【技术实现步骤摘要】
本申请涉及存储器，尤其涉及一种存储芯片及其温度加速因子值的计算方法、存储设备。
技术介绍
1、随着nand闪存单元尺寸的缩小和存储密度的提高，其可靠性问题变得愈加显著，nand闪存的寿命问题已成为大规模生产中的一项严峻挑战。测试人员通常采用高温环境加速对nand闪存的寿命进行测试，但如何准确计算高温下的温度加速因子一直是业界面临的难题。
2、目前，计算nand闪存在高温下的温度加速因子主流的方法是使用经典热力学公式——arrhenius公式，来计算温度加速因子。然而，arrhenius公式中的活化能(ea)参数的确定一直是计算中的难点，它对温度加速因子的计算影响甚大(呈指数级)，其通常由nand闪存原厂提供某一固定值，然而实际上每颗nand flash晶圆的ea值并不相同，同一颗nandflash晶圆在不同磨损寿命下的ea值也不相同，这导致了实际计算结果的显著偏差，无法准确计算每颗nand flash晶圆在高温下的温度加速因子。
技术实现思路
1、本申请的目的是提供一种存储芯片及其温度加速因子值的计算方法、存储设备，以准确计算每个存储芯片在高温下的温度加速因子。
2、本申请公开了一种存储芯片的温度加速因子值的计算方法，所述计算方法包括步骤：
3、选定第一实验温度和第二实验温度；
4、将第一存储芯片置于所述第一实验温度下加热第一时间，记录所述第一存储芯片的第一存储状态数据；
5、将第二存储芯片置于所述第二实验温度下，记录所述
6、当所述第二存储状态数据与所述第一存储状态数据之间的偏差小于预设百分比时，记录所述第二存储芯片置于所述第二实验温度状态下的第二时间，并通过所述第二时间和所述第一时间计算得出模拟温度加速因子；
7、通过将所述第一实验温度、所述第二实验温度和所述模拟温度加速因子带入第一公式计算得出活化能参数；以及
8、将所述活化能参数带入第二公式计算出温度加速因子值；
9、其中，所述第一实验温度高于所述第二实验温度，所述第一存储芯片和所述第二存储芯片的初始状态相同。
10、可选的，所述第一存储状态数据为所述第一存储芯片在第一实验温度状态下加热第一时间的错误比特数，所述第二存储状态数据为所述第二存储芯片在第二实验温度下的错误比特数；或者，所述第一存储状态数据为所述第一存储芯片在第一实验温度状态下加热第一时间的阈值电压数据，所述第二存储状态数据为所述第二存储芯片在第二实验温度下的阈值电压数据。
11、可选的，所述第一存储状态数据包括所述第一存储芯片在第一实验温度状态下加热第一时间的错误比特数和阈值电压数据，所述第二存储状态数据为所述第二存储芯片在第二实验温度下的错误比特数和阈值电压数据。
12、可选的，在将第二存储芯片置于所述第二实验温度下，记录所述存储芯片的第二存储状态数据这一步骤中，每隔十分钟记录一次所述第二存储芯片的存储状态数据。
13、可选的，所述第一公式为：其中，y＝ln(第二时间/第一时间)；其中，tu为所述第二实验温度的绝对温度，ta为所述第一实验温度的绝对温度，k为玻尔兹常数，ea为活化能参数。
14、可选的，所述第二公式为：其中，ea为活化能参数，k为玻尔兹常数，t′u为实际常温的绝对温度，t′a为实际高温的绝对温度，aft为温度加速因子。
15、可选的，在通过将所述第一实验温度、所述第二实验温度和所述模拟温度加速因子带入第一公式计算得出活化能参数这一步骤中，包括：
16、至少统计三组对照实验，每一组对照实验中都具有所述第一实验温度、所述第二实验温度、所述第一时间和所述第二时间；
17、通过所述第一实验温度和所述第二实验温度计算得到每组对照实验的x值，通过所述第一时间和所述第二时间计算得到每组对照实验的y值；
18、以每组对照实验的x值为横坐标，y值横坐标，得到每组对照实验对应的坐标点；以及
