【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体，尤其涉及一种半导体放电管及供电电路。
技术介绍
1、半导体放电管(tss)是一种采用半导体工艺制成的pnpn结四层结构器件，其内部结构包含三个pn结：j1(n1p1)、j2(p1n2)和j3(n2p2)。当在p2接入正电，n1接入负电时，j1和j3结正偏，j2结反偏。由于重掺杂的j1结击穿电压很低，j3结承受几乎全部外电压。这种结构设计使得tss在过电压情况下能够迅速导通，保护后端电路免受损坏。图1是现有技术中的一种半导体放电管的结构示意图，参考图1，图1中的tss采用反对称结构，p区1和n+区2为反对称结构，但现有结构的初始导通面积较小，器件的可靠性较差。
技术实现思路
1、本专利技术提供了一种半导体放电管及供电电路，可以增加器件的初始导通面积，提高器件的可靠性。
2、根据本专利技术的一方面，提供了一种半导体放电管，包括：
3、半导体本体，半导体本体为第一导电类型，半导体本体包括相对设置的第一表面和第二表面；沿第一方向，半导体本体均分成第一部分和第二部分，第一部分远离第二部分的表面为第一表面，第二部分远离第一部分的表面为第二表面；第一部分和第二部分均包括第一区、第二区、第三区和第四区，第一区和第二区同层，且间隔第三区设置；第一区位于第一表面，第四区位于第三区远离第一区的一侧；第四区包括多个间隔设置的第四子区，第四区与第三区接触，第四区在第三区的垂直投影位于第三区内；第一区与第三区接触，第一区在第三区的垂直投影位于第三区内，第一区在第四
4、第一电极，第一电极位于第一表面，第一电极与第一部分的第一区和部分第三区接触，第一电极与第一部分的第二区绝缘设置；
5、第二电极，第二电极位于第二表面，第二电极与第二部分的第一区和部分第三区接触，第二电极与第二部分的第二区绝缘设置。
6、可选的，第二区包括第一扩散区、多个第二扩散区和多个第三扩散区；沿第二方向，第二扩散区位于第一扩散区与第三扩散区之间，第二方向为第一扩散区指向第三扩散区的方向；
7、第一扩散区位于半导体本体的第一表面的边缘，第一扩散区环绕第一区，第一扩散区在第三区的垂直投影与第三区不交叠；
8、多个第二扩散区具有相对设置的第一侧和第二侧，第一侧与第一扩散区接触，第二侧与第三区接触；第二扩散区在第三区的垂直投影与第三区部分交叠；
9、沿第一对角线方向，多个第三扩散区间隔设置；第三扩散区在第三区的垂直投影位于第三区内。
10、可选的，多个第四子区包括多个边缘第四子区和多个其他第四子区，多个边缘第四子区环绕其他第四子区；其他第四子区位于边缘第四子区远离第二扩散区在第四区的垂直投影的一侧；
11、第二扩散区在第四区的垂直投影位于相邻的边缘第四子区中心连线的中垂线上。
12、可选的，多个第四子区包括多个第四扩散区和多个第五扩散区；
13、沿第二对角线方向，多个第四扩散区依次排列，每一第四扩散区对应一个第三扩散区；第四扩散区的中心与对应的第三扩散区在第四区的垂直投影的中心位于第一直线上；第一直线与第二方向平行；
14、第一部分的第三扩散区在第二部分的第四扩散区的垂直投影位于第二部分的第四扩散区内部；第二部分的第三扩散区在第一部分的第四扩散区的垂直投影位于第一部分的第四扩散区内部。
15、可选的，每一第三扩散区的面积小于每一第四扩散区的面积。
16、可选的，第三扩散区的形状包括圆形；圆形的直径大于100μm。
17、可选的，半导体放电管还包括：
18、绝缘层，绝缘层位于半导体本体的第一表面和第二表面的一侧；绝缘层至少覆盖第三扩散区，且绝缘层在第一区的垂直投影与第一区不交叠。
19、可选的，相邻的第四子区的距离大于200μm；相邻的第四子区的距离相同。
20、可选的，第三区的掺杂浓度大于第二区的掺杂浓度，第一区的掺杂浓度大于半导体本体的掺杂浓度。
21、根据本专利技术的另一方面，提供了一种供电电路，包括本专利技术任意实施例所述的半导体放电管。
