【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于太阳能发电，具体涉及一种背接触bc太阳能电池结构及其制备方法。
技术介绍
1、光伏发电是根据光生伏特效应原理，利用太阳能电池将太阳光能直接转化为电能的系统，其中太阳能电池的基本结构就是一个大面积平面pn结。在太阳光照射到pn结上时，pn结吸收光能激发出电子和空穴，随后在pn结中产生电压，实现光电的转换。因此，在晶硅电池中实现太阳光能和电能转换的核心结构即为pn结。
2、随着perc电池逐渐逼近24.5％的极限效率，业内开始寻求下一代晶硅电池技术，目前主流推进的有topcon(隧穿氧化层钝化接触)、hjt(异质结)、ibc(指叉背接触)技术，与topcon和hjt这种通过改变钝化方式提升电池效率的思路不同，ibc电池是通过将电池栅线全部转移到背面，减少栅线遮光面积，提升电流密度，增加电池效率。ibc电池为平台技术，与topcon技术叠加为tbc，与hjt技术叠加为hbc。
3、hbc电池继承了hjt和ibc各自生产工艺的难点，如工序长、制程复杂、工艺窗口窄等，tbc电池则需要解决背面电极隔离、多晶硅钝化质量均匀性等问题，因两种电池结构的技术路线区别较大，现有方案对于改变钝化方式和减少栅线的电池结构只能择一制备。
4、因此，如何提供一种兼顾tbc电池与hbc电池优势的电池结构是本领域亟需解决的技术问题。
5、需要说明的是，本
技术介绍
部分中公开的以上信息仅用于理解本申请构思的
技术介绍
，因此，并不认为上述描述构成现有技术的信息。
技术实现思路>
1、本公开实施例至少提供一种背接触bc太阳能电池结构及其制备方法。
2、第一方面，本公开实施例提供了一种背接触bc太阳能电池的制备方法，包括如下步骤：步骤s1，对硅片进行双面制绒，制备带有低反射率金字塔绒面形貌的洁净硅片表面；步骤s2，对硅片的背面由下至上氧化制备隧穿sio2层，再在隧穿sio2层上由下至上沉积掺磷n+poly层，然后对硅片的正面由上至下沉积掺磷n+poly层，再在掺磷n+poly层上由上至下沉积sio2掩膜层；步骤s3，对硅片背面的掺磷n+poly层进行激光氧化制备sio2掩膜层；步骤s4，对硅片进行碱抛清洗，去除背面无sio2掩膜层区域的隧穿sio2层和掺磷n+poly层与正面的sio2掩膜层，并腐蚀暴露出背面硅基；步骤s5，将硅片进行高温退火，将非晶硅高温晶化激活推进掺杂原子，使硅片的正面掺磷n+poly层与背面掺磷n+poly层分别形成n+前钝化场与n+内扩层，高温氧化正面掺磷n+poly层至sio2后去除得到fsf层，进行酸洗处理；步骤s6，在酸洗后的硅片背面由上至下沉积一层i：a-si层，对被沉积面进行hpt清洗后再由上至下沉积p：a-si层；步骤s7，采用喷墨打印在硅片背面的p区非晶表面制备图案化掩膜；步骤s8，采用离子刻蚀去除硅片背面p区中无图案化掩膜部分的非晶硅；步骤s9，采用有机溶剂超声清洗硅片并去除背面的图案化掩膜；步骤s10，对硅片的背面进行hpt清洗并沉积一层tco透明导电膜；步骤s11，在硅片的背面进行激光刻蚀将n区与p区隔离；步骤s12，在硅片的正面沉积一层氧化铝层，再在硅片的正面与背面分别沉积叠层渐变氮化硅减反射钝化膜；步骤s13，采用激光开槽，对硅片背面的n区和p区的叠层渐变氮化硅减反射钝化膜局部开窗以露出tco透明导电膜，在开槽区丝网印刷低温金属浆料固化光注入。
3、在一种可选的实施方式中，所述步骤s1中抛光后的硅片表面反射率为9-12％；塔基大小为1-3μm，塔高为0.5-3μm。
4、在一种可选的实施方式中，所述步骤s2中，位于硅片背面的所述隧穿sio2层的厚度为0.8-1.5nm，所述掺磷n+poly层的厚度为50-300nm，掺杂浓度为1e+20cm-3～2e+21cm-3：位于硅片正面的所述sio2掩膜层的厚度为10-50nm，所述掺磷n+poly层的厚度为5-10nm，掺杂浓度为1e+19cm-3～1e+20cm-3。
5、在一种可选的实施方式中，所述步骤s3中，位于硅片背面的所述sio2掩膜层的厚度为5-15nm，氧化区域的宽度为100-400μm。
6、在一种可选的实施方式中，所述步骤s4中，被腐蚀区的反射率为35-45％；被腐蚀区的塔基大小为5-15μm；被腐蚀区的腐蚀深度为0.5-2μm。
