氮化物结构体和半导体装置制造方法及图纸

技术编号：44867192 阅读：3 留言：0更新日期：2025-04-08 00:10

本发明专利技术提供一种氮化物结构体和半导体装置，其特性得以提高。根据实施方式，氮化物结构体包括：基体、氮化物部件、以及含Ga和N的半导体部件。氮化物部件在第1方向上设置在基体和半导体部件之间。氮化物部件包括第1氮化物区域、第2氮化物区域和第3氮化物区域。第1氮化物区域设置在基体和第3氮化物区域之间。第2氮化物区域设置在第1氮化物区域和第3氮化物区域之间。第1氮化物区域包含AlN。第2氮化物区域包含Al<subgt;x2</subgt;Ga<subgt;1‑x2</subgt;N(0<x2<1)。第3氮化物区域包含Al<subgt;x3</subgt;Ga<subgt;1‑x3</subgt;N(0<x3≤1，x2<x3)。第2氮化物区域沿着第1方向的第2厚度比第3氮化物区域沿着第1方向的第3厚度薄。

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【技术实现步骤摘要】

本专利技术的实施方式涉及氮化物结构体和半导体装置。

技术介绍

1、例如在基于氮化物结构体的半导体装置中，期待特性的提高。

技术实现思路

1、专利技术要解决的课题

2、本专利技术的实施方式提供一种能够提高特性的氮化物结构体和半导体装置。

3、解决课题的手段

4、根据本专利技术的实施方式，氮化物结构体包括基体、氮化物部件、以及含ga和n的半导体部件。所述氮化物部件在第1方向上设置在所述基体和所述半导体部件之间，所述氮化物部件包括第1氮化物区域、第2氮化物区域和第3氮化物区域，所述第1氮化物区域设置在所述基体和所述第3氮化物区域之间，所述第2氮化物区域设置在所述第1氮化物区域和所述第3氮化物区域之间，所述第1氮化物区域包含aln，所述第2氮化物区域包含alx2ga1-x2n(0<x2<1)，所述第3氮化物区域包含alx3ga1-x3n(0<x3≤1，x2<x3)，所述第2氮化物区域沿着所述第1方向的第2厚度比所述第3氮化物区域沿着所述第1方向的第3厚度薄。

5、专利技术效果

6、根据上述构成的氮化物结构体，可以提供能够提高特性的氮化物结构体和半导体装置。

【技术保护点】

1.氮化物结构体，其具备：

2.权利要求1所述的氮化物结构体，其中，

3.权利要求1所述的氮化物结构体，其中，所述第2厚度比所述第1氮化物区域沿着所述第1方向的第1厚度薄。

4.权利要求3所述的氮化物结构体，其中，所述第3厚度比所述第1厚度厚。

5.权利要求1所述的氮化物结构体，其中，

6.权利要求1所述的氮化物结构体，其中，

7.权利要求1所述的氮化物结构体，其中，

8.权利要求1所述的氮化物结构体，其中，所述第1氮化物区域不含碳，或者所述第1氮化物区域中的碳浓度低于所述第2氮化物区域中的碳浓度。

9.权利要求1所述的氮化物结构体，其中，

10.半导体装置，其具备：

【技术特征摘要】

1.氮化物结构体，其具备：

2.权利要求1所述的氮化物结构体，其中，

3.权利要求1所述的氮化物结构体，其中，所述第2厚度比所述第1氮化物区域沿着所述第1方向的第1厚度薄。

4.权利要求3所述的氮化物结构体，其中，所述第3厚度比所述第1厚度厚。

5.权利要求1所述的氮化物结构体，其中，

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【专利技术属性】
技术研发人员：金子竜马，吉田学史，彦坂年辉，
申请(专利权)人：株式会社东芝，
类型：发明
国别省市：

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