【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种成膜方法、成膜装置、基座及α-氧化镓膜。
技术介绍
1、作为能够在低温、大气压下形成外延膜等的方法，已知雾气cvd法等采用水微粒子的成膜方法。
2、专利文献1公开了将载置于大致半圆形的基座上的基板倾斜地设置在卧式炉内以进行成膜的装置。
3、专利文献2公开了将原料雾气水平供给至固定在被称为微细流道的扁平形状的流道上的基板，从而进行成膜的成膜装置。
4、专利文献3公开了将具备原料溶液喷射部和排气部的成膜喷嘴配置为面对基板的膜形成面，一边与基板平行移动一边进行成膜的成膜装置。
5、另外，专利文献4利用载气将原料雾气输送至反应容器内，并进一步产生旋流，从而使雾气与基板发生反应的成膜方法。
6、现有技术文献
7、专利文献
8、专利文献1：日本特开2016-27636号公报
9、专利文献2：日本特开2013-28480号公报
10、专利文献3：国际公开第2016/051559号
11、专利文献4：日本特开2016-146442号公报
技术实现思路
1、专利技术要解决的课题
2、但是，这些以往的成膜装置存在粉体的产生及粘附显著，在膜中引入大量缺陷，或者因膜的异常生长导致产生浑浊的问题。
3、本专利技术是为了解决上述问题而做出的，其目的在于，提供能够在大直径基板的表面均匀且稳定地制造高质量的膜的成膜方法、成膜装置及基座。
4、
5、解决课题的手段
6、本专利技术是为了实现上述目的而做出的，提供了一种成膜方法，其特征在于，包括以下步骤：将原料溶液雾化以形成原料雾气；将所述原料雾气与载气混合以形成混合气体；将基板载置在基座的载置部上；从雾化手段向所述基板供给所述混合气体并通过热反应在所述基板上进行成膜；以及通过排气手段排出所述成膜后的混合气体；在从雾化手段向所述基板供给所述混合气体并通过热反应在所述基板上进行成膜的步骤中，将所述混合气体的至少一部分从与所述载置部相邻且表面粗糙度为200μm以下的平滑部供给至所述基板的表面。
7、根据这样的成膜方法，能够在大直径基板的表面均匀且稳定地制造高质量的膜。详细而言，如果是这样的成膜方法，由于包含原料雾气的混合气体以维持层流的状态供给至基板，能够抑制粉体的产生及异常生长，因此能够在大直径基板的表面稳定地制造高质量的膜。
8、此时，所述表面粗糙度能够设定为150μm以下。
9、由此，能够更均匀且更稳定地制造出更高质量的膜。
10、此时，所述平滑部的表面与载置于所述载置部的所述基板的表面之间的高低差能够设定为-1mm以上且+1mm以下。
11、由此，能够使所述混合气体更稳定地维持层流，能够稳定且均匀地制造高质量的膜。
12、此时，所述平滑部的表面和所述混合气体的流入所述平滑部的方向之间形成的角度能够设定为0°以上且60°以下。
13、由此，能够有效抑制粉体的产生，进一步地能够更稳定地制造高质量的膜。
14、本专利技术是为了实现上述目的而做出的，提供一种成膜装置，其特征在于，具备：载气供给手段，供给载气；雾化手段，使原料溶液雾化而产生原料雾气；成膜部，将所述原料雾气和所述载气混合的混合气体供给至基板而进行成膜；以及加热手段，能够加热所述基板；所述成膜部具有基座，该基座具有载置所述基板的载置部，所述基座具有与所述载置部相邻的平滑部，至少一部分所述混合气体流过该平滑部，所述平滑部的表面粗糙度为200μm以下。
15、根据这样的成膜装置，能够在大直径基板的表面均匀且稳定地制造高质量的膜。详细而言，如果是这样的成膜装置，由于含有原料雾气的混合气体以维持层流的状态被供给至基板，因此能够抑制粉体的产生及异常生长，从而能够在大直径基板的表面稳定地制造高质量的膜。
16、此时，所述表面粗糙度能够设定为150μm以下。
17、由此，能够更均匀且更稳定地制造出更高质量的膜。
18、此时，所述平滑部的表面与载置于所述载置部的所述基板的表面之间的高低差能够设定为-1mm以上且+1mm以下。
19、由此，能够使所述混合气体更稳定地维持层流，从而能够稳定且均匀地制造高质量的膜。
20、此时，所述平滑部的表面和所述混合气体的流入所述平滑部的方向之间形成的角度能够设定为0°以上且60°以下。
