【技术实现步骤摘要】
本公开涉及一种晶片双侧抛光设备及其评估方法，更具体地涉及一种能够在晶片抛光后确保晶片高平整度的晶片双侧抛光设备及其评估方法。相关技术讨论通常的硅晶片的制造包括生产晶锭的晶锭生长工序、对晶锭进行切片从而获得具有薄盘形状的晶片的切片工序、去除通过机械加工造成的由于切片而残留在晶片处的损伤的研磨工序、对晶片抛光以具有镜面表面的抛光工序、以及对抛光后的晶片进行镜面抛光并去除附连至晶片的磨料或异物的清洁工序。抛光工序可分为双侧抛光，即对晶片进行小厚度抛光，以去除表面缺陷，使晶片具有更好的平整度，以及最终抛光，即对晶片进行约1μm厚度的精细抛光，以减少粗糙度，从而使晶片具有镜面表面。晶片双侧抛光设备包括带有附接至其上表面的衬垫的下部板、带有附接至其下表面的衬垫的上部板、以及承载件，该承载件安装在上部板与下部板之间且构造成支承安装在其上的晶片。晶片装载在形成在承载件中的孔中。上部板向下移动，从而向晶片施加压力。在该状态下，上部板和下部板在供应膏浆的条件下以预定的旋转比旋转，从而可以进行化学-机械抛光。抛光后的晶片的平整度可以根据所供应的膏浆的种类和分配、衬垫的种类等而改变。另外，膏浆的供应和分配可能会影响晶片的形状变化以及晶片的平整度。为此，当膏浆供应不均匀时，抛光副产品的沉降可能会在膏浆层的薄区域中增加，从而导致抛光衬垫对晶片抛光的不均匀性。作为结果，可能无法获得具有高平整度的晶片。为了解决这样的问题，可以考虑在下部板处供应膏浆的方案。在该情况下，是通过加压方法将膏浆向上推，因此可能将正在被抛光的晶片向上推，由此导致了晶片的不均匀抛光。
技术介绍
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技术实现思路
1、因此，本公开涉及基本上消除了由现有技术的局限性和缺点所导致的一个或多个问题的一种晶片双侧抛光设备及其评估方法。
2、本公开的目的在于提供一种能够在晶片抛光后确保晶片高平整度的晶片双侧抛光设备及其评估方法。
3、本公开的目的不限于上述目的，并且本领域技术人员根据以下详细描述将更清楚地理解本公开尚未描述的其他目的。
4、为了实现这些目的和其他优点并根据本公开的目的，如本文所实施和大致描述的，晶片双侧抛光设备包括面向彼此的上部板和下部板、分别布置在上部板的下部部分处和下部板的上部部分处的抛光衬垫、布置在下部板的上表面的中心区域中的第一齿轮和布置在下部板的上表面的周界区域中的第二齿轮、以及布置在抛光衬垫之间同时接合在第一齿轮与第二齿轮之间的承载件，其中，上部板包括在竖直方向上延伸的多个膏浆供应孔，其中，承载件中的每个承载件包括至少一个晶片容纳孔，并且其中，承载件的晶片容纳孔的横截面积之和是下部板的横截面积的32％至34％。
5、承载件可以具有相同形状，且每个承载件的至少一个晶片容纳孔包括三个晶片容纳孔。承载件可以包括接合在第一齿轮与第二齿轮之间的五个承载件。
6、承载件可以具有相同形状，且每个承载件的至少一个晶片容纳孔包括四个晶片容纳孔。承载件可以包括接合在第一齿轮与第二齿轮之间的四个承载件。
7、供应至膏浆供应孔的膏浆可以包括尺寸为40至100纳米的二氧化硅颗粒。
8、膏浆的ph可以是11或更大。
9、膏浆的颗粒浓度可以是1％至1.5％。
10、抛光衬垫中的每个抛光衬垫可以具有83至93hrc的硬度。
11、抛光衬垫中的每个抛光衬垫可以具有0.7％至3.1％的压缩度。
12、晶片可以分别容纳在承载件的晶片容纳孔中，且下部板和上部板可以通过100至160g/cm2的力进行加压。
13、在本公开的另一方面中，晶片双侧抛光设备评估方法包括：准备晶片双侧抛光设备，该晶片双侧抛光设备包括面向彼此的上部板和下部板、分别布置在上部板的下部部分处和下部板的上部部分处的抛光衬垫、布置在下部板的上表面的中心区域中的第一齿轮、布置在下部板的上表面的周界区域中的第二齿轮、以及布置在抛光衬垫之间同时接合在第一齿轮和第二齿轮之间的承载件，上部板包括在竖直方向上延伸的多个膏浆供应孔，承载件中的每个承载件包括至少一个晶片容纳孔；将晶片分别容纳在承载件的晶片容纳孔中，通过膏浆供应孔供应膏浆，并且通过晶片与布置在其上及其下的抛光衬垫的摩擦对晶片进行抛光；并且将b/a值与全局背侧理想平面范围(gbir)进行比较，其中，“a”是下部板的横截面积，“b”是形成在承载件处的晶片容纳孔的横截面积之和，而“gbir”代表各晶片的表面的最高部分与最低部分之间的高度差。
