【技术实现步骤摘要】
本申请涉及半导体显示，尤其涉及一种oled强微腔阳极结构及其制备方法、显示面板。
技术介绍
1、rgb三色因波长不同，在阳极与阴极之间相对厚度不同(光程差)，导致出光效率不同，因此，传统的r/g/b子像素采用相同厚度的阳极，已经无法满足高亮度、高色域的要求。为了提升oled器件的效能和光色，一般会采用强微腔共振的器件结构，即r/g/b子像素阳极厚度各不相同，从而获得不同的腔长，匹配rgb不同颜色的波长。参考图1，通过在金属电极上叠加不同厚度的透明导电层，对r/g/b子像素的阳极厚度进行差异化管理，但是，图1所示的结构容易引起oled功能层和阴极层的断路，良品率低。
技术实现思路
1、本申请实施例提供一种oled强微腔阳极结构及其制备方法、显示面板，实现了强微腔共振结构的平坦化，在有效提升oled器件的效能和光色的同时，降低了器件内各功能层的断路风险，提高了产品良率。
2、第一方面，本申请实施例提供了一种oled强微腔阳极结构，包括：
3、基板；
4、在所述基板上间隔设置的阳极，所述阳极包括：金属电极和位于所述金属电极上的透明导电层，不同颜色子像素对应的所述金属电极具有不同的高度，不同所述金属电极上的透明导电层的上表面均处于同一高度；以及，
5、设置在相邻阳极之间的像素定义层。
6、可选地，所述oled强微腔阳极结构还包括：位于所述金属电极和所述透明导电层之间的高透过率薄膜层；所述高透过率薄膜层由高透过率的介电材料制备而成，
7、可选地，所述oled强微腔阳极结构还包括：覆盖在所述基板和所述金属电极上的高透过率薄膜层；所述高透过率薄膜层由高透过率的介电材料制备而成，所述透明导电层位于所述高透过率薄膜层上，所述高透过率薄膜层上设置有直达所述金属电极的贯通开口，所述透明导电层还填充于所述贯通开口内，使得所述透明导电层与所述金属电极导通。
8、可选地，所述高透过率薄膜层的上表面均处于同一高度。
9、可选地，所述介电材料为sio。
10、第二方面，本申请实施例提供了一种显示面板，包括：
11、第一方面中的任意一种oled强微腔阳极结构；
12、位于oled强微腔阳极结构上方的oled功能层、阴极层和薄膜封装层。
13、第三方面，本申请实施例提供了一种oled强微腔阳极结构的制备方法，所述方法用于制备第一方面中的任意一种oled强微腔阳极结构，所述方法包括：
14、在基板上制备间隔设置且具有不同高度的金属电极；
15、在所述金属电极上沉积透明导电材料，并对所述透明导电材料形成的沉积层进行平坦化处理，以获得透明导电层；
16、沉积介电材料，对所述介电材料形成的沉积层进行曝光显影刻蚀处理，以获得用于阻隔相邻阳极的像素定义层。
17、第四方面，本申请实施例提供了一种oled强微腔阳极结构的制备方法，所述方法用于制备第一方面中的任意一种oled强微腔阳极结构，所述方法包括：
18、在基板上制备间隔设置且具有不同高度的金属电极；
19、在包含所述金属电极的基板上沉积高透过率的介电材料，以获得高透过率薄膜层；
20、对所述高透过率薄膜层进行曝光显影刻蚀处理，以在所述高透过率薄膜层上形成直达所述金属电极的贯通开口；
21、在所述高透过率薄膜层上方沉积透明导电材料，并对所述透明导电材料形成的沉积层进行平坦化处理，以获得透明导电层；
22、对所述透明导电层进行曝光显影刻蚀处理，使得位于不同金属电极上方的透明导电层彼此断开；
23、沉积介电材料，对所述介电材料形成的沉积层进行曝光显影刻蚀处理，以获得用于阻隔相邻阳极的像素定义层。
24、第五方面，本申请实施例提供了一种oled强微腔阳极结构的制备方法，所述方法用于制备第一方面中的任意一种oled强微腔阳极结构，所述方法包括：
25、在基板上制备间隔设置且具有不同高度的金属电极；
