【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本公开涉及一种固态成像装置。
技术介绍
1、专利文献1公开了一种固态成像装置。该固态成像装置针对规则布置的多个像素中的每一者包括光电转换器。光电转换器根据入射光产生作为信号的电荷。信号通过针对每个像素设置的传输晶体管传输到浮动扩散部。浮动扩散部将信号传输到像素电路，并且像素电路处理该信号。浮动扩散部被彼此相邻地布置的多个像素共用。
2、引文列表
3、专利文献
4、专利文献1：国际公开号wo2020/262643
技术实现思路
1、顺便提及的是，在固态成像装置的制造过程中，对于多个像素中的每一者的传输晶体管的栅极电极，具体而言，对于向栅极电极提供控制信号的接触部，会发生浮动扩散部的错位。这种错位导致由每个像素的共用接触部和浮动扩散部产生的寄生电容存在差异。因此，在固态成像装置中，希望抑制由于寄生电容引起的信号差异和信号延迟。
2、根据本公开第一方面的固态成像装置包括：第一像素，其设置在基体的作为光入射侧的第一面侧，并包括将光转换成电荷的第一光电转换元件；第一晶体管，其设置在所述基体的与所述第一面相对的第二面侧且位于与所述第一像素相对应的位置处，并包括第一栅极电极和一对主电极，所述第一晶体管的所述一对主电极中的一个主电极电连接至所述第一光电转换元件；浮动扩散部，其设置在所述基体的所述第二面侧，并电连接至所述第一晶体管的另一主电极；以及低介电常数区域，其设置在所述浮动扩散部和与所述浮动扩散部相对的所述第一栅极电极之间，且具有比非相对区域的介
3、根据本公开第二方面的固态成像装置在根据第一方面的固态成像装置中还包括第二像素、第二晶体管和所述低介电常数区域。所述第二像素设置在所述基体的所述第一面侧且与所述第一像素相邻，并包括将光转换为电荷的第二光电转换元件。所述第二晶体管设置在所述基体的第二面侧且位于与所述第二像素相对应的位置处，并包括第二栅极电极和一对主电极，所述第二晶体管的所述一对主电极中的一个主电极电连接至所述第二光电转换元件，并且另一主电极电连接至所述浮动扩散部。所述低介电常数区域设置在所述浮动扩散部和与所述浮动扩散部相对的所述第二栅极电极之间。
4、在根据本公开第三方面的固态成像装置中，根据第一方面或第二方面的固态成像装置中的所述低介电常数区域包括间隙。
5、在根据本公开第四方面的固态成像装置中，根据第一方面或第二方面的固态成像装置中的所述低介电常数区域由低介电常数材料形成。
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1.一种固态成像装置，其包括：
2.根据权利要求1所述的固态成像装置，其还包括：
3.根据权利要求2所述的固态成像装置，其还包括：
4.根据权利要求3的固态成像装置，其中，
5.根据权利要求3的固态成像装置，其中，
6.根据权利要求3的固态成像装置，其中，所述像素隔离区域包括沿所述基体的深度方向形成的绝缘体区域。
7.根据权利要求3所述的固态成像装置，其中，所述共用接触部的一部分嵌入在所述基体中。
8.根据权利要求1的固态成像装置，其中，所述低介电常数区域包括间隙。
9.根据权利要求8的固态成像装置，其中，所述间隙中存在真空，或者所述间隙填充有空气或惰性气体。
10.根据权利要求1的固态成像装置，其中，所述低介电常数区域由低介电常数材料形成。
11.根据权利要求10的固态成像装置，其中，所述低介电常数材料包括氧化硅或掺杂碳的氧化硅。
12.根据权利要求2所述的固态摄像装置，其中，在所述第一栅极电极的所述非相对区域的侧面上以及在所述第二栅极电极的所述非
13.根据权利要求12的固态成像装置，其中，所述低介电常数区域的介电常数低于所述侧壁间隔件的介电常数。
14.根据权利要求2所述的固态成像装置，其还包括像素电路的晶体管，所述像素电路的所述晶体管位于所述基体的与所述第一像素和所述第二像素中的每一者相对应的所述第二面侧上，所述像素电路处理由所述第一光电转换元件或所述第二光电转换元件产生的电荷，其中，
...【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种固态成像装置，其包括：
2.根据权利要求1所述的固态成像装置，其还包括：
3.根据权利要求2所述的固态成像装置，其还包括：
4.根据权利要求3的固态成像装置，其中，
5.根据权利要求3的固态成像装置，其中，
6.根据权利要求3的固态成像装置，其中，所述像素隔离区域包括沿所述基体的深度方向形成的绝缘体区域。
7.根据权利要求3所述的固态成像装置，其中，所述共用接触部的一部分嵌入在所述基体中。
8.根据权利要求1的固态成像装置，其中，所述低介电常数区域包括间隙。
9.根据权利要求8的固态成像装置，其中，所述间隙中存在真空，或者所述间隙填充有空气或惰性气体。
10.根据权利要求1的固态...
【专利技术属性】
技术研发人员：田中大智，富田知大，
申请(专利权)人：索尼半导体解决方案公司，
类型：发明
国别省市：
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