【技术实现步骤摘要】
本申请涉及显示，具体涉及一种发光器件和显示装置。
技术介绍
1、在微型发光二极管(micro light emitting diode，micro led)的制作过程中，干法蚀刻(dry etch)会引入很多的侧壁缺陷，成为表面复合、非辐射复合的通道，导致微型发光二极管的发光效率降低，发光均匀性受到影响。
2、同时，随着微型发光二极管的尺寸减小，微型发光二极管的侧壁面积占微型发光二极管的整体表面积的比值增大，侧壁发光增加，导致微型发光二极管的正面发光效率降低。
3、故，有必要提出一种新的技术方案，以解决上述技术问题。
技术实现思路
1、本申请的目的在于提供一种发光器件和显示装置，旨在减弱发光器件的侧壁发光，提高发光器件的正面发光效率。
2、为解决上述问题，本申请的技术方案如下：
3、第一方面，本申请提出了一种发光器件，包括主发光区和位于所述主发光区至少一侧的次发光区，发光器件包括：
4、衬底；
5、第一半导体层，设于所述衬底的一侧；
6、发光层，设于所述第一半导体层远离所述衬底的一侧，所述第一半导体层与所述发光层的接触面为第一面；
7、第二半导体层，设于所述发光层远离所述第一半导体层的一侧，所述第二半导体层与所述发光层的接触面为第二面，所述第二半导体层远离所述发光层的一面为第三面；
8、第一电极，连接于所述第一半导体层；以及
9、第二电极，连接于所述第二半导体层；
10、其中，所述第一面、所述第二面以及所述第三面中的至少一面位于所述主发光区的部分为第一表面，所述第一面、所述第二面以及所述第三面位于所述次发光区的部分为第二表面；
11、在所述发光器件的平面视图中，单位面积的所述第一表面与相邻膜层表面接触形成的第一接触电阻小于单位面积的所述第二表面与相邻膜层表面接触形成的第二接触电阻。
12、在本申请的一实施例中，所述第一表面为凹凸表面，所述第二表面为平整表面。
13、在本申请的一实施例中，所述第一半导体层包括：
14、第一半导体部，所述第一半导体部位于所述衬底和所述发光层之间，所述第一半导体部靠近所述发光层的一面位于所述次发光区的部分为所述平整表面；和
15、多个第一凸起，设于所述第一半导体部靠近所述发光层的一面，多个所述第一凸起与所述第一半导体部为一体结构，多个所述第一凸起位于所述主发光区，所述发光层覆盖多个所述第一凸起和所述第一半导体部的一部分，所述第一半导体部靠近所述发光层的一面位于所述主发光区的部分与多个所述第一凸起形成所述凹凸表面。
16、在本申请的一实施例中，所述第二半导体层包括：
17、第二半导体部，所述第二半导体部位于所述发光层和第二电极之间，所述第二半导体部靠近所述发光层的一面位于所述次发光区的部分为所述平整表面；和
18、多个第二凸起，设于所述第二半导体部靠近所述发光层的一面，多个所述第二凸起与所述第二半导体部为一体结构，多个所述第二凸起位于所述主发光区，所述发光层覆盖多个所述第二凸起和所述第二半导体部，所述第二半导体部靠近所述发光层的一面位于所述主发光区的部分与多个所述第二凸起形成所述凹凸表面。
19、在本申请的一实施例中，所述第二半导体层包括：
20、第二半导体部，所述第二半导体部位于所述发光层背离所述第一半导体层的一侧，所述第二半导体部背离所述发光层的一面位于所述次发光区的部分为所述平整表面；和
21、多个第三凸起，设于所述第二半导体部背离所述发光层的一侧，多个所述第三凸起与所述第二半导体部为一体结构，多个所述第三凸起位于所述主发光区，所述第二半导体部背离所述发光层的一面位于所述主发光区的部分与多个所述第三凸起形成所述凹凸表面。
22、在本申请的一实施例中，所述第二半导体部靠近所述发光层的一面位于所述次发光区的部分为平整表面；
23、所述第二半导体层还包括多个第二凸起，设于所述第二半导体部靠近所述发光层的一面，多个所述第二凸起与所述第二半导体部为一体结构，多个所述第二凸起位于所述主发光区，所述发光层覆盖多个所述第二凸起和所述第二半导体部，所述第二半导体部靠近所述发光层的一面位于所述主发光区的部分与多个所述第二凸起形成所述凹凸表面。
24、在本申请的一实施例中，所述第一半导体层包括：
25、第一半导体部，所述第一半导体部位于所述衬底和所述发光层之间，所述第一半导体部靠近所述发光层的一面位于所述次发光区的部分为平整表面；和
26、多个第一凸起，设于所述第一半导体部靠近所述发光层的一面，多个所述第一凸起与所述第一半导体部为一体结构，多个所述第一凸起位于所述主发光区，所述发光层覆盖多个所述第一凸起和所述第一半导体部的一部分，所述第一半导体部靠近所述发光层的一面位于所述主发光区的部分与多个所述第一凸起形成所述凹凸表面。