21、由此，能够有效抑制粉体的产生，进一步地能够更稳定地制造高质量的膜。
22、本专利技术是为了实现上述目的而做出的，提供一种基座，其特征在于，该基座具有在成膜装置中载置所述基板的载置部，所述成膜装置具备：载气供给手段，供给载气；雾化手段，使原料溶液雾化而产生原料雾气；成膜部，将所述原料雾气和所述载气混合的混合气体供给至基板而进行成膜；以及加热手段，能够加热所述基板，所述基座具备与所述载置部相邻的平滑部，至少一部分所述混合气体流过该平滑部，所述平滑部的表面粗糙度为200μm以下。
23、根据这样的基座，能够在大直径基板的表面均匀且稳定地制造高质量的膜。详细而言，如果是这样的基座，由于含有原料雾气的混合气体以维持层流的状态被供给至基板，因此能够抑制粉体的产生及异常生长，从而能够在大直径基板的表面稳定地制造高质量的膜。
24、此时，所述表面粗糙度能够设定为150μm以下。
25、由此，能够更均匀且更稳定地制造出更高质量的膜。
26、此时，所述平滑部的表面粗糙度为200μm以下，并且所述平滑部的表面与载置在所述载置部的所述基板的表面之间的高低差能够设定为-1mm以上且+1mm以下。
27、由此，能够更均匀且更稳定地制造出更高质量的膜。
28、本专利技术是为了实现上述目的而做出的，提供了一种α-氧化镓膜，其特征在于，在直径为4英寸以上的c面蓝宝石基板的大致整个表面上形成，所述α-氧化镓膜的(0006)面x射线衍射峰的摇摆曲线的半宽为9.5秒以下，并且膜厚分布为±9％以下。
29、由此，成为晶体取向性好、膜厚分布良好的高质量的α-氧化镓膜。
30、本专利技术是为了实现上述目的而做出的，提供了一种α-氧化镓膜，其特征在于，在直径为4英寸以上的c面蓝宝石基板的大致整个表面上形成，异物密度为1.1cm-2以下，并且膜厚分布为±9％以下。
31、由此，成为异物密度低、膜厚分布良好的高质量的α-氧化镓膜。
32、专利技术的效果
33、如上所述，根据本专利技术的成膜方法，能够稳定地制造高质量的膜，并且能够进行高生产率的成膜。
34、根据本专利技术的成膜装置及基座能够稳定地制造高质量的膜，能够进行高生产率的成膜。
35、如上所述，根据本专利技术的α-氧化镓膜，比以往具有更高的质量。
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1.一种成膜方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的成膜方法，其特征在于，
3.根据权利要求1或2所述的成膜方法，其特征在于，
4.根据权利要求1或2所述的成膜方法，其特征在于，
5.一种成膜装置，其特征在于，具备：
6.根据权利要求5所述的成膜装置，其特征在于，
7.根据权利要求5或6所述的成膜装置，其特征在于，
8.根据权利要求5或6所述的成膜装置，其特征在于：
9.一种基座，其特征在于，所述基座具有在成膜装置载置所述基板的载置部，
10.根据权利要求9所述的基座，其特征在于，
11.根据权利要求9所述的基座，其特征在于，
12.一种α-氧化镓膜，其特征在于，在直径为4英寸以上的c面蓝宝石基板的大致整个表面上形成所述α-氧化镓膜的(0006)面X射线衍射峰的摇摆曲线的半宽为9.5秒以下，并且膜厚分布为±9％以下。
13.一种α-氧化镓膜，其特征在于，
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种成膜方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的成膜方法，其特征在于，
3.根据权利要求1或2所述的成膜方法，其特征在于，
4.根据权利要求1或2所述的成膜方法，其特征在于，
5.一种成膜装置，其特征在于，具备：
6.根据权利要求5所述的成膜装置，其特征在于，
7.根据权利要求5或6所述的成膜装置，其特征在于，
8.根据权利要求5或6所述的成膜装置，其特征在于...
【专利技术属性】
技术研发人员：桥上洋，
申请(专利权)人：信越化学工业株式会社，
类型：发明
国别省市：
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