【技术实现步骤摘要】
本公开一般而言涉及半导体封装，并且更具体而言涉及支持多个集成电路管芯的组合的四方扁平无引线(qfn)和四方扁平封装(qfp)半导体封装。
技术介绍
1、用于半导体器件的各种封装在本领域中是已知的。图1中所示的已知的四方扁平无引线(qfn)封装类型基于使用包括支撑集成电路管芯14的管芯焊盘12的引线框架10。封装的暴露的器件触点以与封装壳体18的底部边缘和侧边缘齐平的导电焊盘16的形式提供，导电焊盘16通过键合线电连接到集成电路管芯14。图2中所示的已知的四方扁平封装(qfp)封装类型也基于包括支撑集成电路管芯24的管芯焊盘22的引线框架20的使用。但是，这里封装的暴露的器件触点以导电引线26的形式提供，导电引线26从封装壳体28的侧面突出，通过键合线电连接到集成电路管芯24。
2、认识到一些应用要求在单个封装内使用多个集成电路管芯。在这种情况下，引线框架设有对应数量的管芯焊盘并且通常设有较大数量的器件触点。增加管芯焊盘的数量会带来多个问题，诸如：难以夹紧引线框架以便压平管芯焊盘以确保集成电路管芯的成功键合(bonding)；以及无法提供足够数量的器件触点来处置在单个封装中支撑多个集成电路管芯所增加的输入/输出复杂性。
3、因而，本领域中需要解决前述问题。具有支持多个集成电路管芯并组合使用qfn导电焊盘和qfp导电引线以提供增加的输入/输出复杂性的半导体封装将是有利的。
技术实现思路
1、在实施例中，一种混合四方扁平无引线(qfn)和四方扁平封装(qfp)集成
2、在一些实施例中，所述引线框架还包括多个第二qfn导电焊盘，其中封装壳体还包封所述多个第二qfn导电焊盘，并且其中所述多个第二qfn导电焊盘在封装壳体的底表面和至少一个侧边缘处暴露。
3、在一些实施例中，所述引线框架还包括第三管芯焊盘，还包括安装到第三管芯焊盘的第三集成电路，其中封装壳体还包封第三管芯焊盘和安装于其的第三集成电路，并且其中所述多个第一qfn导电焊盘还位于第一管芯焊盘与第三管芯焊盘之间以及第二管芯焊盘与第三管芯焊盘之间。
4、在一些实施例中，所述混合qfn和qfp集成电路封装还包括第一集成电路和第二集成电路中的每一个与所述多个qfp导电引线的近端之间的引线键合。
5、在一些实施例中，所述混合qfn和qfp集成电路封装还包括焊料层，位于所述多个第一qfp导电引线的在其近端处的上表面处；其中所述引线键合连接到所述焊料层。
6、在一些实施例中，所述混合qfn和qfp集成电路封装还包括在第一集成电路和第二集成电路中的每一个与所述多个第一qfn导电焊盘的上表面之间的引线键合。
7、在一些实施例中，所述混合qfn和qfp集成电路封装还包括位于所述多个第一qfn导电焊盘的上表面处的焊料层；其中所述引线键合连接到所述焊料层。
8、在一些实施例中，所述混合qfn和qfp集成电路封装还包括在第一集成电路与第二集成电路之间的引线键合，所述引线键合越过位于第一管芯焊盘与第二管芯焊盘之间的所述多个第一qfn导电焊盘中的一个或多个。
9、在一些实施例中，所述混合qfn和qfp集成电路封装还包括位于第一管芯焊盘与第二管芯焊盘的表面处的焊料层；其中所述第一集成电路和第二集成电路安装到所述焊料层。
10、在实施例中，一种制造混合qfn和qfp集成电路封装的方法包括：处理金属板以提供原型引线框架结构，该原型引线框架结构包括基板(base plate)和多个引线结构；在基板的上表面中形成第一管芯焊盘开口、第二管芯焊盘开口以及包围定位在第一管芯焊盘开口与第二管芯焊盘开口之间的焊盘结构的凹部；在第一管芯焊盘开口处安装第一集成电路；在第二管芯焊盘开口处安装第二集成电路；包封所述基板、安装在第一管芯焊盘开口处的第一集成电路、安装在第二管芯焊盘开口处的第二集成电路以及所述多个引线结构的近端；从基板的背面将基板减薄以去除基板的材料，直至到达包围绕焊盘结构的凹部并产生多个qfn导电焊盘；以及处理引线结构的远端以产生多个qfp导电引线。
11、在实施例中，一种混合qfn和qfp引线框架包括：基板和多个引线结构；第一管芯焊盘开口，形成在基板的上表面中；第二管芯焊盘开口，形成在基板的上表面中；以及凹部，形成在基板的上表面中，其包围定位在第一管芯焊盘开口与第二管芯焊盘开口之间的焊盘结构。所述第一和第二管芯焊盘开口具有距基板的前表面的第一深度。所述凹部具有距基板的前表面的第二深度。其中，所述第二深度比所述第一深度深。
12、在一些实施例中，所述第一管芯焊盘开口和第二管芯焊盘开口具有距基板的前表面的第一深度，并且其中所述凹部具有距基板的前表面的第二深度，所述第二深度比所述第一深度深。
