【技术实现步骤摘要】
本申请的实施例涉及半导体器件结构及其形成方法。
技术介绍
1、半导体集成电路(ic)工业经历了指数级增长。ic材料和设计中的技术进步已经产生了多代ic，其中每一代都具有比上一代更小且更复杂的电路。在ic发展的过程中，功能密度(即，每芯片区的互连器件的数量)普遍增大，而几何尺寸(即，可以使用制造工艺创建的最小组件(或线))已经减小。这种缩小工艺通常通过提高生产效率和降低相关成本来提供益处。这样的缩小也增加了处理和制造ic的复杂性。
2、为了追求更高的器件密度、更高的性能和更低的成本，来自制造和设计问题的挑战产生了三维设计的发展，诸如多栅极场效应晶体管(fet)，包括纳米片fet。在纳米片fet中，沟道区域的所有侧面由栅电极围绕，这允许沟道区域中更充分的耗尽，并且由于更陡的亚阈值电流摆动(ss)和更小的漏致势垒降低(dibl)而产生更少的短沟道效应。随着晶体管尺寸不断缩小，需要纳米片fet的进一步改进。
技术实现思路
1、本申请的一些实施例提供了一种半导体器件结构，包括：源极/漏极部件，设置在衬底上方；多个半导体层，垂直堆叠在所述衬底上方并且与所述源极/漏极部件接触；栅电极层，围绕所述多个半导体层的每个的部分；第一介电间隔件，与所述多个半导体层的最顶部半导体层的第一侧接触；以及第二介电间隔件，与所述多个半导体层的所述最顶部半导体层的第二侧接触。
2、本申请的另一些实施例提供了一种半导体器件结构，包括：多个第一半导体层，设置在衬底的第一器件区域处；第一源极/漏极部
3、本申请的又一些实施例提供了一种用于形成半导体器件结构的方法，包括：在衬底上方形成蚀刻停止层，所述蚀刻停止层具有掺杂剂的第一浓度；在所述蚀刻停止层上形成半导体层堆叠件，所述半导体层堆叠件包括交替堆叠的多个第一半导体层和多个第二半导体层，并且所述多个第二半导体层的每个具有所述掺杂剂的第二浓度；氧化所述第一半导体层和所述第二半导体层以及所述蚀刻停止层的表面部分；从所述第二半导体层的所述氧化表面部分去除所述掺杂剂；使蚀刻气体流过所述第二半导体层的所述氧化表面部分，以去除所述多个第二半导体层的每个；使沉积气体流过所述第二半导体层的所述氧化表面部分，以在曾去除所述第二半导体层的所述区域中形成沟道层；以及去除所述第二半导体层的所述氧化表面部分。
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1.一种半导体器件结构，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体器件结构，其中，所述第一介电间隔件和所述第二介电间隔件与栅极间隔件接触。
3.根据权利要求1所述的半导体器件结构，其中，所述多个半导体层由锗形成。
4.根据权利要求3所述的半导体器件结构，其中，所述半导体层的每个由应变锗形成。
5.根据权利要求2所述的半导体器件结构，还包括：
6.根据权利要求5所述的半导体器件结构，其中，所述第一介电间隔件设置在所述栅电极层和所述接触蚀刻停止层之间。
7.根据权利要求1所述的半导体器件结构，其中，所述多个半导体层的所述最顶部半导体层具有第一厚度，并且所述第一介电间隔件具有大于所述第一厚度的第二厚度。
8.根据权利要求1所述的半导体器件结构，还包括：
9.一种半导体器件结构，包括：
10.一种用于形成半导体器件结构的方法，包括：
【技术特征摘要】
1.一种半导体器件结构，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体器件结构，其中，所述第一介电间隔件和所述第二介电间隔件与栅极间隔件接触。
3.根据权利要求1所述的半导体器件结构，其中，所述多个半导体层由锗形成。
4.根据权利要求3所述的半导体器件结构，其中，所述半导体层的每个由应变锗形成。
5.根据权利要求2所述的半导体器件结构，还包括：
6.根据权利要求5所...
【专利技术属性】
技术研发人员：王志豪，陈冠霖，黄咸志，余家濠，王培宇，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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