【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及滤光片制备，尤其涉及一种长波红外带通滤光片制备方法。
技术介绍
1、光学带通滤光片是一种非常重要的光学设备元器件，它的主要功能就是把一定区间内的光谱分为两部分，其中一部分不允许光通过的称为截止区，另一部分要求光充分通过的称为带通区。在各种光学系统中，带通滤光片都有着十分重要的作用。红外带通滤光片主要应用于红外光谱探测系统，具有滤除背景杂波作用，对提高信噪比、改善光学系统的性能具有重要意义，特别是长波红外带通滤光片，在航空航天及军事领域有着非常重要的应用。但是，现有技术中，在7.7～9.5μm波段的红外探测产品还无法满足高抗干扰能力的要求，缺少在7.7～9.5μm波段的滤光片及制作该滤光片的方法。
技术实现思路
1、鉴于目前存在的上述不足，本专利技术提供一种长波红外带通滤光片制备方法，其制备的长波红外带通滤光片可以在7.7～9.5μm波长区间具有良好的透光效果，平均透过率＞92％，在1～7.2μm和10.5～14μm波段内高度截止，平均透过率＜1％。
2、为达到上述目的，本专利技术的实施例采用如下技术方案：
3、一种长波红外带通滤光片制备方法，所述方法包括以下步骤：
4、将基底放置到镀膜机真空腔室内对基底进行加热；
5、抽真空至2×10e-3pa以下；
6、通过物理气相沉积方法在基底的一侧向外交替叠加镀上预设了各膜层厚度的80层高折射率膜层和低折射率膜层形成主膜系；
7、通过物理气相沉积方法在基底的
8、形成所述主膜系和次膜系之后，进行退火，制备长波红外带通滤光片完成；
9、其中，所述长波红外带通滤光片在7.7～9.5μm波长区间具有透光效果，平均透过率＞92％，在1～7.2μm和10.5～14μm波段内高度截止，平均透过率＜1％。
10、依照本专利技术的一个方面，所述主膜系的膜系结构为：基底/100nmh、168.16nml、289.58nmh、289.28nml、94.57nmh、207.05nml、119.59nmh、207.52nml、110.11nmh、142.63nml、141.76nmh、193.42nml、102.84nmh、200.24nml、117.89nmh、215.78nml、120.3nmh、227.84nml、133.46nmh、295.93nml、175.74nmh、93.36nml、100.25nmh、267.95nml、147.34nmh、378.79nml、118.88nmh、218.73nml、161.95nmh、265.16nml、170.91nmh、292.49nml、190.64nmh、252.43nml、121.57nmh、369.07nml、189.81nmh、239.76nml、177.43nmh、308.71nml、203.62nmh、392.15nml、240.24nmh、477.95nml、188.33nmh、313.4nml、174.28nmh、425.13nml、215.07nmh、395.61nml、212.94nmh、554.72nml、287.21nmh、445.7nml、228.52nmh、459.98nml、270.58nmh、531.94nml、389.87nmh、483.45nml、296.24nmh、331.56nml、267.24nmh、585.94nml、325.66nmh、662.1nml、349.42nmh、741.38nml、411.56nmh、649.64nml、344.25nmh、670.92nml、407.07nmh、678.32nml、446.68nmh、553.64nml、302.63nmh、688.27nml、556.68nmh、1038.85nml/空气；其中，h表示高折射率膜层，l表示低折射率膜层，h、l前数字为膜层的厚度。
11、依照本专利技术的一个方面，所述次膜系的膜系结构为：基底/100nmh、136.77nml、1181.43nmh、1431.38nml、870.15nmh、1070.45nml、825.44nmh、1364.95nml、637.07nmh、1455.45nml、762.61nmh、1121.56nml、840.25nmh、1433.45nml、522.8nmh、894.92nml/空气；其中，h表示高折射率膜层，l表示低折射率膜层，h、l前数字为膜层的厚度。
12、依照本专利技术的一个方面，所述基底选用锗基底。
13、依照本专利技术的一个方面，所述高折射率膜层为锗膜层，所述低折射率膜层为硫化锌膜层。
14、依照本专利技术的一个方面，所述锗膜层使用的锗材料采用电子枪蒸发方式蒸发；所述硫化锌膜层使用的硫化锌材料采用电阻舟热蒸发方式蒸发。
15、依照本专利技术的一个方面，所述锗材料的蒸发速率控制在10a/s以内；所述硫化锌材料的蒸发速率控制在10a/s以内。
16、依照本专利技术的一个方面，所述将基底放置到镀膜机真空腔室内对基底进行加热包括：将基底放置到镀膜机真空腔室内对基底进行烘烤加热，烘烤温度设定为160℃。
17、依照本专利技术的一个方面，所述方法还包括：在镀膜前采用离子源辅助清洁基底表面。
18、依照本专利技术的一个方面，所述方法还包括：在镀膜时，采用石英晶振进行膜厚监控。
19、本专利技术实施的优点：通过物理气相沉积的方式在基底一面镀上呈交替叠加80层高折射率膜层和低折射率膜层形成主膜系，通过物理气相沉积的方式在基底另一面镀上呈交替叠加16层高折射率膜层和低折射率膜层形成次膜系，制备成长波红外带通滤光片；制备的长波红外带通滤光片带通区光谱范围为7.7～9.5μm，平均透过率＞92％；截止区光谱范围为1～7.2μm和10.5～14μm，平均透过率＜1％，可以很好的提高信噪比，增强信号强度，提高探测器响应率；可以使用在各种红外光学探测系统中以减少背景杂波的影响，增强信号强度，提高探测器响应和分辨率。
