【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于芯片热稳态测试，具体涉及一种大功率半导体芯片热稳态测试方法。
技术介绍
1、随着计算机技术的不断发展，芯片的功率越来越大，热管理问题也变得越来越重要。
2、芯片的功率密度逐渐增大，导致芯片的散热问题日益凸显；在芯片的运行过程中，其温度过高会导致芯片失效；因此，热管理问题成为芯片设计、制造和测试中的一个重要方面；稳态寿命试验是芯片可靠性测试的重要手段之一。
3、在稳态寿命试验中，芯片需在极端高温环境下长时间工作，其温度控制直接影响到芯片的可靠性评估结果；传统温控方法如恒压法、恒流法及恒功率法，虽能在一定程度上控制芯片温度，但往往缺乏动态调节能力，难以应对快速变化的热负荷，导致温控精度和效率受限。
技术实现思路
1、本专利技术的目的在于提供一种大功率半导体芯片热稳态测试方法，提升稳态寿命试验的准确性和芯片的可靠性。
2、为实现上述目的，本专利技术提供如下技术方案：一种大功率半导体芯片热稳态测试方法，包括
3、温度传感器：安装于芯片表面，用于实时监测芯片温度；
4、控制器：接收温度传感器的信号，进行数据处理和算法运算，输出控制指令；
5、电源管理模块：根据控制器的指令，调节芯片的电源电压和频率；
6、反馈回路：形成闭环控制，确保温控精度和响应速度；
7、热稳态测试方法如下：
8、设定目标温度范围及允许的温度波动阈值；
9、温度传感器持续监测芯片温度，并将数
10、控制器根据当前温度与目标温度的偏差，计算所需调整的热功率变化量；
11、电源管理模块根据控制器的指令，动态调整芯片的电源电压和频率，改变热功率输出；
12、持续监测调整后的温度变化，通过反馈回路微调控制参数，直至芯片温度稳定在目标范围内。
13、作为本专利技术的一种优选的技术方案，设定目标温度范围及允许的温度波动阈值基于如下因素：
14、根据芯片的材料、设计以及预期的工作条件，确定温度范围；
15、考虑芯片的长期运行稳定性和寿命，设定温度范围；
16、考虑芯片所处的外部环境温度、散热条件，确保设定的温度范围在实际环境中是可实现的；
17、根据芯片的敏感度和稳定性要求来设定温度波动阈值。
18、作为本专利技术的一种优选的技术方案，温度传感器持续监测芯片温度，并将数据发送至控制器，实现方法如下：温度传感器通过物理接触或接近芯片表面来测量温度，传感器将温度转换为电信号，电信号通过导线或无线方式传输到控制器。
19、作为本专利技术的一种优选的技术方案，所述电信号包括电压、电流、数字信号。
20、作为本专利技术的一种优选的技术方案，控制器根据当前温度与目标温度的偏差，计算所需调整的热功率变化量，实现方法是基于控制器内包含的算法计算温度偏差并确定所需的热功率调整量。
21、作为本专利技术的一种优选的技术方案，所述算法基于pid控制策略。
22、作为本专利技术的一种优选的技术方案，电源管理模块根据控制器的指令，动态调整芯片的电源电压和频率，改变热功率输出，实现方法如下：
23、电源管理模块具有可编程的接口，用于接收控制器的指令并调整电源的电压和频率；
24、对于电压调整，电源管理模块使用dc-dc转换器或线性稳压器来改变输出电压；
25、对于频率调整，通过改变时钟信号的频率或启用时钟域来实现；
26、控制器通过发送指令到电源管理模块，来动态调整芯片的供电条件，从而改变其热功率输出。
27、作为本专利技术的一种优选的技术方案，所述指令包括电压值、频率值、pwm占空比。
28、与现有技术相比，本专利技术的有益效果是：
29、通过实时监测与动态调节，实现了芯片温度的精确控制，有效提升了芯片的稳态寿命和可靠性，为高性能芯片的热管理提供了一种创新且高效的解决方案，具有广阔的应用前景。
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1.一种大功率半导体芯片热稳态测试方法，其特征在于：包括
2.根据权利要求1所述的一种大功率半导体芯片热稳态测试方法，其特征在于：设定目标温度范围及允许的温度波动阈值基于如下因素：
3.根据权利要求1所述的一种大功率半导体芯片热稳态测试方法，其特征在于：温度传感器持续监测芯片温度，并将数据发送至控制器，实现方法如下：温度传感器通过物理接触或接近芯片表面来测量温度，传感器将温度转换为电信号，电信号通过导线或无线方式传输到控制器。
4.根据权利要求3所述的一种大功率半导体芯片热稳态测试方法，其特征在于：所述电信号包括电压、电流、数字信号。
5.根据权利要求1所述的一种大功率半导体芯片热稳态测试方法，其特征在于：控制器根据当前温度与目标温度的偏差，计算所需调整的热功率变化量，实现方法是基于控制器内包含的算法计算温度偏差并确定所需的热功率调整量。
6.根据权利要求5所述的一种大功率半导体芯片热稳态测试方法，其特征在于：所述算法基于PID控制策略。
7.根据权利要求1所述的一种大功率半导体芯片热稳态测试方法，其特征在于
8.根据权利要求7所述的一种大功率半导体芯片热稳态测试方法，其特征在于：所述指令包括电压值、频率值、PWM占空比。
...【技术特征摘要】
1.一种大功率半导体芯片热稳态测试方法，其特征在于：包括
2.根据权利要求1所述的一种大功率半导体芯片热稳态测试方法，其特征在于：设定目标温度范围及允许的温度波动阈值基于如下因素：
3.根据权利要求1所述的一种大功率半导体芯片热稳态测试方法，其特征在于：温度传感器持续监测芯片温度，并将数据发送至控制器，实现方法如下：温度传感器通过物理接触或接近芯片表面来测量温度，传感器将温度转换为电信号，电信号通过导线或无线方式传输到控制器。
4.根据权利要求3所述的一种大功率半导体芯片热稳态测试方法，其特征在于：所述电信号包括电压、电流、数字信号。
5.根据权利要求1...
【专利技术属性】
技术研发人员：濮旦晨，葛荣，周德金，钟磊，潘彦宏，
申请(专利权)人：无锡英诺赛思科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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