【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于太阳能发电，具体涉及一种hbc太阳能电池结构及其制备方法。
技术介绍
1、光伏发电是根据光生伏特效应原理，利用太阳能电池将太阳光能直接转化为电能的系统，其中太阳能电池的基本结构就是一个大面积平面pn 结。在太阳光照射到pn 结上时，pn 结吸收光能激发出电子和空穴，随后在pn 结中产生电压，实现光电的转换。因此，在晶硅电池中实现太阳光能和电能转换的核心结构即为 pn 结。
2、随着perc电池逐渐逼近24.5%的极限效率，业内开始寻求下一代晶硅电池技术，目前主流推进的有topcon（隧穿氧化层钝化接触）、hjt（异质结）、ibc（指叉背接触）技术，与topcon和hjt这种通过改变钝化方式提升电池效率的思路不同，ibc电池是通过将电池栅线全部转移到背面，减少栅线遮光面积，提升电流密度，增加电池效率。ibc电池为平台技术，与topcon技术叠加为tbc，与hjt技术叠加为hbc。
3、但是hbc电池存在非晶叉指排列结构制备困难的缺陷，这是由于传统激光开膜较难准确定位开膜区开膜深度，同时非晶钝化易受激光开膜损伤导致的。
4、因此，如何提供一种易于激光加工定位同时对非晶硅损伤小的hbc电池制备方法是本领域亟需解决的技术问题。
5、需要说明的是，本
技术介绍
部分中公开的以上信息仅用于理解本申请构思的
技术介绍
，因此，并不认为上述描述构成现有技术的信息。
技术实现思路
1、本公开实施例至少提供一种hbc太阳能电池结构及其制备方法。p>
2、第一方面，本公开实施例提供了一种hbc太阳能电池的制备方法，包括如下步骤：步骤s1，对硅片进行双面抛光，制备带有润滑碱抛光塔基形貌的洁净硅片表面；步骤s2，对硅片的背面由上至下沉积一层i：a-si层，对被沉积面进行hpt清洗后再由上至下沉积p：a-si层；步骤s3，对硅片的背面的p区进行激光氧化形成图形化氧化硅掩膜；步骤s4，对硅片的背面无掩膜区进行碱抛清洗并腐蚀得到硅基；步骤s5，对硅片的背面由上至下沉积一层i：a-si层，对被沉积面进行hpt清洗后再由上至下沉积n：a-si层；步骤s6，对硅片的背面的n区进行激光氧化形成图形化氧化硅掩膜；步骤s7，在硅片的正面形成金字塔绒面，同时去除硅片的背面氧化硅掩膜；步骤s8，在硅片的正面制备fsf场钝化区，并在正面沉积叠层渐变氮化硅减反射钝化膜，在背面沉积tco透明导电膜；步骤s9，在硅片的背面进行激光刻蚀将n区与p区隔离，并制备出叉指排列结构；步骤s10，在硅片的背面的n区和p区的tco透明导电膜处印刷金属浆料，形成金属电极完成hbc电池的制备。
3、在一种可选的实施方式中，所述步骤s1中抛光后的硅片表面反射率为30-40%；所述塔基的大小为3-8μm。
4、在一种可选的实施方式中，所述步骤s2中i：a-si层的厚度为2-10nm；所述p：a-si层包括p：a-si分层和p-uc-sioxcy分层；其中所述p：a-si分层的厚度为10-20nm，掺杂浓度为1e+18cm-3～5e+18cm-3：所述p-uc-sioxcy分层的厚度为20-50nm，掺杂浓度为5e+18cm-3～2e+19cm-3。
5、在一种可选的实施方式中，所述步骤s3中氧化硅掩膜的厚度为5-15nm，氧化区域的宽度为150-500μm；所述步骤s6中氧化硅掩膜的厚度为5-15nm，氧化区域的宽度为150-500μm。
6、在一种可选的实施方式中，所述步骤s4中被腐蚀区的反射率为35-45%；被腐蚀区的塔基大小为8-15μm；被腐蚀区的腐蚀深度为0.5-2μm。
7、在一种可选的实施方式中，所述步骤s5中i：a-si层的厚度为2-10nm；所述n：a-si层包括n：a-si分层和n-uc-si分层；其中所述n：a-si分层的厚度为10-20nm，掺杂浓度为1e+18cm-3～5e+18cm-3：所述n-uc-si分层的厚度为20-50nm，掺杂浓度为5e+18cm-3～2e+19cm-3。
