芯片电极及正装LED芯片制造技术

技术编号：44890957 阅读：8 留言：0更新日期：2025-04-08 00:28

本发明专利技术公开了一种芯片电极及正装LED芯片，所述芯片电极包括依次层叠的欧姆接触层、反射层、第一阻挡层、复合层、第二阻挡层和打线层，所述复合层包括导电层和保护层，所述保护层设于所述第一阻挡层与所述导电层之间，和/或，所述保护层设于所述导电层与所述第二阻挡层之间；所述导电层为Cu层和/或Cu合金层；所述保护层的材料为标准电极电势低于Cu的金属。实施本发明专利技术，可以在保证芯片电极可靠性的同时降低芯片电极的制作成本。

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【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体，尤其涉及一种芯片电极及正装led芯片。

技术介绍

1、现有的正装led芯片的电极一般包括欧姆接触层、反射层、包覆层和打线层，反射层一般为al层，包覆层一般为ti/pt层或ni/pt层，打线层一般为惰性且导电性良好的au层。为了提高芯片的电流传导性，降低芯片电压，一般需要将打线层的厚度设置在1μm～3μm之间，较厚的打线层显著增加了芯片的成本。此外，包覆层中使用的贵金属pt也会造成芯片成本的增加。但是仅用ag、al等相对低价的金属代替au制作打线层，难以保证芯片制作流程中芯片电极的稳定性及可靠性。

技术实现思路

1、本专利技术所要解决的技术问题在于，提供一种芯片电极及正装led芯片，保证芯片电极可靠性的同时降低芯片电极的制作成本。

2、为了解决上述问题，本专利技术公开了一种芯片电极，包括依次层叠的欧姆接触层、反射层、第一阻挡层、复合层、第二阻挡层和打线层，所述复合层包括导电层和保护层，所述保护层设于所述第一阻挡层与所述导电层之间，和/或，所述保护层设于所述导电层与所述第二阻挡层之间；

3、所述导电层为cu层和/或cu合金层；所述保护层的材料为标准电极电势低于cu的金属。

4、作为上述技术方案的改进，所述导电层的厚度为1000nm～1500nm。

5、作为上述技术方案的改进，所述cu合金中，合金金属为标准电极电势低于cu的金属；

6、所述合金金属为cr、ti、al、ni、zn、sn、mg中的一种或多种；</p>

7、作为上述技术方案的改进，所述合金金属的质量占比为2％～15％。

8、作为上述技术方案的改进，所述保护层包括cr层、ti层、al层、ni层、zn层、sn层、mg层中任意一种或多种的组合。

9、作为上述技术方案的改进，所述保护层的厚度为100nm～300nm；所述保护层的厚度与所述导电层的厚度比为1:(3～6.5)。

10、作为上述技术方案的改进，所述打线层包括au层、al层、ag层中任意一种或多种的组合，所述打线层的厚度为3nm～500nm。

11、作为上述技术方案的改进，所述第一阻挡层包括cr层、ti层、ni层中任意一种或多种的组合，所述第一阻挡层的厚度为100nm～800nm；

12、所述第二阻挡层包括cr层、ti层、ni层中任意一种或多种的组合，所述第二阻挡层的厚度为100nm～800nm。

13、作为上述技术方案的改进，所述欧姆接触层包括cr层、ti层、ni层中任意一种或多种的组合，所述欧姆接触层的厚度为0.5nm～20nm；

14、所述反射层包括al层、ag层、mg层中任意一种或多种的组合，所述反射层的厚度为50nm～300nm。

15、相应的，本专利技术还公开了一种正装led芯片，所述正装led芯片包括上述的芯片电极。

16、实施本专利技术，具有如下有益效果：本专利技术通过在反射层和打线层之间设置复合层，其中，复合层包括cu导电层和/或cu合金导电层，金属铜的价格低且具有优异的机械性能、导电性能及导热性能，可以对电流进行有限扩展，复合层还包括保护层，用以保护导电层，防止保护层被电化学腐蚀，进而提高电极的抗高温高湿能力。本专利技术的芯片电极可以在降低打线层厚度的同时提高反射层的质量，从而改善芯片电极的导电效果，提高芯片电极的可靠性，降低正装led芯片的工作电压，提高正装led芯片的光电转换效率。

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【技术保护点】

1.一种芯片电极，其特征在于，包括依次层叠的欧姆接触层、反射层、第一阻挡层、复合层、第二阻挡层和打线层，所述复合层包括导电层和保护层，所述保护层设于所述第一阻挡层与所述导电层之间，和/或，所述保护层设于所述导电层与所述第二阻挡层之间；

2.如权利要求1所述的芯片电极，其特征在于，所述导电层的厚度为1000nm～1500nm。

3.如权利要求1所述的芯片电极，其特征在于，所述Cu合金中，合金金属为标准电极电势低于Cu的金属；

4.如权利要求3所述的芯片电极，其特征在于，所述合金金属的质量占比为2％～15％。

5.如权利要求1所述的芯片电极，其特征在于，所述保护层包括Cr层、Ti层、Al层、Ni层、Zn层、Sn层、Mg层中任意一种或多种的组合。

6.如权利要求1所述的芯片电极，其特征在于，所述保护层的厚度为100nm～300nm；所述保护层的厚度与所述导电层的厚度比为1:(3～6.5)。

7.如权利要求1所述的芯片电极，其特征在于，所述打线层包括Au层、Al层、Ag层中任意一种或多种的组合，所述打线层的厚度为3nm～500nm。

8.如权利要求1所述的芯片电极，其特征在于，所述第一阻挡层包括Cr层、Ti层、Ni层中任意一种或多种的组合，所述第一阻挡层的厚度为100nm～800nm；

9.如权利要求1所述的芯片电极，其特征在于，所述欧姆接触层包括Cr层、Ti层、Ni层中任意一种或多种的组合，所述欧姆接触层的厚度为0.5nm～20nm；

10.一种正装LED芯片，其特征在于，所述正装LED芯片包括如权利要求1～9任一项所述的芯片电极。

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【技术特征摘要】

2.如权利要求1所述的芯片电极，其特征在于，所述导电层的厚度为1000nm～1500nm。

3.如权利要求1所述的芯片电极，其特征在于，所述cu合金中，合金金属为标准电极电势低于cu的金属；

4.如权利要求3所述的芯片电极，其特征在于，所述合金金属的质量占比为2％～15％。

5.如权利要求1所述的芯片电极，其特征在于，所述保护层包括cr层、ti层、al层、ni层、zn层、sn层、mg层中任意一种或多种的组合。

6.如权利要求1所...

【专利技术属性】
技术研发人员：张星星，张亚，张雪，胡加辉，金从龙，
申请(专利权)人：江西兆驰半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：

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