13、在一些实施例中，所述混合qfn和qfp引线框架还包括位于所述多个引线结构的在其近端处的上表面处的焊料层。
14、在一些实施例中，所述混合qfn和qfp引线框架还包括位于焊盘结构的上表面处的焊料层。
15、在一些实施例中，所述混合qfn和qfp引线框架还包括位于第一管芯焊盘开口和第二管芯焊盘开口的底部处的焊料层。
16、在一些实施例中，所述混合qfn和qfp引线框架还包括位于包围焊盘结构的凹部的底部处的绝缘层。
17、在一些实施例中，所述多个引线结构包括qfp引线和qfn焊盘。
18、在一些实施例中，所述焊盘结构被构造用于形成qfn焊盘。
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1.一种混合四方扁平无引线QFN和四方扁平封装QFP集成电路封装，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的混合四方扁平无引线QFN和四方扁平封装QFP集成电路封装，其特征在于，其中所述引线框架还包括多个第二QFN导电焊盘，其中封装壳体还包封所述多个第二QFN导电焊盘，并且其中所述多个第二QFN导电焊盘在封装壳体的底表面和至少一个侧边缘处暴露。
3.如权利要求1所述的混合四方扁平无引线QFN和四方扁平封装QFP集成电路封装，其特征在于，其中所述引线框架还包括第三管芯焊盘，还包括安装到第三管芯焊盘的第三集成电路，其中封装壳体还包封第三管芯焊盘和安装于其的第三集成电路，并且其中所述多个第一QFN导电焊盘还位于第一管芯焊盘与第三管芯焊盘之间以及第二管芯焊盘与第三管芯焊盘之间。
4.如权利要求1所述的混合四方扁平无引线QFN和四方扁平封装QFP集成电路封装，其特征在于，还包括第一集成电路和第二集成电路中的每一个与所述多个QFP导电引线的近端之间的引线键合。
5.如权利要求4所述的混合四方扁平无引线QFN和四方扁平封装QFP集成电路封装，其特
6.如权利要求1所述的混合四方扁平无引线QFN和四方扁平封装QFP集成电路封装，其特征在于，还包括在第一集成电路和第二集成电路中的每一个与所述多个第一QFN导电焊盘的上表面之间的引线键合。
7.如权利要求6所述的混合四方扁平无引线QFN和四方扁平封装QFP集成电路封装，其特征在于，还包括位于所述多个第一QFN导电焊盘的上表面处的焊料层；其中所述引线键合连接到所述焊料层。
8.如权利要求1所述的混合四方扁平无引线QFN和四方扁平封装QFP集成电路封装，其特征在于，还包括在第一集成电路与第二集成电路之间的引线键合，所述引线键合越过位于第一管芯焊盘与第二管芯焊盘之间的所述多个第一QFN导电焊盘中的一个或多个。
9.如权利要求1所述的混合四方扁平无引线QFN和四方扁平封装QFP集成电路封装，其特征在于，还包括位于第一管芯焊盘与第二管芯焊盘的表面处的焊料层；其中所述第一集成电路和第二集成电路安装到所述焊料层。
...【技术特征摘要】
1.一种混合四方扁平无引线qfn和四方扁平封装qfp集成电路封装，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的混合四方扁平无引线qfn和四方扁平封装qfp集成电路封装，其特征在于，其中所述引线框架还包括多个第二qfn导电焊盘，其中封装壳体还包封所述多个第二qfn导电焊盘，并且其中所述多个第二qfn导电焊盘在封装壳体的底表面和至少一个侧边缘处暴露。
3.如权利要求1所述的混合四方扁平无引线qfn和四方扁平封装qfp集成电路封装，其特征在于，其中所述引线框架还包括第三管芯焊盘，还包括安装到第三管芯焊盘的第三集成电路，其中封装壳体还包封第三管芯焊盘和安装于其的第三集成电路，并且其中所述多个第一qfn导电焊盘还位于第一管芯焊盘与第三管芯焊盘之间以及第二管芯焊盘与第三管芯焊盘之间。
4.如权利要求1所述的混合四方扁平无引线qfn和四方扁平封装qfp集成电路封装，其特征在于，还包括第一集成电路和第二集成电路中的每一个与所述多个qfp导电引线的近端之间的引线键合。
5.如权利要求4所述的混合四方扁平无引线qfn和四方扁平封装qfp集成...
【专利技术属性】
技术研发人员：吕世民，E·B·德杰苏斯，
申请(专利权)人：意法半导体国际公司，
类型：新型
国别省市：
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