8、在一种可选的实施方式中，所述步骤s7中绒面的反射率为9-12%。
9、在一种可选的实施方式中，所述步骤s8中fsf场钝化区的掺杂浓度为1e+18cm-3～1e+19cm-3；所述叠层渐变氮化硅减反射钝化膜的厚度为75nm-105nm，折射率为1.8-2.2；所述tco透明导电膜的厚度为70nm-150nm，方阻为50-120。
10、在一种可选的实施方式中，所述步骤s9中刻蚀具体为刻蚀硅片背面的p区和n区交界处的tco透明导电膜、n：a-si分层和n-uc-si分层，保留i：a-si层；刻蚀的宽度为10-50μm。
11、第二方面，本公开实施例还提供一种采用如前所述的方法制备得到的hbc太阳能电池结构，所述电池的正面为叠层渐变氮化硅减反射钝化膜，且在正面注入p制备n+区后形成n+/fsf层的高低结场钝化结构；所述电池的背面的p区掺杂非晶硅形成p-uc-sioxcy分层；所述电池的背面p区为低反射碱抛塔基形貌，n区为高反射碱抛塔基形貌。
12、本专利技术的有益效果是，本hbc太阳能电池结构及其制备方法通过在n区和p区采用不同形貌的基底制备非晶叉指排列结构，降低了激光刻蚀的难度，提高了工艺窗口减少了电池漏电风险；同时基于激光氧化技术制备非晶硅掩膜将“激光氧化-湿法刻蚀”工艺替代传统的“掩膜制备-激光刻蚀-湿法刻蚀”，极大简化了工艺流程，提升了制程洁净度还降低了激光刻蚀对非晶钝化的损伤，提升了电池效率。
13、本专利技术的其他特征和优点将在随后的说明书中阐述，并且，部分地从说明书中变得显而易见，或者通过实施本专利技术而了解。本专利技术的目的和其他优点在说明书、权利要求书以及附图中所特别指出的结构来实现和获得。
14、为使本专利技术的上述目的、特征和优点能更明显易懂，下文特举较佳实施例，并配合所附附图，作详细说明如下。
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1.一种HBC太阳能电池的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
2.如权利要求1所述的HBC太阳能电池的制备方法，其特征在于：
3.如权利要求1所述的HBC太阳能电池的制备方法，其特征在于：
4.如权利要求1所述的HBC太阳能电池的制备方法，其特征在于：
5.如权利要求1所述的HBC太阳能电池的制备方法，其特征在于：
6.如权利要求1所述的HBC太阳能电池的制备方法，其特征在于：
7.如权利要求1所述的HBC太阳能电池的制备方法，其特征在于：
8.如权利要求1所述的HBC太阳能电池的制备方法，其特征在于：
9.如权利要求1所述的HBC太阳能电池的制备方法，其特征在于：
10.一种采用如权利要求1-9任一项所述的方法制备得到的HBC太阳能电池结构，其特征在于，
【技术特征摘要】
1.一种hbc太阳能电池的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
2.如权利要求1所述的hbc太阳能电池的制备方法，其特征在于：
3.如权利要求1所述的hbc太阳能电池的制备方法，其特征在于：
4.如权利要求1所述的hbc太阳能电池的制备方法，其特征在于：
5.如权利要求1所述的hbc太阳能电池的制备方法，其特征在于：
6.如权...
【专利技术属性】
技术研发人员：刘奇尧，潘家彦，
申请(专利权)人：常州比太科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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