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1.一种长波红外带通滤光片制备方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的长波红外带通滤光片制备方法，其特征在于，所述主膜系的膜系结构为：基底/100nmH、168.16nmL、289.58nmH、289.28nmL、94.57nmH、207.05nmL、119.59nmH、207.52nmL、110.11nmH、142.63nmL、141.76nmH、193.42nmL、102.84nmH、200.24nmL、117.89nmH、215.78nmL、120.3nmH、227.84nmL、133.46nmH、295.93nmL、175.74nmH、93.36nmL、100.25nmH、267.95nmL、147.34nmH、378.79nmL、118.88nmH、218.73nmL、161.95nmH、265.16nmL、170.91nmH、292.49nmL、190.64nmH、252.43nmL、121.57nmH、369.07nmL、189.81nmH、239.76nmL、177.43nmH、308.71nmL、203.62nmH、392.
3.根据权利要求1所述的长波红外带通滤光片制备方法，其特征在于，所述次膜系的膜系结构为：基底/100nmH、136.77nmL、1181.43nmH、1431.38nmL、870.15nmH、1070.45nmL、825.44nmH、1364.95nmL、637.07nmH、1455.45nmL、762.61nmH、1121.56nmL、840.25nmH、1433.45nmL、522.8nmH、894.92nmL/空气；其中，H表示高折射率膜层，L表示低折射率膜层，H、L前数字为膜层的厚度。
4.根据权利要求1所述的长波红外带通滤光片制备方法，其特征在于，所述基底选用锗基底。
5.根据权利要求1所述的长波红外带通滤光片制备方法，其特征在于，所述高折射率膜层为锗膜层，所述低折射率膜层为硫化锌膜层。
6.根据权利要求5所述的长波红外带通滤光片制备方法，其特征在于，所述锗膜层使用的锗材料采用电子枪蒸发方式蒸发；所述硫化锌膜层使用的硫化锌材料采用电阻舟热蒸发方式蒸发。
7.根据权利要求6所述的长波红外带通滤光片制备方法，其特征在于，所述锗材料的蒸发速率控制在10A/s以内；所述硫化锌材料的蒸发速率控制在10A/s以内。
8.根据权利要求1至7中任一所述的长波红外带通滤光片制备方法，其特征在于，所述将基底放置到镀膜机真空腔室内对基底进行加热包括：将基底放置到镀膜机真空腔室内对基底进行烘烤加热，烘烤温度设定为160℃。
9.根据权利要求8所述的长波红外带通滤光片制备方法，其特征在于，所述方法还包括：在镀膜前采用离子源辅助清洁基底表面。
10.根据权利要求8所述的长波红外带通滤光片制备方法，其特征在于，所述方法还包括：在镀膜时，采用石英晶振进行膜厚监控。
...【技术特征摘要】
1.一种长波红外带通滤光片制备方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的长波红外带通滤光片制备方法，其特征在于，所述主膜系的膜系结构为：基底/100nmh、168.16nml、289.58nmh、289.28nml、94.57nmh、207.05nml、119.59nmh、207.52nml、110.11nmh、142.63nml、141.76nmh、193.42nml、102.84nmh、200.24nml、117.89nmh、215.78nml、120.3nmh、227.84nml、133.46nmh、295.93nml、175.74nmh、93.36nml、100.25nmh、267.95nml、147.34nmh、378.79nml、118.88nmh、218.73nml、161.95nmh、265.16nml、170.91nmh、292.49nml、190.64nmh、252.43nml、121.57nmh、369.07nml、189.81nmh、239.76nml、177.43nmh、308.71nml、203.62nmh、392.15nml、240.24nmh、477.95nml、188.33nmh、313.4nml、174.28nmh、425.13nml、215.07nmh、395.61nml、212.94nmh、554.72nml、287.21nmh、445.7nml、228.52nmh、459.98nml、270.58nmh、531.94nml、389.87nmh、483.45nml、296.24nmh、331.56nml、267.24nmh、585.94nml、325.66nmh、662.1nml、349.42nmh、741.38nml、411.56nmh、649.64nml、344.25nmh、670.92nml、407.07nmh、678.32nml、446.68nmh、553.64nml、302.63nmh、6...
【专利技术属性】
技术研发人员：赵中亮，
申请(专利权)人：上海欧菲尔光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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