System.ArgumentOutOfRangeException: 索引和长度必须引用该字符串内的位置。 参数名: length 在 System.String.Substring(Int32 startIndex, Int32 length) 在 zhuanliShow.Bind() 具有气体回收系统的等离子体处理系统技术方案_技高网

具有气体回收系统的等离子体处理系统技术方案

技术编号:44885935 阅读:14 留言:0更新日期:2025-04-08 00:21
提供可附接至半导体处理室的气体回收系统。膜过滤系统与该半导体处理室流体连接,该膜过滤系统包含至少一个气体分离膜,其中该至少一个气体分离膜过滤来自该半导体处理室的加压废气以从该加压废气分离至少一种气体。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】


技术介绍

1、本公开内容涉及半导体设备的制造。更具体来说,本公开内容涉及用于半导体设备制造中的晶片处理系统。

2、在半导体晶片处理期间使用不同的气体,例如处理气体、热交换气体、气体载体、真空泄漏检测气体、以及气体管线清扫气体。这些气体中的一些为有限的资源和/或是昂贵的。

3、这里提供的背景描述是为了总体呈现本公开的背景的目的。在在本背景部分中描述的信息以及在提交申请时不能确定为现有技术的说明书的各方面既不明确也不暗示地承认是针对本公开的现有技术。


技术实现思路

1、为实现上述目的并按照本公开的目的,提供了能附接至半导体处理室的气体回收系统。膜过滤系统与该半导体处理室流体连接,该膜过滤系统包含至少一个气体分离膜,其中该至少一个气体分离膜过滤来自该半导体处理室的加压废气以从该加压废气分离出至少一种气体。

2、在另一表现形式(manifestation)中,提供了一种用于处理衬底的装置。提供了用于处理衬底的处理室。进气口供给气体到该处理室中。气体源供给该气体至该进气口。排放泵从该处理室泵出废气。膜过滤系统适用于接收来自该排放泵的废气,其中该膜过滤系统包含至少一个气体分离膜,其中该至少一个气体分离膜过滤该废气以从该废气分离出至少一种气体。

3、在另一表现形式中,提供了一种用于处理在半导体处理室中的衬底的方法。气体从气体源供给至该半导体处理室。废气经由排放泵从该半导体处理室泵送至包含至少一个气体分离膜的膜过滤系统。至少一种气体利用至少一个气体分离膜从该废气中分离。

4、本公开内容的这些特征和其它特征将在下面在详细描述中并结合以下附图进行更详细的描述。

本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种能附接至半导体处理室的气体回收系统,所述气体回收系统包含:

2.根据权利要求1所述的气体回收系统,其中所述膜过滤系统从所述加压的废气中过滤氦、氢和氖中的至少一者。

3.根据权利要求2所述的气体回收系统,其还包含:H2分离系统,其用于由氢和氧形成水以及将所述水与氦分离。

4.根据权利要求3所述的气体回收系统,其还包含:水回收系统,其用于利用在所述半导体处理室中与所述氦分离的水。

5.根据权利要求1所述的气体回收系统,其中所述膜过滤系统还包含:网状过滤器,其中所述网状过滤器过滤掉颗粒。

6.根据权利要求5所述的气体回收系统,其还包含:清扫系统,其用于清扫所述网状过滤器。

7.根据权利要求1所述的气体回收系统,其中所述膜过滤系统还包含:温度控制系统,其用于控制所述至少一个气体分离膜的温度。

8.根据权利要求1所述的气体回收系统,其中所述至少一个气体分离膜包含:高通气体分离膜和低通气体分离膜。

9.根据权利要求1所述的气体回收系统,其中所述至少一个气体分离膜包含以下至少一者的膜:石墨烯膜过滤器、基于共价三嗪的骨架膜过滤器、聚苯膜过滤器、石墨炔膜过滤器、石墨化氮化碳膜过滤器和硅烯膜过滤器。

10.根据权利要求1所述的气体回收系统,其中所述膜过滤系统分离出He、Cl2、Br2、HBr、氙和氖中的至少一者。

11.根据权利要求1所述的气体回收系统,其中所述半导体处理室包含排放泵,其中所述气体回收系统在压力下接收来自所述排放泵的废气。

12.一种用于处理衬底的装置,其包含:

13.根据权利要求12所述的装置,其中所述膜过滤系统由所述废气过滤出氦、氢和氖中的至少一者。

14.根据权利要求13所述的装置,其中所述膜过滤系统还包含H2分离系统,其用于由氢和氧形成水以及将所述水与氦分离。

15.根据权利要求12所述的装置,其中所述膜过滤系统还包含网状过滤器,其中所述网状过滤器过滤掉颗粒。

16.根据权利要求15所述的装置,其中所述膜过滤系统还包含:清扫系统,其用于清扫所述网状过滤器。

17.根据权利要求12所述的装置,其中所述膜过滤系统还包含:温度控制系统,其用于控制所述至少一个气体分离膜的温度。

18.根据权利要求12所述的装置,其中所述至少一个气体分离膜包含:高通气体分离膜和低通气体分离膜。

19.根据权利要求12所述的装置,其中所述至少一个气体分离膜包含以下至少一者的膜:石墨烯膜过滤器、基于共价三嗪的骨架膜过滤器、聚苯膜过滤器、石墨炔膜过滤器、石墨化氮化碳膜过滤器和硅烯膜过滤器。

20.一种用于在半导体处理室中处理衬底的方法,其包含:

21.根据权利要求20所述的方法,其中所述从所述废气分离出至少一种气体使得氦、氢和氖中的至少一者从所述废气分离出。

22.根据权利要求21所述的方法,其还包含:

23.根据权利要求20所述的方法,其中所述从所述废气分离出至少一种气体包括:

...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

1.一种能附接至半导体处理室的气体回收系统,所述气体回收系统包含:

2.根据权利要求1所述的气体回收系统,其中所述膜过滤系统从所述加压的废气中过滤氦、氢和氖中的至少一者。

3.根据权利要求2所述的气体回收系统,其还包含:h2分离系统,其用于由氢和氧形成水以及将所述水与氦分离。

4.根据权利要求3所述的气体回收系统,其还包含:水回收系统,其用于利用在所述半导体处理室中与所述氦分离的水。

5.根据权利要求1所述的气体回收系统,其中所述膜过滤系统还包含:网状过滤器,其中所述网状过滤器过滤掉颗粒。

6.根据权利要求5所述的气体回收系统,其还包含:清扫系统,其用于清扫所述网状过滤器。

7.根据权利要求1所述的气体回收系统,其中所述膜过滤系统还包含:温度控制系统,其用于控制所述至少一个气体分离膜的温度。

8.根据权利要求1所述的气体回收系统,其中所述至少一个气体分离膜包含:高通气体分离膜和低通气体分离膜。

9.根据权利要求1所述的气体回收系统,其中所述至少一个气体分离膜包含以下至少一者的膜:石墨烯膜过滤器、基于共价三嗪的骨架膜过滤器、聚苯膜过滤器、石墨炔膜过滤器、石墨化氮化碳膜过滤器和硅烯膜过滤器。

10.根据权利要求1所述的气体回收系统,其中所述膜过滤系统分离出he、cl2、br2、hbr、氙和氖中的至少一者。

11.根据权利要求1所述的气体回收系统,其中所述半导体处理室包含排放泵,其中所述气体回收系统在...

【专利技术属性】
技术研发人员:吕克·阿尔巴雷德亚历山大·米勒·帕特森理查德·A·马什
申请(专利权)人:朗姆研究公司
类型:发明
国别省市:

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