14、可以准备各自形成有晶片容纳孔的承载件，以及构造成支承承载件中的对应承载件的下部板，且下部板分别与对应承载件一起满足25％、31％、33％和35％的不同b/a值。
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1.一种晶片双侧抛光设备，包括：
2.根据权利要求1所述的晶片双侧抛光设备，其特征在于，
3.根据权利要求1所述的晶片双侧抛光设备，其特征在于，
4.根据权利要求1所述的晶片双侧抛光设备，其特征在于，供应至所述膏浆供应孔的膏浆包括尺寸为40至100纳米的二氧化硅颗粒。
5.根据权利要求4所述的晶片双侧抛光设备，其特征在于，所述膏浆的pH是11或更大。
6.根据权利要求4所述的晶片双侧抛光设备，其特征在于，所述膏浆的颗粒浓度是1％至1.5％。
7.根据权利要求4所述的晶片双侧抛光设备，其特征在于，所述抛光衬垫中的每个抛光衬垫具有83至93HRC的硬度。
8.根据权利要求4所述的晶片双侧抛光设备，其特征在于，所述抛光衬垫中的每个抛光衬垫具有0.7％至3.1％的压缩度。
9.根据权利要求1至3中任一项所述的晶片双侧抛光设备，其特征在于，所述晶片分别容纳在所述承载件的所述晶片容纳孔中，且所述下部板和所述上部板以100至160g/cm2的力进行加压。
10.一种晶片双侧抛光设备评估方
11.根据权利要求10所述的晶片双侧抛光设备评估方法，其特征在于，准备各自形成有晶片容纳孔的承载件，以及构造成支承所述承载件中的对应承载件的下部板，且所述下部板分别与所述对应承载件一起满足25％、31％、33％和35％的不同B/A值。
12.根据权利要求10所述的晶片双侧抛光设备评估方法，其特征在于，
13.根据权利要求10所述的晶片双侧抛光设备评估方法，其特征在于，
14.根据权利要求10所述的晶片双侧抛光设备评估方法，其特征在于，在抛光中，所述下部板与所述上部板以100至160g/cm2的力进行加压。
15.根据权利要求10所述的晶片双侧抛光设备评估方法，其特征在于，供应至所述膏浆供应孔的膏浆包括尺寸为40至100纳米的二氧化硅颗粒，所述膏浆的pH是11或更大，所述膏浆的颗粒浓度是1％至1.5％。
16.根据权利要求10所述的晶片双侧抛光设备评估方法，其特征在于，准备各自具有83至93HRC的硬度和0.7％至3.1％的压缩度的抛光衬垫。
...【技术特征摘要】
1.一种晶片双侧抛光设备，包括：
2.根据权利要求1所述的晶片双侧抛光设备，其特征在于，
3.根据权利要求1所述的晶片双侧抛光设备，其特征在于，
4.根据权利要求1所述的晶片双侧抛光设备，其特征在于，供应至所述膏浆供应孔的膏浆包括尺寸为40至100纳米的二氧化硅颗粒。
5.根据权利要求4所述的晶片双侧抛光设备，其特征在于，所述膏浆的ph是11或更大。
6.根据权利要求4所述的晶片双侧抛光设备，其特征在于，所述膏浆的颗粒浓度是1％至1.5％。
7.根据权利要求4所述的晶片双侧抛光设备，其特征在于，所述抛光衬垫中的每个抛光衬垫具有83至93hrc的硬度。
8.根据权利要求4所述的晶片双侧抛光设备，其特征在于，所述抛光衬垫中的每个抛光衬垫具有0.7％至3.1％的压缩度。
9.根据权利要求1至3中任一项所述的晶片双侧抛光设备，其特征在于，所述晶片分别容纳在所述承载件的所述晶片容纳孔中，且所述下部板和所述上部板以100至160g/cm2的力进行加压。
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【专利技术属性】
技术研发人员：李亨洛，
申请(专利权)人：爱思开矽得荣株式会社，
类型：发明
国别省市：
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