【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种纳米颗粒磁性膜及电子部件。
技术介绍
1、近年来，在智能手机或智能手表等移动设备中，同时要求显示屏幕的大型化、电池容量的增加、小型化以及轻量化。显示屏幕的大型化及电池容量的增加的要求是与小型化及轻量化的要求相反的要求。为了实现这些相反的要求，要求电路基板的小型化。在电路基板中，也特别要求占较大面积的电源电路的小型化。而且，在电源电路中，也特别要求安装面积大的电感器的小型化。
2、对于电感器的小型化，将电源电路的驱动频率高频化特别有效。为了将电源电路的驱动频率高频化，需要可高频驱动的开关元件。
3、一直以来，电源电路用的开关元件由硅制作，因此，电源电路的驱动频率受限。这是由硅的物理特性的极限引起的问题。但是，近年来正在将gan或sic等物理特性比硅优异的半导体用于开关元件。
4、通过将gan等高频特性良好的半导体用于开关元件，可以进行开关元件的高频驱动，能够实现电源电路的高频驱动。例如，与以前的硅制的开关元件相比，由gan制作的开关元件可以进行很高的频率下的开关，能够以很高的频率驱动电源电路。
5、通过电源电路的高频驱动化，能够将被动部件特别是尺寸大的电源用电感器大幅小型化。因此，能够将电源电路大幅小型化。为了可以进行电源用电感器的高频驱动，需要实现在高频区域具有高的磁导率的磁性体，并将其用作电感器的磁芯材料。
6、作为能够应对高频驱动的电源用小型电感器的形态，薄膜电感器是最合适的。通过半导体工序在基板上将线圈、端子、磁性膜及绝缘层等层叠来制造薄膜电感器
7、专利文献1中记载了一种非晶质合金，其具有含有金属元素的微粒分散于由氮化合物构成的非晶质膜的结构。这样的结构目前有时也被称为纳米颗粒结构。而且，具有这样的结构的磁性膜有时也被称为纳米颗粒磁性膜。
8、纳米颗粒磁性膜同时具有比铁氧体材料高的饱和磁通密度bs和比一般的磁性合金高的电阻率ρ，因此，在高频驱动下具有高的磁导率。因此，对纳米颗粒磁性膜在薄膜电感器中的应用进行了研究。
9、另外，专利文献2中记载了一种纳米颗粒磁性膜，其含有fe、co等元素，且能够由三维原子探针测定的各种参数在特定的范围内。该纳米颗粒磁性膜的矫顽力高且饱和磁通密度低。
10、现有技术文献
11、专利文献
12、专利文献1：日本特开昭60-152651号公报
13、专利文献2：国际公开第2023/127199号
技术实现思路
1、专利技术所要解决的技术问题
2、本专利技术的目的在于提供一种电阻率相对于饱和磁通密度bs高的纳米颗粒磁性膜。
3、用于解决技术问题的技术方案
4、为了实现上述目的，本专利技术所涉及的纳米颗粒磁性膜是具有第一相的微小区域分散于第二相中的结构的纳米颗粒磁性膜，其中，
5、所述第一相含有fe及co，所述第二相含有选自o、n及f中的一种以上，
6、对所述纳米颗粒磁性膜设定测定范围，以80000个以上的1nm×1nm×1nm的网格分割所述测定范围，并以原子数比测定各网格的fe/(fe+co)，在该情况下，
7、对各网格算出的fe/(fe+co)的cv值为0.150以上0.500以下。
8、也可以是，所述第一相相对于所述第一相及所述第二相的合计体积的体积比例为40％以上65％以下。
9、也可以是，对所述各网格算出的fe/(fe+co)的平均值为0.15以上0.85以下。
10、本专利技术所涉及的电子部件具有上述的纳米颗粒磁性膜。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种纳米颗粒磁性膜，其中，
2.根据权利要求1所述的纳米颗粒磁性膜，其中，
3.根据权利要求1或2所述的纳米颗粒磁性膜，其中，
4.一种电子部件，其中，
【技术特征摘要】
1.一种纳米颗粒磁性膜，其中，
2.根据权利要求1所述的纳米颗粒磁性膜，其中，
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