【技术实现步骤摘要】
本公开大体上涉及电子器件及其制造方法，更精确地涉及双极晶体管及其制造方法。
技术介绍
1、双极晶体管是晶体管家族中的基于半导体的电子器件。其操作原理基于两个pn结，正向结和反向结。
2、双极晶体管制造方法可能存在问题。例如，在形成发射极期间蚀刻厚层堆叠可能会导致形成非平面层。这种层在形成接触期间可能会引起问题。
技术实现思路
1、实施例提供了一种制造双极晶体管的方法，包括：a)在衬底上形成第一层堆叠，该第一层堆叠包括在第二绝缘层和第三绝缘层之间由双极晶体管的基极的材料制成的第一层；b)以到达衬底的这种方式形成穿过第一堆叠的第一腔体，其中形成第一腔体包括不蚀刻除第三层之外的覆盖第一层的层；以及c)在第一腔体中形成双极晶体管的集电极的第一部分和双极晶体管的基极的第二部分。
2、根据实施例，第一部分和第二部分由外延生长形成。
3、根据实施例，第一部分比第二部分更靠近第一腔体的底部。
4、根据实施例，该方法包括：在步骤c)之后，d)形成覆盖第三层的上表面和第二部分的上表面的第四绝缘层，第四层包括暴露第二部分的上表面的一部分的开口。
5、根据实施例，第四层是平面的。
6、根据实施例，该方法包括：在步骤d)之后，e)形成第二层堆叠，该第二层堆叠包括由双极晶体管的发射极的材料制成的第五层和覆盖第五层的第六绝缘层。
7、根据实施例，第五层与第四层接触，并且填充第四层中的开口。
8、根据实施例，第五层的厚
9、根据实施例，该方法包括部分蚀刻第四层、第五层和第六层。
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1.一种双极晶体管制造方法，包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一部分和第二部分由外延生长形成。
3.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一部分比所述第二部分更靠近所述第一腔体的所述底部。
4.根据权利要求1所述的方法，还包括：在c)之后，d)形成第四绝缘层，所述第四绝缘层覆盖所述第三层的上表面和所述第二部分的上表面，并且在所述第四层中形成开口，暴露所述第二部分的上表面的一部分。
5.根据权利要求4所述的方法，其中所述第四层是平面的。
6.根据权利要求4所述的方法，还包括：在d)之后，e)形成第二层堆叠，所述第二层堆叠包括由所述双极晶体管的发射极的材料制成的第五层和覆盖所述第五层的第六绝缘层。
7.根据权利要求6所述的方法，其中所述第五层与所述第四层接触，并且填充所述第四层中的所述开口。
8.根据权利要求6所述的方法，其中所述第五层的厚度基本上等于所述第四层的厚度的十倍。
9.根据权利要求6所述的方法，还包括：部分蚀刻所述第四层、第五层和第六层。
10.一种双极
11.根据权利要求10的方法，还包括：
12.根据权利要求10所述的方法，其中所述第三层仅由氮化硅制成。
13.根据权利要求10所述的方法，其中形成所述第一腔体在用任何其他材料层覆盖所述第三层之前执行。
...【技术特征摘要】
1.一种双极晶体管制造方法，包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一部分和第二部分由外延生长形成。
3.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一部分比所述第二部分更靠近所述第一腔体的所述底部。
4.根据权利要求1所述的方法，还包括：在c)之后，d)形成第四绝缘层，所述第四绝缘层覆盖所述第三层的上表面和所述第二部分的上表面，并且在所述第四层中形成开口，暴露所述第二部分的上表面的一部分。
5.根据权利要求4所述的方法，其中所述第四层是平面的。
6.根据权利要求4所述的方法，还包括：在d)之后，e)形成第二层堆叠，所述第二层堆叠包括由所述双极晶体管的发射极的材...
【专利技术属性】
技术研发人员：E·布雷扎，A·高蒂尔，
申请(专利权)人：意法半导体国际公司，
类型：发明
国别省市：
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