22、本专利技术实施例技术方案提供的半导体本体，半导体本体为第一导电类型，半导体本体包括相对设置的第一表面和第二表面；沿第一方向，半导体本体均分成第一部分和第二部分，第一部分远离第二部分的表面为第一表面，第二部分远离第一部分的表面为第二表面；第一部分和第二部分均包括第一区、第二区、第三区和第四区，第一区和第二区同层，且间隔第三区设置；第一区位于第一表面，第四区位于第三区远离第一区的一侧；第四区包括多个间隔设置的第四子区，第四区与第三区接触，第四区在第三区的垂直投影位于第三区内；第一区与第三区接触，第一区在第三区的垂直投影位于第三区内，第一区在第四区的垂直投影与第四子区均不交叠；第二区与第三区接触，第二区在第三区的垂直投影与第三区部分交叠，第二区在第四区的垂直投影与第四子区均不交叠；第一区和第二区为第一导电类型，第三区和第四区为第二导电类型；第一部分和第二部分对称设置，第一部分的第四区在第二部分的第四区的垂直投影与第二部分的第四区不交叠；第一电极，第一电极位于第一表面，第一电极与第一部分的第一区和部分第三区接触，第一电极与第一部分的第二区绝缘设置；第二电极，第二电极位于第二表面，第二电极与第二部分的第一区和部分第三区接触，第二电极与第二部分的第二区绝缘设置。本专利技术实施例通过设置第二区中与第三区接触的部分均为击穿点，增加了击穿点，使得器件的初始导通面积增大，击穿点分布的边缘的中间的电流走向均匀，提高器件的可靠性。
23、应当理解，本部分所描述的内容并非旨在标识本专利技术的实施例的关键或重要特征，也不用于限制本专利技术的范围。本专利技术的其它特征将通过以下的说明书而变得容易理解。
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1.一种半导体放电管，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体放电管，其特征在于，所述第二区包括第一扩散区、多个第二扩散区和多个第三扩散区；沿第二方向，所述第二扩散区位于所述第一扩散区与所述第三扩散区之间，所述第二方向为所述第一扩散区指向所述第三扩散区的方向；
3.根据权利要求2所述的半导体放电管，其特征在于，多个所述第四子区包括多个边缘第四子区和多个其他第四子区，所述多个边缘第四子区环绕其他第四子区；所述其他第四子区位于所述边缘第四子区远离所述第二扩散区在所述第四区的垂直投影的一侧；
4.根据权利要求2所述的半导体放电管，其特征在于，多个所述第四子区包括多个第四扩散区和多个第五扩散区；
5.根据权利要求4所述的半导体放电管，其特征在于，每一所述第三扩散区的面积小于每一第四扩散区的面积。
6.根据权利要求5所述的半导体放电管，其特征在于，
7.根据权利要求2所述的半导体放电管，其特征在于，还包括：
8.根据权利要求1所述的半导体放电管，其特征在于，相邻的所述第四子区的距离大于200μm；
9.根据权利要求1所述的半导体放电管，其特征在于，所述第三区的掺杂浓度大于所述第二区的掺杂浓度，所述第一区的掺杂浓度大于所述半导体本体的掺杂浓度。
10.一种供电电路，其特征在于，包括权利要求1-9任一项所述的半导体放电管。
...【技术特征摘要】
1.一种半导体放电管，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体放电管，其特征在于，所述第二区包括第一扩散区、多个第二扩散区和多个第三扩散区；沿第二方向，所述第二扩散区位于所述第一扩散区与所述第三扩散区之间，所述第二方向为所述第一扩散区指向所述第三扩散区的方向；
3.根据权利要求2所述的半导体放电管，其特征在于，多个所述第四子区包括多个边缘第四子区和多个其他第四子区，所述多个边缘第四子区环绕其他第四子区；所述其他第四子区位于所述边缘第四子区远离所述第二扩散区在所述第四区的垂直投影的一侧；
4.根据权利要求2所述的半导体放电管，其特征在于，多个所述第四子区包括多个第四扩散区和多个第五扩散区...
【专利技术属性】
技术研发人员：康正旭，吴同同，管国栋，
申请(专利权)人：马鞍山市槟城电子有限公司，
类型：发明
国别省市：
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