System.ArgumentOutOfRangeException: 索引和长度必须引用该字符串内的位置。 参数名: length 在 System.String.Substring(Int32 startIndex, Int32 length) 在 zhuanliShow.Bind() 一种根据NAND Flash恢复后的忙碌时间判断脉冲宽度的方法技术_技高网

一种根据NAND Flash恢复后的忙碌时间判断脉冲宽度的方法技术

技术编号:44832460 阅读:7 留言:0更新日期:2025-04-01 19:33
一种根据NAND Flash恢复后的忙碌时间判断脉冲宽度的方法,涉及存储器技术领域,得到最大脉冲宽度t_pulse_max,解决NAND Flash擦除或写入的脉冲宽度无法通过仪器测量的问题。通过测试得到最大脉冲宽度后,在SSD实际应用中,擦除或写入挂起时,延时最大脉冲宽度的时间,防止最大脉冲一直被打断,擦除或写入一直无法完成的情况。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及存储器,具体涉及一种根据nand flash恢复后的忙碌时间判断脉冲宽度的方法。


技术介绍

1、nand flash是非易失性存储器,掉电数据不丢失,体积小,可以实现廉价高效的大容量存储,因此受到广泛应用。

2、一般而言,一片nand flash是有多个片选信号(ce),每个片选信号(ce)下由lun组成,lun是执行命令的最小单元。每个lun由许多块(block)组成,每个块(block)包含许多字线(word line),每个字线(word line)包含若干页(page)。用户可以对nand flash进行擦除(erase)、写入(write)和读取(read)操作,其中,块(block)一般是擦除操作的最小寻址单元,字线(word line)一般是写入操作的最小寻址单元,页(page)一般是读取操作的最小寻址单元。

3、nand flash的lun执行擦除或写入操作后,lun会进入忙碌(busy)状态,nandflash的lun的忙碌信号(busy)会被拉低,等待擦除或写入操作完成后,lun的忙碌信号(busy)会被拉高。执行擦除或写入操作时忙碌信号(busy)拉低的时间就是忙碌(busy)时间。忙碌(busy)时间内,由许多脉冲完成擦除或写入操作,但是是nand内部的处理,无法用通过逻辑分析仪检测到。

4、擦除和写入操作时,可发起挂起操作,当前的脉冲会被打断,挂起当前的lun的擦除或写入,当前lun就会由忙碌状态切换到空闲状态。在空闲状态下,就可以执行读命令等操作,以提高nand对读命令等操作的相应速度。等读命令等操作执行完后,再发送恢复命令,恢复刚才的擦除或写入操作,此时,擦除和写入会从上一个未执行完的脉冲开始,当前lun就会由空闲状态切换到忙碌状态,忙碌状态一直持续到擦除、写入执行完或下次挂起。最后一次挂起恢复后的忙碌时间被称为t_last_busy。

5、如附图1所示,一笔擦执行过程中有一笔读请求,读操作需要等10ms擦结束后再挂起,那么读操作有10ms的延时。下面为一笔擦执行过程中有一笔读请求,把擦除挂起用时100us,先执行读操作用时30us,那么读操作只有130us的延时。读操作执行完后,再把擦除恢复,因此有必要引入挂起恢复操作的必要。

6、如附图2所示,一笔擦操作是由许多脉冲组成的,假如在(1)点发送读请求,理想情况下是在(2)点发送suspend将擦除挂起,但是nandflash有可能在(1)点将擦除挂起,中断了当前脉冲。假如每次挂起的间隔时间总是小于脉冲宽度,则当前脉冲永远无法完成,故而需要一种方法去测试脉冲宽度。


技术实现思路

1、本专利技术为了克服以上技术的不足,提供了一种通过恢复后的忙碌时间是否大大减少判断脉冲宽度的方法。

2、本专利技术克服其技术问题所采用的技术方案是:

3、一种根据nand flash恢复后的忙碌时间判断脉冲宽度的方法,包括:

4、s1.对nand flash待测的block执行擦除并写满操作;

5、s2.对nand flash待测的block发送擦除或写入操作,nand flash内部发送擦写脉冲;

6、s3.以等待时间us后发送挂起命令;

7、s4.对nand flash当前lun除待测的block外的其它block执行读命令操作;

8、s5.对nand flash当前lun发送恢复命令,恢复擦除或写入操作;

9、s6.检查当前lun的擦除或写入操作是否完成,如果否则执行步骤s7,如果是则执行步骤s8;

10、s7.重复执行步骤s3至步骤s7x次,每次循环以pus的步长对等待时间增加,第次循环时实际挂起次数为、等待时间为、最后一次恢复到擦写操作完成时间为;

