【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及电气、电子和计算机领域，且更明确地说，涉及集成电路存储器装置的制造。
技术介绍
1、众所周知，集成电路存储器装置并入有由字线和位线（金属迹线和过孔）寻址的存储器单元阵列，电压/电流可通过所述字线和位线施加以写入和读取个别单元。通常，位线从存储器单元晶体管（在前端制程层中）通过多级金属过孔向上连接到后端制程层，然后通过更多级的过孔连接向下返回到也形成在前端制程层中的感测放大器。在传统ic存储器装置的操作中，部分由于位线的布局，导致显著的i2r损失和等待时间。
技术实现思路
1、本专利技术的原理提供了用于存储器阵列的（多个）掩埋金属信号轨的技术。
2、在一个方面中，示例集成电路存储器装置包含衬底及设置于所述衬底上的存储器单元阵列。每个存储单元包括至少一个存储单元晶体管，其设置在装置的与衬底的顶侧相邻的第一层中。该装置还包括多个分流晶体管，每个分流晶体管设置在第一层中。该装置还包括掩埋金属信号轨，其在存储器单元阵列与多个分流晶体管之间被设置在装置的掩埋层中，该掩埋层在第一层下方被嵌入到衬底中。该装置还包括第一单层过孔，其设置在第一层中并且将存储器单元晶体管之一电连接到掩埋金属信号轨；以及第二单层过孔，其设置在第一层中并且将掩埋金属信号轨电连接到多个分流晶体管中的一个。
3、根据另一方面，提供了一种用于制造集成电路存储器装置的示例性方法。该方法包括：在所述装置的第一层中形成存储器单元晶体管和分流晶体管，其中所述第一层在衬底的顶侧上与所述衬底相邻。该方法
4、根据另一方面，在集成电路存储器装置中，一种方法包括通过设置在装置的第一层中的第一单层过孔将信号从设置在第一层中的存储器单元晶体管传输到设置在嵌入到装置的衬底中的掩埋层中的掩埋金属信号轨，其中第一层与装置的衬底的顶侧相邻。
5、鉴于上述情况，本专利技术的技术可以提供实质上有益的技术效果。例如，一个或多个实施例提供以下中的一个或多个：
6、过孔/金属叠层和线两者的显著电阻减小（～50-60%），导致read和write操作的改进，这使得能够实现更大的存储器簿（book）大小。
7、消除存储器的单位单元中的四个过孔中的两个，节省了～0.56μm2的单位单元覆盖区，这使得能够显著缩小单元。
8、使得上部金属堆叠线层能够用于除了存储器存取之外的目的。
9、背侧功率网络的异构集成。背侧功率网络不一定需要异构集成，尽管预期背侧功率将为异构集成的系统提供非常有吸引力的益处。
10、一些实施例可能不具有这些潜在优点，并且这些潜在优点并非所有实施例都必需。通过结合附图阅读的本专利技术的说明性实施例的以下详细描述，本专利技术的这些和其它特征和优点将变得显而易见。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种集成电路存储器装置，包括：
2.根据权利要求1所述的装置，其中所述存储器单元中的至少一者包括设置于所述装置的邻近于所述第一层的顶侧的第二层中的电阻性存储器元件，其中所述第一层的所述顶侧与所述衬底相对。
3.根据权利要求1所述的装置，其中所述存储器单元晶体管中的至少一者是鳍式场效应晶体管FinFET。
4.根据权利要求1所述的装置，其中所述分流晶体管中的至少一个分流晶体管是鳍式场效应晶体管FinFET。
5.根据权利要求1所述的装置，还包括第二存储器单元阵列和第二掩埋金属信号轨，其中所述多个分流晶体管、所述掩埋金属信号轨和所述第二掩埋金属信号轨包括位线总线，所述位线总线将所述存储器单元阵列与所述第二存储器单元阵列互连。
6.根据权利要求1所述的装置，还包括掩埋金属功率轨，所述掩埋金属功率轨与所述掩埋层中的所述掩埋金属信号轨相邻并且与所述第一层中的所述多个分流晶体管中的一个分流晶体管相邻。
7.根据权利要求6所述的装置，还包括背侧过孔，所述背侧过孔电连接到所述掩埋金属功率轨并且从所述掩埋层延伸到所述衬底的
8.一种用于制造集成电路存储器装置的方法，所述方法包括：
9. 根据权利要求8所述的方法，其中形成所述位线包括：
10.根据权利要求8所述的方法，还包括：
11.根据权利要求10所述的方法，还包括：
12.根据权利要求8所述的方法，其中形成所述存储器单元晶体管中的至少一者包括形成FinFET。
13.根据权利要求8所述的方法，其中形成所述分流晶体管中的至少一个分流晶体管包括形成FinFET。
14.一种方法，包括在集成电路存储器装置中：
15.根据权利要求14所述的方法，还包括：
...【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种集成电路存储器装置，包括：
2.根据权利要求1所述的装置，其中所述存储器单元中的至少一者包括设置于所述装置的邻近于所述第一层的顶侧的第二层中的电阻性存储器元件，其中所述第一层的所述顶侧与所述衬底相对。
3.根据权利要求1所述的装置，其中所述存储器单元晶体管中的至少一者是鳍式场效应晶体管finfet。
4.根据权利要求1所述的装置，其中所述分流晶体管中的至少一个分流晶体管是鳍式场效应晶体管finfet。
5.根据权利要求1所述的装置，还包括第二存储器单元阵列和第二掩埋金属信号轨，其中所述多个分流晶体管、所述掩埋金属信号轨和所述第二掩埋金属信号轨包括位线总线，所述位线总线将所述存储器单元阵列与所述第二存储器单元阵列互连。
6.根据权利要求1所述的装置，还包括掩埋金属功率轨，所述掩埋金属功率轨与所述掩埋层中的所述掩埋金属信号轨相邻并且与所述...
【专利技术属性】
技术研发人员：B·塞纳帕蒂，宗藤诚治，N·A·兰兹罗，L·A·克莱文格，G·布尔，细川浩二，
申请(专利权)人：国际商业机器公司，
类型：发明
国别省市：
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