【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体集成电路制造领域，特别涉及一种半导体器件及其制造方法。
技术介绍
1、载流子迁移率是衡量cmos器件的重要指标，它反映cmos器件的驱动电流性能，载流子迁移率越大，cmos器件性能越优。应力记忆技术(smt,stress memorizationtechnology)采用具有应力的应力层覆盖晶体管，使得应力向晶体管传递获得更强应变以增大沟道载流子迁移率；并且，在应力层去除后，沟道区的应变仍能够保持。
2、目前，除了应力层的沉积条件及其厚度外，栅极高度、侧墙厚度、源/漏区结构及形貌等，都会影响应力层的应力向晶体管的传递，应力传递的不均匀会造成源/漏区的位错。
3、因此，如何改善源/漏区的位错是亟需解决的问题。
技术实现思路
1、本专利技术的目的在于提供一种半导体器件及其制造方法，使得能够改善源/漏区的位错，以提高器件性能。
2、为实现上述目的，本专利技术提供了一种半导体器件的制造方法，包括：
3、提供一衬底，所述衬底上形成有栅极结构；
4、形成源极区和漏极区于所述栅极结构两侧的所述衬底中；
5、形成应力层于所述衬底上，所述应力层覆盖所述栅极结构、所述源极区和所述漏极区；
6、在所述源极区和/或所述漏极区上形成贯穿所述应力层的通孔；
7、执行退火工艺。
8、可选地，形成源极区和漏极区于所述栅极结构两侧的所述衬底中之前，所述半导体器件的制造方法还包括：
<...【技术保护点】
1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，形成源极区和漏极区于所述栅极结构两侧的所述衬底中之前，所述半导体器件的制造方法还包括：
3.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，在所述源极区和/或所述漏极区上形成贯穿所述应力层的通孔的步骤包括：
4.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述应力层为张应力层或压应力层。
5.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述应力层的材质包括氮化硅。
6.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述半导体器件的制造方法还包括：
7.如权利要求1-6任一项所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述半导体器件的制造方法还包括：
8.一种半导体器件，其特征在于，包括：
9.如权利要求8所述的半导体器件，其特征在于，所述应力层为张应力层或压应力层。
10.如权利要求8-9任一项所述的半导体器件，其特征在于，所述应力层的材质包括氮化
...【技术特征摘要】
1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，形成源极区和漏极区于所述栅极结构两侧的所述衬底中之前，所述半导体器件的制造方法还包括：
3.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，在所述源极区和/或所述漏极区上形成贯穿所述应力层的通孔的步骤包括：
4.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述应力层为张应力层或压应力层。
5.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，...
【专利技术属性】
技术研发人员：王祁，吴年汉，
申请(专利权)人：武汉新芯集成电路股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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