【技术实现步骤摘要】
本申请涉及半导体制造，具体而言，涉及一种芯片封装方法及芯片封装结构。
技术介绍
1、在半导体工艺中，封装是半导体集成电路芯片生产加工中的重要一环，不仅可以安放、固定、密封、保护芯片，还可以增强电热性能，同时还可以实现芯片内部与外部电路的数据、信号的传递。
技术实现思路
1、为了至少克服现有技术中的上述不足，本申请的目的在于提供一种芯片封装方法及芯片封装结构。
2、第一方面，本申请实施例提供一种芯片封装方法，所述芯片封装方法包括：
3、提供一玻璃基板，对所述玻璃基板进行切割，得到多个独立的玻璃芯单元，其中，所述玻璃芯单元包括贯穿所述玻璃芯单元的走线层；
4、对至少一个所述玻璃芯单元进行封装，在所述玻璃芯单元的周侧形成第一封装层；
5、在所述玻璃芯单元的一侧制作与所述走线层电连接的第一重布线层；
6、在所述第一重布线层远离所述玻璃芯单元的一侧制作芯片层，所述芯片层包括至少一个与所述第一重布线层电连接的芯片；
7、在所述玻璃芯单元远离所述第一重布线层的一侧制作与所述走线层电连接的第二重布线层，所述第二重布线通过所述走线层与所述第一重布线层电连接，所述第一重布线层与所述第二重布线层为非对称结构，其中，所述第一重布线层与所述第二重布线层包括至少一个由介质材料与电极走线构成的重布线子层，所述第一重布线层与所述第二重布线层的重布线子层数量、介质材料类型、介质材料厚度及走线厚度中的至少一项不同。
8、在一种可能的实
9、提供一第一载板，在所述第一载板的一侧制作第一粘接层，并将至少一个所述玻璃芯单元与所述第一粘接层进行键合；
10、对键合后的所述玻璃芯单元进行封装处理，形成覆盖所述玻璃芯单元的第一封装材料层；
11、对所述第一封装材料层进行研磨处理，直至暴露所述玻璃芯单元的表面，得到所述第一封装层。
12、在一种可能的实现方式中，所述在所述第一重布线层远离所述玻璃芯单元的一侧制作芯片层的步骤，包括：
13、在所述第一重布线层远离所述玻璃芯单元的一侧放置至少一个芯片，其中，所述芯片的电极引脚朝向所述第一重布线层，并与所述第一重布线层电连接；
14、在所述芯片与所述第一重布线层之间形成一填充在两者之间的底部填充胶层，得到所述芯片层。
15、在一种可能的实现方式中，所述在所述芯片与所述第一重布线层之间形成一填充在两者之间的底部填充胶层，得到所述芯片层的步骤之后，所述方法还包括制作第二封装层的步骤，该步骤包括：
16、对所述第一重布线层及制作好的芯片层进行封装处理，形成覆盖所述芯片层及所述第一重布线层的第二封装材料层；
17、对所述第二封装材料层进行研磨处理，得到第二封装层。
18、在一种可能的实现方式中，所述在所述玻璃芯单元远离所述第一重布线层的一侧制作与所述走线层电连接的第二重布线层的步骤，包括：
19、去除所述第一粘接层，将制作好所述芯片层的玻璃芯单元与所述第一载板分离；
20、提供第二载板，将所述第二载板与所述第二封装层进行键合，或将所述第二载板与所述芯片层远离所述玻璃芯单元的一侧进行键合；
21、在所述玻璃芯单元远离所述第一重布线的一侧制作与所述走线层电连接的第二重布线层。
22、在一种可能的实现方式中，所述在所述玻璃芯单元远离所述第一重布线层的一侧制作与所述走线层电连接的第二重布线层的步骤之后，所述方法还包括：
23、在所述第二重布线层远离所述玻璃芯单元的一侧进行植球处理，得到与所述第二重布线层电连接的导电球；
24、在所述玻璃芯单元的数量为多个时，对制作好所述导电球的封装结构进行切割，得到包括一个所述玻璃芯单元的芯片封装结构，所述芯片封装结构包括至少一个芯片。
25、第二方面，本申请实施例还提供一种芯片封装结构，所述芯片封装结构由上述第一方面中任意一项所述的芯片封装方法制成，包括：
26、玻璃芯单元，所述玻璃芯单元包括贯穿所述玻璃芯单元的走线层；
27、第一封装层，所述第一封装层位于所述玻璃芯单元的周侧；
28、第一重布线层，所述第一重布线层位于所述玻璃芯单元的一侧，所述第一重布线层与所述走线层电连接；
29、芯片层，所述芯片层位于所述第一重布线层远离所述玻璃芯单元的一侧，所述芯片层包括至少一个芯片；
