜霁涛，何慧龄，火雅茹，牛娟娟，王海成，高宇柱，
申请(专利权)人：甘肃金阳高科技材料有限公司，
类型：发明
国别省市：
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