【技术实现步骤摘要】
本申请涉及光伏电池，尤其涉及一种低压化学气相沉积镀膜工艺的参数优化方法及其相关装置。
技术介绍
1、在太阳能光伏电池的制造过程中，一般会使用低压化学气相沉积(low pressurechemical vapor deposition，简称lpcvd)工艺进行镀膜，主要用于沉积隧穿氧化层和本征多晶硅层，有利于提高光伏电池效率和稳定性。
2、在实际的工艺过程中，主要通过对lpcvd设备结构进行改进以提高产量，但是对设备机构进行改进较为繁琐，且设备更换周期长，且不利于减少工艺过程中特种气体的消耗量。
技术实现思路
1、为解决或部分解决相关技术中存在的问题，本申请提供一种低压化学气相沉积镀膜工艺的参数优化方法及其相关装置，能够实时调整lpvcd镀膜设备生产过程的工艺参数，减少工艺过程中特种气体的消耗量，能够提高产能。
2、本申请第一方面提供一种压化学气相沉积镀膜工艺的参数优化方法，包括构建膜厚预测模型，所述膜厚预测模型用于指示控制单元的第一工艺参数和所述控制单元的膜厚预测值之间的关系；将所述膜厚预测模型代入目标函数模型，得到所述控制单元的工艺参数优化模型；在约束条件下对所述目标函数模型进行优化，得到满足所述约束条件且所述目标函数模型输出处于第一阈值范围时，所述控制单元的第一工艺参数的最优值。
3、结合第一方面，在第一方面的一种可能的实现方式中，所述第一工艺参数包括时间参数、温度参数、流量参数和压力参数。
4、结合第一方面，在第一方面的一种可能
5、所述膜厚预测模型为：
6、y＝atx+b
7、其中，y为所述控制单元的膜厚预测值，x为所述控制单元的第一工艺参数，at为所述参数影响因子的转置矩阵，b为第一常数。
8、结合第一方面，在第一方面的一种可能的实现方式中，所述工艺参数优化模型为：
9、f(x)＝min q(atx+b-y′)2+p(x-x′)t(x-x′)
10、其中，x为所述控制单元的第一工艺参数，at为所述参数影响因子的转置矩阵，b为第一常数，y′为预期膜厚值，x′为所述控制单元的预期工艺参数，q为第二常数，p为第三常数。
11、结合第一方面，在第一方面的一种可能的实现方式中，所述约束条件包括：所述第一工艺参数小于或等于所述第一工艺参数的上限值，所述第一工艺参数大于或等于所述第一工艺参数的下限值。
12、结合第一方面，在第一方面的一种可能的实现方式中，所述第二常数q大于0.5，所述第三常数p小于0.3。
13、本申请第二方面提供一种低压化学气相沉积镀膜工艺的参数优化装置，包括构建模块，用于构建膜厚预测模型，所述膜厚预测模型用于指示控制单元的第一工艺参数和所述控制单元的膜厚预测值之间的关系；处理模块，用于将所述膜厚预测模型代入目标函数模型，得到所述控制单元的工艺参数优化模型；优化模块，用于在约束条件下对所述目标函数模型进行优化，得到满足所述约束条件且所述目标函数模型输出处于第一阈值范围时，所述控制单元的第一工艺参数的最优值。
14、结合第二方面，在第二方面的一种可能的实现方式中，构建模块还用于获取所述控制单元的第一工艺参数，并根据所述第一工艺参数得到参数影响因子。
15、本申请第三方面提供一种电子设备，包括：
16、处理器；以及
17、存储器，其上存储有可执行代码，当所述可执行代码被所述处理器执行时，使所述处理器执行如上所述的方法。
18、本申请第四方面提供一种计算机可读存储介质，其上存储有可执行代码，当所述可执行代码被电子设备的处理器执行时，使所述处理器执行如上所述的方法。
19、本申请第五方面提供一种计算机程序产品，包括：计算机程序/指令被处理器执行时实现如上所述的方法。
20、本申请提供的技术方案可以包括以下有益效果：
21、本申请的一种低压化学气相沉积镀膜工艺的参数优化方法及其相关装置，包括构建膜厚预测模型，膜厚预测模型用于指示控制单元的第一工艺参数和控制单元的膜厚预测值之间的关系；将膜厚预测模型代入目标函数模型，得到控制单元的工艺参数优化模型；在约束条件下对目标函数模型进行优化，得到满足约束条件且目标函数模型输出处于第一阈值范围时，控制单元的第一工艺参数的最优值，能够实时调整lpvcd镀膜设备的工艺参数，减少工艺过程中特种气体的消耗量，能够提高产能。
22、应当理解的是，以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性和解释性的，并不能限制本申请。
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1.一种低压化学气相沉积镀膜工艺的参数优化方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一工艺参数包括时间参数、温度参数、流量参数和压力参数。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述构建膜厚预测模型，包括：
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述工艺参数优化模型为：
5.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，
6.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述第二常数Q大于0.5，所述第三常数P小于0.3。
7.一种低压化学气相沉积镀膜工艺的参数优化装置，其特征在于，包括：
8.一种计算机程序产品，包括计算机程序/指令，其特征在于，所述计算机程序/指令被处理器执行时实现权利要求1至6任一项所述的方法。
9.一种电子设备，其特征在于，包括：
10.一种计算机可读存储介质，其特征在于：其上存储有可执行代码，当所述可执行代码被电子设备的处理器执行时，使所述处理器执行如权利要求1-6中任一项所述的方法。
【技术特征摘要】
1.一种低压化学气相沉积镀膜工艺的参数优化方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一工艺参数包括时间参数、温度参数、流量参数和压力参数。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述构建膜厚预测模型，包括：
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述工艺参数优化模型为：
5.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，
6.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述第二常数q大于0...
【专利技术属性】
技术研发人员：高源发，王思聪，任振勤，
申请(专利权)人：上海丹捷格智能科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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