【技术实现步骤摘要】
本技术涉及半导体，尤其涉及刻蚀设备用夹具及刻蚀设备。
技术介绍
1、在晶圆刻蚀作业中，晶圆需要利用专用的夹具系统固定在特定的位置处，以确保晶圆在刻蚀过程中不会发生位移而保证刻蚀效果良好。
2、现有技术中，如图1所示，夹具系统包括托盘10、密封圈101以及盖板102，晶圆103放置在托盘10上，晶圆103的底壁会与托盘10顶壁上的密封圈101抵接密封，而盖板102则部分抵接在晶圆103顶壁上以固定晶圆103。而为了确保对晶圆103整体的冷却效果，密封圈101会尽可能靠近托盘10的边缘部位设置，安装密封圈101的密封槽与托盘10边缘的间距极小。
3、但是晶圆103与盖板102之间会保持一定的间隙以确保等离子体与晶圆103形成充分接触，在刻蚀过程中，等离子体也会持续与托盘10的边缘接触而导致对托盘10边缘部位造成腐蚀，在长期使用时边缘部分会逐渐向安装密封槽的位置内凹，容易致使密封圈101错位而密封失效，严重限制了托盘10的使用寿命。
技术实现思路
1、本技术的目的在于提供刻蚀设备用夹具及刻蚀设备，解决了现有技术中刻蚀作业过程中，托盘的边缘部分容易被刻蚀而内凹导致密封圈容易错位而致使密封失效，造成托盘使用寿命的上限较低的问题。
2、为达此目的，本技术采用以下技术方案：
3、第一方面，本技术提供刻蚀设备用的夹具，其包括：
4、托盘，所述托盘具有用于承载晶圆的承载区域和环设于所述承载区域外围的保护区域，所述保护区域的宽度为d1，d1≥
5、密封圈，设置于所述密封槽内且部分凸出所述密封槽，晶圆承托于所述密封圈且晶圆的边缘位于所述保护区域内；以及
6、盖板，盖设于所述托盘的保护区外围且部分抵压于晶圆顶壁。
7、可选地，所述托盘内开设有第一冷却流道，所述第一冷却流道位于所述保护区域下方且所述第一冷却流道至少部分靠近所述托盘的顶壁设置，所述保护区域的宽度d1≤4.5mm。
8、可选地，所述第一冷却流道对应于晶圆开设，且所述第一冷却流道与晶圆边缘的最小距离为d2，d2＞0.5mm。
9、可选地，所述第一冷却流道沿竖直方向延伸，且所述第一冷却流道的顶部与所述托盘的顶壁的间距为h1，0.5mm≤h1≤1mm。
10、可选地，晶圆边缘与所述托盘边缘的间距为d3，1mm≤d3≤1.5mm。
11、可选地，所述盖板包括：
12、主体，环设于所述托盘的保护区域外围；
13、环板，设置于所述主体的内侧，所述环板的顶壁低于所述晶圆的顶壁；以及
14、压爪，一端与所述环板固定连接，另一端伸出所述环板并能抵压于晶圆顶壁。
15、可选地，所述环板的宽度d4＞3mm。
16、可选地，在所述承载区域内，晶圆底壁与托盘的顶壁之间形成冷却空间，所述托盘内且对应于承载区域开设有与所述冷却空间连通的第二冷却流道，所述密封圈与晶圆之间具有供冷却气体从所述冷却空间向晶圆便于流动的冷却间隙。
17、可选地，所述密封圈的表面具有金属镀层。
18、第二方面，本技术提供刻蚀设备，其包括：
19、机架；以及
20、如第一方面中任一项所述的刻蚀设备用的夹具，设置于所述机架以用于固定晶圆。
21、本技术的有益效果：
22、第一方面，通过在托盘上分别形成承载区域和保护区域，使得密封槽开设在承载区域的边缘处，而保护区域的宽度d1≥2mm，形成密封槽内缩式的结构，则密封槽与托盘边缘之间就能够形成足够的缓冲间距。而密封圈嵌设在密封槽内，且密封圈的一侧伸出密封槽并与晶圆底壁抵接，盖板则环设在保护区的外侧并抵压于晶圆的顶壁，从而将晶圆固定在托盘上方。以此该夹具在使用时，仅通过设置内缩式的密封槽，就能够通过预留出保护区域作为密封槽与托盘边缘的缓冲空间，不用改变托盘的制造工艺，也不会增加制造成本，就可以使得托盘在长时间使用过程中托盘边缘被腐蚀内凹时，内凹的幅度仅局限在保护区域内，而不会造成密封槽变形，有效降低了密封圈错位而失去密封作用的可能性，从而延长了托盘的使用寿命。