30、第二重布线层，所述第二重布线层位于所述玻璃芯单元远离所述第一重布线层的一侧，所述第二重布线层与所述走线层电连接，所述第一重布线层与所述第二重布线层为非对称结构，其中，所述第一重布线层与所述第二重布线层包括至少一个由介质材料与电极走线构成的重布线子层，所述第一重布线层与所述第二重布线层的重布线子层数量、介质材料类型、介质材料厚度及走线厚度中的至少一项不同。
31、在一种可能的实现方式中，所述芯片封装结构还包括第二封装层；
32、所述第二封装层位于所述第一重布线层及所述芯片层的周侧，或所述第二封装层覆盖所述第一重布线层及所述芯片层。
33、在一种可能的实现方式中，所述芯片层还包括底部填充胶，所述底部填充胶位于所述芯片与所述第一重布线层之间；
34、所述芯片封装结构还包括与所述第二重布线层电连接的导电球，所述导电球位于所述第二重布线层远离所述玻璃芯单元的一侧。
35、第三方面，本申请实施例还提供一种电子设备，包括第二方面中任意一项所述的芯片封装结构。
36、基于上述任意一个方面，本申请实施例提供的一种芯片封装方法及芯片封装结构，通过对单个玻璃芯单元进行封装，在其周侧形成均匀的第一塑封层，不仅可以为玻璃芯单元提供机械保护，减少外部物理损伤的同时，在温度变化时，还可以更好地控制每个玻璃芯单元的热膨胀，使得热应力均匀分布在玻璃芯单元的周侧，减少由于材料热膨胀系数不匹配引起的应力集中和翘曲，并减少后续制作的非对称结构(即，第一重布线层和第二重布线)对翘曲的影响，提高最终封装产品的可靠性和稳定性。
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1.一种芯片封装方法，其特征在于，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的芯片封装方法，其特征在于，所述对至少一个所述玻璃芯单元进行封装，在所述玻璃芯单元的周侧形成第一封装层的步骤，包括：
3.根据权利要求1所述的芯片封装方法，其特征在于，所述在所述第一重布线层远离所述玻璃芯单元的一侧制作芯片层的步骤，包括：
4.根据权利要求3所述的芯片封装方法，其特征在于，所述在所述芯片与所述第一重布线层之间形成一填充在两者之间的底部填充胶层，得到所述芯片层的步骤之后，所述方法还包括制作第二封装层的步骤，该步骤包括：
5.根据权利要求4所述的芯片封装方法，其特征在于，所述在所述玻璃芯单元远离所述第一重布线层的一侧制作与所述走线层电连接的第二重布线层的步骤，包括：
6.根据权利要求5所述的芯片封装方法，其特征在于，所述在所述玻璃芯单元远离所述第一重布线层的一侧制作与所述走线层电连接的第二重布线层的步骤之后，所述方法还包括：
7.一种芯片封装结构，其特征在于，所述芯片封装结构由上述权利要求1-6任意一项所述的芯片封装方法制成，
8.根据权利要求7所述的芯片封装结构，其特征在于，所述芯片封装结构还包括第二封装层；
9.根据权利要求7所述的芯片封装结构，其特征在于，所述芯片层还包括底部填充胶，所述底部填充胶位于所述芯片与所述第一重布线层之间；
10.一种电子设备，其特征在于，包括权利要求7-9中任意一项所述的芯片封装结构。
...【技术特征摘要】
1.一种芯片封装方法，其特征在于，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的芯片封装方法，其特征在于，所述对至少一个所述玻璃芯单元进行封装，在所述玻璃芯单元的周侧形成第一封装层的步骤，包括：
3.根据权利要求1所述的芯片封装方法，其特征在于，所述在所述第一重布线层远离所述玻璃芯单元的一侧制作芯片层的步骤，包括：
4.根据权利要求3所述的芯片封装方法，其特征在于，所述在所述芯片与所述第一重布线层之间形成一填充在两者之间的底部填充胶层，得到所述芯片层的步骤之后，所述方法还包括制作第二封装层的步骤，该步骤包括：
5.根据权利要求4所述的芯片封装方法，其特征在于，所述在所述玻璃芯单元远离所述第一重布线层的一侧制作与所述走线...
【专利技术属性】
技术研发人员：杨磊，黄辰会，钱孝伟，章霞，
申请(专利权)人：成都奕成集成电路有限公司，
类型：发明
国别省市：
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