26、在包含所述金属电极的基板上沉积高透过率的介电材料，并对所述高透过率的介电材料形成的沉积层进行平坦化处理，以获得高透过率薄膜层；
27、对所述高透过率薄膜层进行曝光显影刻蚀处理，以在所述高透过率薄膜层上形成直达所述金属电极的贯通开口；
28、在所述高透过率薄膜层上沉积透明导电层；
29、对所述透明导电层进行曝光显影刻蚀处理，使得位于不同金属电极上方的透明导电层彼此断开；
30、沉积介电材料，对所述介电材料形成的沉积层进行曝光显影刻蚀处理，以获得用于阻隔相邻阳极的像素定义层。
31、可选地，所述对所述高透过率的介电材料形成的沉积层进行平坦化处理，具体包括：使用化学机械抛光cmp工艺对高透过率材料形成的沉积层进行平坦化处理。
32、本申请实施例提供的oled强微腔阳极结构及其制备方法、显示面板，通过为不同颜色子像素配置不同高度的金属电极以及平坦化处理，实现了强微腔共振结构的平坦化，在有效提升oled器件的效能和光色的同时，降低了器件内各功能层的断路风险，提高了产品良率。进一步地，通过在金属电极和透明导电层之间增加高透过率薄膜层，可提高光在器件中的透过率，进而提高出光效率。
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1.一种OLED强微腔阳极结构，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的OLED强微腔阳极结构，其特征在于，所述OLED强微腔阳极结构还包括：位于所述金属电极和所述透明导电层之间的高透过率薄膜层；所述高透过率薄膜层由高透过率的介电材料制备而成，所述高透过率薄膜层上设置有直达所述金属电极的贯通开口，所述透明导电层还填充于所述贯通开口内，使得所述透明导电层与所述金属电极导通。
3.根据权利要求1所述的OLED强微腔阳极结构，其特征在于，所述OLED强微腔阳极结构还包括：覆盖在所述基板和所述金属电极上的高透过率薄膜层；所述高透过率薄膜层由高透过率的介电材料制备而成，所述透明导电层位于所述高透过率薄膜层上，所述高透过率薄膜层上设置有直达所述金属电极的贯通开口，所述透明导电层还填充于所述贯通开口内，使得所述透明导电层与所述金属电极导通。
4.根据权利要求2或3所述的OLED强微腔阳极结构，其特征在于，所述高透过率薄膜层的上表面均处于同一高度。
5.根据权利要求2或3所述的OLED强微腔阳极结构，其特征在于，所述介电材料为SiO。
<...【技术特征摘要】
1.一种oled强微腔阳极结构，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的oled强微腔阳极结构，其特征在于，所述oled强微腔阳极结构还包括：位于所述金属电极和所述透明导电层之间的高透过率薄膜层；所述高透过率薄膜层由高透过率的介电材料制备而成，所述高透过率薄膜层上设置有直达所述金属电极的贯通开口，所述透明导电层还填充于所述贯通开口内，使得所述透明导电层与所述金属电极导通。
3.根据权利要求1所述的oled强微腔阳极结构，其特征在于，所述oled强微腔阳极结构还包括：覆盖在所述基板和所述金属电极上的高透过率薄膜层；所述高透过率薄膜层由高透过率的介电材料制备而成，所述透明导电层位于所述高透过率薄膜层上，所述高透过率薄膜层上设置有直达所述金属电极的贯通开口，所述透明导电层还填充于所述贯通开口内，使得所述透明导电层与所述金属电极导通。
4.根据...
【专利技术属性】
技术研发人员：请求不公布姓名，请求不公布姓名，请求不公布姓名，请求不公布姓名，请求不公布姓名，
申请(专利权)人：湖畔光芯半导体江苏有限公司，
类型：发明
国别省市：
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