23、第二方面，该刻蚀设备在使用时，夹具在长期使用过程中密封圈能够保持良好的密封效果，减少夹具需要更换的频率，从而在有效提高生产效率的同时，还能够降低刻蚀设备整体的成本支出。
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1.刻蚀设备用的夹具，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的刻蚀设备用的夹具，其特征在于，所述托盘(1)内开设有第一冷却流道(14)，所述第一冷却流道(14)位于所述保护区域(12)下方且所述第一冷却流道(14)至少部分靠近所述托盘(1)的顶壁设置，所述保护区域(12)的宽度d1≤4.5mm。
3.根据权利要求2所述的刻蚀设备用的夹具，其特征在于，所述第一冷却流道(14)对应于晶圆(4)开设，且所述第一冷却流道(14)与晶圆(4)边缘的最小距离为d2，d2＞0.5mm。
4.根据权利要求2所述的刻蚀设备用的夹具，其特征在于，所述第一冷却流道(14)沿竖直方向延伸，且所述第一冷却流道(14)的顶部与所述托盘(1)的顶壁的间距为h1，0.5mm≤h1≤1mm。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的刻蚀设备用的夹具，其特征在于，晶圆(4)边缘与所述托盘(1)边缘的间距为d3，1mm≤d3≤1.5mm。
6.根据权利要求1至4中任一项所述的刻蚀设备用的夹具，其特征在于，所述盖板(3)包括：
7.根据权利要求6所
8.根据权利要求1至4中任一项所述的刻蚀设备用的夹具，其特征在于，在所述承载区域(11)内，晶圆(4)底壁与托盘(1)的顶壁之间形成冷却空间(15)，所述托盘(1)内且对应于承载区域(11)开设有与所述冷却空间(15)连通的第二冷却流道(16)，所述密封圈(2)与晶圆(4)之间具有供冷却气体从所述冷却空间(15)向晶圆(4)便于流动的冷却间隙。
9.根据权利要求1至4中任一项所述的刻蚀设备用的夹具，其特征在于，所述密封圈(2)的表面具有金属镀层。
10.刻蚀设备，其特征在于，包括：
...【技术特征摘要】
1.刻蚀设备用的夹具，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的刻蚀设备用的夹具，其特征在于，所述托盘(1)内开设有第一冷却流道(14)，所述第一冷却流道(14)位于所述保护区域(12)下方且所述第一冷却流道(14)至少部分靠近所述托盘(1)的顶壁设置，所述保护区域(12)的宽度d1≤4.5mm。
3.根据权利要求2所述的刻蚀设备用的夹具，其特征在于，所述第一冷却流道(14)对应于晶圆(4)开设，且所述第一冷却流道(14)与晶圆(4)边缘的最小距离为d2，d2＞0.5mm。
4.根据权利要求2所述的刻蚀设备用的夹具，其特征在于，所述第一冷却流道(14)沿竖直方向延伸，且所述第一冷却流道(14)的顶部与所述托盘(1)的顶壁的间距为h1，0.5mm≤h1≤1mm。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的刻蚀设备用的夹具，其特征在于，晶圆(4...
【专利技术属性】
技术研发人员：张剑桥，陈术文，谢鹏程，丘源荣，
申请(专利权)人：广东中图半导体科技股份有限公司，
类型：新型
国别省市：
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