11、s8.将最后一次恢复到擦写操作完成时间首次为0时对应的等待时间作为最大的脉冲宽度t_pulse_max。

12、进一步的,步骤s1中对于待测的nand flash型号随机选取十片,对每片待测的nand flash每个lun下随机选取十个block作为待测的block。

13、进一步的,步骤s2中,nand flash内部发送擦写脉冲后,nand flash在忙碌时间内需要完成n个不均匀的脉冲。

14、进一步的,步骤s3中等待时间取值为0。

15、进一步的,步骤s3中等待时间us内发送擦写脉冲,等待us后发送挂起命令。

16、进一步的,步骤s3中发送挂起命令后等待成功挂起当前lun的擦除或写入,当前lun由忙碌状态切换到空闲状态,当lun切换到空闲状态时,擦写脉冲停止发送。

17、进一步的,步骤s5中恢复擦除或写入操作时,擦写脉冲从上一个未执行完的脉冲开始执行。

18、进一步的,步骤s7中p的取值为10。

19、进一步的,步骤s7中x取值为100。

20、进一步的,步骤s7中如果实际挂起次数为为0则检测测试代码的正确性。

21、本专利技术的有益效果是:得到最大脉冲宽度t_pulse_max,解决nand flash擦除或写入的脉冲宽度无法通过仪器测量的问题。通过测试得到最大脉冲宽度后,在ssd实际应用中,擦除或写入挂起时,延时最大脉冲宽度的时间,防止最大脉冲一直被打断,擦除或写入一直无法完成的情况。

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【技术保护点】

1.一种根据NAND Flash恢复后的忙碌时间判断脉冲宽度的方法,其特征在于,包括:

2.根据权利要求1所述的根据NAND Flash恢复后的忙碌时间判断脉冲宽度的方法,其特征在于:步骤S1中对于待测的NAND Flash型号随机选取十片,对每片待测的NAND Flash每个LUN下随机选取十个Block作为待测的block。

3.根据权利要求1所述的根据NAND Flash恢复后的忙碌时间判断脉冲宽度的方法,其特征在于:步骤S2中,NAND Flash内部发送擦写脉冲后,NAND Flash在忙碌时间内需要完成n个不均匀的脉冲。

4.根据权利要求1所述的根据NAND Flash恢复后的忙碌时间判断脉冲宽度的方法,其特征在于:步骤S3中等待时间取值为0。

5.根据权利要求1所述的根据NAND Flash恢复后的忙碌时间判断脉冲宽度的方法,其特征在于:步骤S3中等待时间us内发送擦写脉冲,等待us后发送挂起命令。

6.根据权利要求1所述的根据NAND Flash恢复后的忙碌时间判断脉冲宽度的方法,其特征在于:步骤S3中发送挂起命令后等待成功挂起当前LUN的擦除或写入,当前LUN由忙碌状态切换到空闲状态,当LUN切换到空闲状态时,擦写脉冲停止发送。

7.根据权利要求1所述的根据NAND Flash恢复后的忙碌时间判断脉冲宽度的方法,其特征在于:步骤S5中恢复擦除或写入操作时,擦写脉冲从上一个未执行完的脉冲开始执行。

8.根据权利要求1所述的根据NAND Flash恢复后的忙碌时间判断脉冲宽度的方法,其特征在于:步骤S7中P的取值为10。

9.根据权利要求1所述的根据NAND Flash恢复后的忙碌时间判断脉冲宽度的方法,其特征在于:步骤S7中x取值为100。

10.根据权利要求1所述的根据NAND Flash恢复后的忙碌时间判断脉冲宽度的方法,其特征在于:步骤S7中如果实际挂起次数为为0则检测测试代码的正确性。

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【技术特征摘要】

1.一种根据nand flash恢复后的忙碌时间判断脉冲宽度的方法,其特征在于,包括:

2.根据权利要求1所述的根据nand flash恢复后的忙碌时间判断脉冲宽度的方法,其特征在于:步骤s1中对于待测的nand flash型号随机选取十片,对每片待测的nand flash每个lun下随机选取十个block作为待测的block。

3.根据权利要求1所述的根据nand flash恢复后的忙碌时间判断脉冲宽度的方法,其特征在于:步骤s2中,nand flash内部发送擦写脉冲后,nand flash在忙碌时间内需要完成n个不均匀的脉冲。

4.根据权利要求1所述的根据nand flash恢复后的忙碌时间判断脉冲宽度的方法,其特征在于:步骤s3中等待时间取值为0。

5.根据权利要求1所述的根据nand flash恢复后的忙碌时间判断脉冲宽度的方法,其特征在于:步骤s3中等待时间us内发送擦写脉冲,等待us后发送挂起命令。...

【专利技术属性】
技术研发人员:蒋书斌曹成衣瑞刚
申请(专利权)人:山东华芯半导体有限公司
类型:发明
国别省市:

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