7、在一种可选的实施方式中，所述步骤s5中，高温晶化推进的温度为850-910℃；高温晶化推进的时间为30-60min；高温氧化的温度为800-850℃；高温氧化的时间为10-30min。
8、在一种可选的实施方式中，所述步骤s6中，i：a-si层的厚度为2-10nm；所述p：a-si层包括p：a-si分层和p-uc-sioxcy分层；其中所述p：a-si分层的厚度为10-20nm，掺杂浓度为1e+18cm-3～5e+18cm-3：所述p-uc-sioxcy分层的厚度为20-50nm，掺杂浓度为5e+18cm-3～2e+19cm-3。
9、在一种可选的实施方式中，所述步骤s7中，由油墨制备的图案化掩膜的宽度为100-500μm，高度为10-20μm。
10、在一种可选的实施方式中，所述步骤s11中，激光功率为300-600w，刻蚀宽度为10-20μm。
11、在一种可选的实施方式中，所述步骤s13中，激光开槽的宽度为10-30μm。
12、本专利技术的有益效果是，本背接触bc太阳能电池的制备方法具有如下优点：
13、1.本专利技术p区非晶叉指排列结构制备，采用喷墨打印+离子刻蚀制备+有机清洗，氢化非晶硅无任何酸碱接触，性能失效风险极低；
14、2.本专利技术n区poly制备，采用原位掺杂pvd下镀膜，无绕镀绕扩，无需额外去绕镀绕扩工序；
15、3.本专利技术n区p区采用不同形貌的基底，更有利于激光开槽定位识别，制备n区polyp区非晶叉指排列结构，减少电池漏电&偏移风险；
16、4.本专利技术制程无激光对氢化非晶的轰击，性能失效风险极低。
17、第二方面，本公开实施例还提供一种采用如前所述的方法制备得到的背接触bc太阳能电池结构，所述电池的背面n区设有隧穿sio2层与高晶化率低寄生吸收的掺磷n+poly层；p区依次设有i：a-si层、p：a-si分层和p-uc-sioxcy分层；所述电池的正面设有叠层渐变氮化硅减反射钝化膜。
18、本专利技术的有益效果是，本背接触bc太阳能电池结构具有如下优点：
19、1.本专利技术背面n区采用隧穿sio2层和高晶化率低寄生吸收的n+poly场结构替代传统hbc的i:a-si+n:a:si的场结构提升电流密度、背面n区采用绒面陷光结构替代抛光结构提升电流密度，以及金属电极接触面积增大降低接触电阻提升填充因子、tco透明导电膜上层增加一层低温氮化硅减反射膜提升钝化和电流密度、p区n区隔离区氮化硅覆盖减反射提升钝化和电流密度、p区使用i:a-本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种背接触BC太阳能电池的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
2.如权利要求1所述的背接触BC太阳能电池的制备方法，其特征在于：
3.如权利要求1所述的背接触BC太阳能电池的制备方法，其特征在于：
4.如权利要求1所述的背接触BC太阳能电池的制备方法，其特征在于：
5.如权利要求1所述的背接触BC太阳能电池的制备方法，其特征在于：
6.如权利要求1所述的背接触BC太阳能电池的制备方法，其特征在于：
7.如权利要求1所述的背接触BC太阳能电池的制备方法，其特征在于：
8.如权利要求1所述的背接触BC太阳能电池的制备方法，其特征在于：
9.如权利要求1所述的背接触BC太阳能电池的制备方法，其特征在于：
10.一种采用如权利要求1-9任一项所述的方法制备得到的背接触BC太阳能电池结构，其特征在于，
【技术特征摘要】
1.一种背接触bc太阳能电池的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
2.如权利要求1所述的背接触bc太阳能电池的制备方法，其特征在于：
3.如权利要求1所述的背接触bc太阳能电池的制备方法，其特征在于：
4.如权利要求1所述的背接触bc太阳能电池的制备方法，其特征在于：
5.如权利要求1所述的背接触bc太阳能电池的制备方法，其特征在于：
6.如权...
【专利技术属性】
技术研发人员：刘奇尧，潘家彦，
申请(专利权)人：常州比太科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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