19、将每组对照实验对应的坐标点在坐标轴上相连，根据连线的斜率计算出ea/k的值，进而计算出活化能参数。
20、可选的，所述预设百分比为5％。
21、本申请还公开了一种存储芯片，所述存储芯片采用如上所述的存储芯片的温度加速因子值的计算方法进行计算温度加速因子值。
22、本申请还公开了一种存储设备，所述存储设备包括如上所述的存储芯片。
23、本申请的有益效果为：由于不同批次的存储芯片甚至同一个存储芯片在不同磨损寿命下的活化能参数有所差异，在采用这一活化能参数计算存储芯片的温度加速因子时，会存在较大的偏差。本申请首先通过实验测试存储芯片实际的活化能参数，然后再通过公式准确地计算出存储芯片在高温下的温度计算因子，可以精准得到存储芯片在不同实际高温下对于实际常温的温度加速因子值，从而计算出存储芯片的寿命。
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1.一种存储芯片的温度加速因子值的计算方法，其特征在于，包括步骤：
2.如权利要求1所述的存储芯片的温度加速因子值的计算方法，其特征在于，所述第一存储状态数据为所述第一存储芯片在第一实验温度状态下加热第一时间的错误比特数，所述第二存储状态数据为所述第二存储芯片在第二实验温度下的错误比特数；或者
3.如权利要求1所述的存储芯片的温度加速因子值的计算方法，其特征在于，所述第一存储状态数据包括所述第一存储芯片在第一实验温度状态下加热第一时间的错误比特数和阈值电压数据，所述第二存储状态数据包括所述第二存储芯片在第二实验温度下的错误比特数和阈值电压数据。
4.如权利要求1所述的存储芯片的温度加速因子值的计算方法，其特征在于，在将第二存储芯片置于所述第二实验温度下，记录所述存储芯片的第二存储状态数据这一步骤中，每隔十分钟记录一次所述第二存储芯片的存储状态数据。
5.如权利要求1所述的存储芯片的温度加速因子值的计算方法，其特征在于，所述第一公式为：
6.如权利要求1所述的存储芯片的温度加速因子值的计算方法，其特征在于，所述第二公式为：
7.如权利要求5所述的存储芯片的温度加速因子值的计算方法，其特征在于，在通过将所述第一实验温度、所述第二实验温度和所述模拟温度加速因子带入第一公式计算得出活化能参数这一步骤中，包括：
8.如权利要求1所述的存储芯片的温度加速因子值的计算方法，其特征在于，所述预设百分比为5％。
9.一种存储芯片，其特征在于，采用如权利要求1-8任意一项所述的存储芯片的温度加速因子值的计算方法进行计算温度加速因子值。
10.一种存储设备，其特征在于，包括如权利要求9所述的存储芯片。
...【技术特征摘要】
1.一种存储芯片的温度加速因子值的计算方法，其特征在于，包括步骤：
2.如权利要求1所述的存储芯片的温度加速因子值的计算方法，其特征在于，所述第一存储状态数据为所述第一存储芯片在第一实验温度状态下加热第一时间的错误比特数，所述第二存储状态数据为所述第二存储芯片在第二实验温度下的错误比特数；或者
3.如权利要求1所述的存储芯片的温度加速因子值的计算方法，其特征在于，所述第一存储状态数据包括所述第一存储芯片在第一实验温度状态下加热第一时间的错误比特数和阈值电压数据，所述第二存储状态数据包括所述第二存储芯片在第二实验温度下的错误比特数和阈值电压数据。
4.如权利要求1所述的存储芯片的温度加速因子值的计算方法，其特征在于，在将第二存储芯片置于所述第二实验温度下，记录所述存储芯片的第二存储状态数据这一步骤中，每隔十分钟记...
【专利技术属性】
技术研发人员：戈慧敏，黄善勇，卢颖福，
申请(专利权)人：深圳市时创意电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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