【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及传感器领域，更具体地，涉及一种双层硅基加速度计及其制造方法。
技术介绍
1、硅加速度计为采用mems加工工艺制作的可将输入加速度成比例的转化为输出（通常为电参数）的传感器。其中电容式mems加速度计的基础结构是质量块与固定电极组成电容，当加速度使质量块产生位移时，电容的极板面积或者间距会发生改变，从而通过测量电容实现对加速度的测量。电容式mems加速度计已经广泛应用于仪器测量、无线通信、能源环境、生物医学、军事国防、航空航天、汽车电子以及消费电子等多个领域。
2、基于不同的应用场景与需求，硅加速度计具有不同的结构与工艺流程，但多数存在全温性能差、加工流程复杂等问题，严重影响硅加速度计的产品性能与加工周期。
技术实现思路
1、为了解决以上问题，本专利技术提供了一种双层硅基加速度计及其制造方法。
2、根据本专利技术的一方面，提供了一种双层硅基加速度计的制造方法，包括第一步骤和第二步骤，其中，第一步骤包括：在第一衬底的固支层的表面形成二氧化硅键合层；将二氧化硅键合层进行图案化处理；将二氧化硅键合层形成的图案进行刻蚀处理，形成键合锚点，第二步骤包括：基于键合锚点，将第一衬底的二氧化硅键合层与第二衬底的功能层硅硅键合，形成双层结构； 将功能层进行减薄处理；将经过减薄处理的功能层进行图案化和刻蚀处理，获得双层硅基加速度计结构；将双层硅基加速度计结构进行表面处理，在双层硅基加速度计结构的表面形成电极层，其中，第一衬底和第二衬底为硅片，固支层和功能层为硅层。<...
【技术保护点】
1.一种双层硅基加速度计的制造方法，其特征在于，包括第一步骤和第二步骤，其中，
2.根据权利要求1所述的双层硅基加速度计的制造方法，其特征在于，通过热氧化或PECVD工艺，在所述固支层的表面形成所述二氧化硅键合层。
3.根据权利要求1所述的双层硅基加速度计的制造方法，其特征在于，通过干法刻蚀或湿法刻蚀工艺，将所述二氧化硅键合层形成的图案进行刻蚀处理。
4.根据权利要求1所述的双层硅基加速度计的制造方法，其特征在于，所述表面处理包括溅射或蒸镀。
5.根据权利要求4所述的双层硅基加速度计的制造方法，其特征在于，通过完全覆盖或部分覆盖的方式，在所述双层硅基加速度计结构的表面形成电极层。
6.一种双层硅基加速度计的制造方法，其特征在于，包括第一步骤和第二步骤，其中，
7.根据权利要求6所述的双层硅基加速度计的制造方法，其特征在于，通过热氧化或PECVD工艺，在所述固支层的表面形成所述二氧化硅键合层。
8.根据权利要求6所述的双层硅基加速度计的制造方法，其特征在于，通过干法刻蚀或湿法刻蚀工艺，将所述二氧化硅
9.根据权利要求6所述的双层硅基加速度计的制造方法，其特征在于，所述表面处理包括溅射或蒸镀。
10.一种双层硅基加速度计，其特征在于，所述双层硅基加速度计是根据权利要求1至9中任一项所述的双层硅基加速度计的制造方法而制造的。
...【技术特征摘要】
1.一种双层硅基加速度计的制造方法，其特征在于，包括第一步骤和第二步骤，其中，
2.根据权利要求1所述的双层硅基加速度计的制造方法，其特征在于，通过热氧化或pecvd工艺，在所述固支层的表面形成所述二氧化硅键合层。
3.根据权利要求1所述的双层硅基加速度计的制造方法，其特征在于，通过干法刻蚀或湿法刻蚀工艺，将所述二氧化硅键合层形成的图案进行刻蚀处理。
4.根据权利要求1所述的双层硅基加速度计的制造方法，其特征在于，所述表面处理包括溅射或蒸镀。
5.根据权利要求4所述的双层硅基加速度计的制造方法，其特征在于，通过完全覆盖或部分覆盖的方式，在所述双层硅基加速度计结构的表面形成电极层。
【专利技术属性】
技术研发人员：孙圣，原毅，廖兴才，尚帅，史玮婷，王天宇，马野，田志永，谷华锋，张琳琳，
申请(专利权)人：北京晨晶电子有限公司，
类型：发明
国别省市：
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