27、在本申请的一实施例中，多个所述第一凸起间隔设置且均匀分布在所述第一半导体部靠近所述发光层的一面，多个所述第二凸起间隔设置且均匀分布在所述第二半导体部靠近所述发光层的一面，多个所述第三凸起间隔设置且均匀分布在所述第二半导体部背离所述发光层的一面。
28、在本申请的一实施例中，在所述发光器件的平面视图中，所述次发光区环绕所述主发光区设置；
29、单位面积的所述第一凸起的数量自所述主发光区的中心向所述主发光区的边缘减少；
30、单位面积的所述第二凸起的数量自所述主发光区的中心向所述主发光区的边缘减少；
31、单位面积的所述第三凸起的数量自所述主发光区的中心向所述主发光区的边缘减少。
32、在本申请的一实施例中，所述第一凸起的形状为锥体、柱体、台体、球体、椭球体、半球体中的一种或几种的组合；
33、所述第二凸起的形状为锥体、柱体、台体、球体、椭球体、半球体中的一种或几种的组合；
34、所述第三凸起的形状为锥体、柱体、台体、球体、椭球体、半球体中的一种或几种的组合。
35、在本申请的一实施例中，所述发光器件还包括：
36、电流阻挡层，设于所述第二半导体层背离所述发光层的一侧；
37、透明导电层，设于所述第二半导体层背离所述发光层的一侧，并覆盖所述电流阻挡层，所述透明导电层连接所述第二半导体层和所述第二电极；以及
38、反射层，包覆所述第一半导体层、所述发光层、所述第二半导体层以及所述透明导电层，所述反射层设有第一通孔和第二通孔，所述第一通孔暴露所述透明导电层的一部分，所述第二通孔暴露所述第一半导体层的一部分，所述第一电极穿过所述第一通孔与所述第一半导体层连接，所述第二电极穿过所述第二通孔与所述透明导电层连接。
39、第二方面，本申请提出了一种显示装置，包括发光器件，所述发光器件包括衬底、第一半导体层、发光层、第二本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种发光器件，其特征在于，包括主发光区和位于所述主发光区至少一侧的次发光区，包括：
2.如权利要求1所述的发光器件，其特征在于，所述第一表面为凹凸表面，所述第二表面为平整表面。
3.如权利要求2所述的发光器件，其特征在于，所述第一半导体层包括：
4.如权利要求2所述的发光器件，其特征在于，所述第二半导体层包括：
5.如权利要求2所述的发光器件，其特征在于，所述第二半导体层包括：
6.如权利要求5所述的发光器件，其特征在于，所述第二半导体部靠近所述发光层的一面位于所述次发光区的部分为平整表面；
7.如权利要求6所述的发光器件，其特征在于，所述第一半导体层包括：
8.如权利要求7所述的发光器件，其特征在于，多个所述第一凸起间隔设置且均匀分布在所述第一半导体部靠近所述发光层的一面，多个所述第二凸起间隔设置且均匀分布在所述第二半导体部靠近所述发光层的一面，多个所述第三凸起间隔设置且均匀分布在所述第二半导体部背离所述发光层的一面。
9.如权利要求7所述的发光器件，其特征在于，在所述发光器件的
10.如权利要求7-9中任一项所述的发光器件，其特征在于，所述第一凸起的形状为锥体、柱体、台体、球体、椭球体、半球体中的一种或几种的组合；
11.如权利要求1-9中任一项所述的发光器件，其特征在于，所述发光器件还包括：
12.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求1-11中任一项所述的发光器件。
...【技术特征摘要】
1.一种发光器件，其特征在于，包括主发光区和位于所述主发光区至少一侧的次发光区，包括：
2.如权利要求1所述的发光器件，其特征在于，所述第一表面为凹凸表面，所述第二表面为平整表面。
3.如权利要求2所述的发光器件，其特征在于，所述第一半导体层包括：
4.如权利要求2所述的发光器件，其特征在于，所述第二半导体层包括：
5.如权利要求2所述的发光器件，其特征在于，所述第二半导体层包括：
6.如权利要求5所述的发光器件，其特征在于，所述第二半导体部靠近所述发光层的一面位于所述次发光区的部分为平整表面；
7.如权利要求6所述的发光器件，其特征在于，所述第一半导体层包括：
8.如权利要求7所述的发光器件，其...
【专利技术属性】
技术研发人员：王作家，杨勇，刘凡成，陈云妮，姜何，牛缓缓，关彦涛，潘海龙，杨俊，
申请(专利权)人：武汉华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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