【技术实现步骤摘要】
本公开的实施例涉及一种电容结构、封装基板及其形成方法和封装结构。
技术介绍
1、在半导体芯片封装结构中，随着芯片的集成度越来越高，芯片内部的晶体管数量越来越大，成千上万个晶体管的翻转电流会在电源路径上产生噪声。电源噪声通过芯片内部门电路的传播，可能会触发寄存器状态的转换，还可能会影响晶振、锁相环(pll)的抖动特性等，从而对装置性能产生不利影响。因此为了保证集成电路的稳定运行，降低电源噪声是集成电路系统设计中面临的一项重要问题。
2、电源噪声的主要来源之一是电源路径上的阻抗，阻抗包括电源网路中的电容结构所产生的容抗。通过减小阻抗来达到降低电源噪声的目的是目前芯片封装领域的重要研究课题。
技术实现思路
1、根据本公开的至少一个实施例提供一种电容结构，包括：至少一个导电平面，每个导电平面包括多个电极板，所述多个电极板在平行于所述导电平面的主表面的方向上并排设置且彼此间隔开，其中每个电极板包括：焊盘部，包括彼此连接的焊盘主体部和多个焊盘延伸部，其中所述多个焊盘延伸部在平行于所述导电平面的主表面的第一方向上设置在所述焊盘主体部的侧边；以及连接部，包括彼此连接的连接主体部和多个连接延伸部，其中所述多个连接延伸部在所述第一方向上设置在所述连接主体部的侧边，所述多个焊盘延伸部和所述多个连接延伸部构成多个延伸电极；其中所述焊盘主体部和所述连接主体部沿第二方向排列且彼此连接，所述第二方向和所述第一方向相交，且所述焊盘主体部在所述第一方向上的宽度大于所述连接主体部在所述第一方向上的宽度；所
2、本公开实施例提供一种封装基板，包括根据上述电容结构。
3、本公开实施例提供一种封装基板的形成方法，包括：形成导电材料层，并对所述导电材料层进行图案化工艺，以形成所述导电线路以及包括第一初始电极板和第二初始电极板的初始导电平面；以及对所述初始导电平面进行加厚工艺，以形成所述导电平面，所述加厚工艺包括在所述第一初始电极板和所述第二初始电极板上形成附加导电材料，以形成加厚的所述第一电极板和所述第二电极板。
4、本公开实施例提供一种封装结构，包括上述封装基板；以及芯片，与所述封装基板电连接。
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1.一种电容结构，包括：
2.根据权利要求1所述的电容结构，其中所述多个焊盘延伸部中的至少部分焊盘延伸部在所述第一方向上的延伸长度与所述多个连接延伸部在所述第一方向上的延伸长度相同。
3.根据权利要求1所述的电容结构，其中所述焊盘部在所述第一方向上的整体宽度大于所述连接部在所述第一方向上的整体宽度。
4.根据权利要求1所述的电容结构，其中
5.根据权利要求1所述的电容结构，其中在每个电极板中，
6.根据权利要求5所述的电容结构，其中在所述第二方向上，所述第一连接部位于所述第一焊盘部和所述第二焊盘部之间，且所述第二连接部位于所述第二焊盘部的远离所述第一连接部的一侧。
7.根据权利要求5所述的电容结构，其中所述第一电极板和所述第二电极板在所述第二方向上相对于彼此倒置，使得所述第一电极板的第一焊盘部、第一连接部、第二焊盘部、第二连接部分别与所述第二电极板的第二连接部、第二焊盘部、第一连接部、第一焊盘部在平行于导电平面主表面的方向上相对设置。
8.根据权利要求1所述的电容结构，其中所述多个电极板包括多个第
9.根据权利要求8所述的电容结构，其中所述多个第一电极板和所述多个第二电极板还包括在所述第二方向上彼此相邻的第一电极板和第二电极板；
10.根据权利要求1-9中任一项所述的电容结构，包括在垂直于所述多个电极板的主表面的第三方向上堆叠的多个导电平面和位于相邻导电平面之间的介电层，且包括：
11.根据权利要求10所述的电容结构，其中所述多个导电平面包括在所述第三方向上彼此交替堆叠的至少一个第一导电平面和至少一个第二导电平面；
12.根据权利要求11所述的电容结构，其中所述至少一个第一导电平面包括多个第一导电平面，且所述第一电容堆叠结构和所述第二电容堆叠结构分别包括位于所述多个第一导电平面的多个第一电极板和多个第二电极板；
13.根据权利要求11所述的电容结构，所述至少一个第二导电平面包括多个第二导电平面，且所述第一电容堆叠结构和所述第二电容堆叠结构分别包括位于所述多个第二导电平面的多个第二电极板和多个第一电极板；
14.一种封装基板，包括根据权利要求1-13中任一项所述的电容结构。
15.根据权利要求14所述的封装基板，其中在每个导电平面的多个电极板中，所述第一电极板和所述第二电极板之一是电源平面，所述第一电极板和所述第二电极板之另一是地平面。
16.根据权利要求14或15所述的封装基板，其中
17.根据权利要求16所述的封装基板，还包括阻焊层，覆盖所述至少一个导电层中的所述一者。
18.一种根据权利要求16所述的封装基板的形成方法，包括：
19.根据权利要求18所述的封装基板的形成方法，其中所述加厚工艺还包括：
20.一种封装结构，包括根据权利要求14-17任一项所述的封装基板；以及
...【技术特征摘要】
1.一种电容结构，包括：
2.根据权利要求1所述的电容结构，其中所述多个焊盘延伸部中的至少部分焊盘延伸部在所述第一方向上的延伸长度与所述多个连接延伸部在所述第一方向上的延伸长度相同。
3.根据权利要求1所述的电容结构，其中所述焊盘部在所述第一方向上的整体宽度大于所述连接部在所述第一方向上的整体宽度。
4.根据权利要求1所述的电容结构，其中
5.根据权利要求1所述的电容结构，其中在每个电极板中，
6.根据权利要求5所述的电容结构，其中在所述第二方向上，所述第一连接部位于所述第一焊盘部和所述第二焊盘部之间，且所述第二连接部位于所述第二焊盘部的远离所述第一连接部的一侧。
7.根据权利要求5所述的电容结构，其中所述第一电极板和所述第二电极板在所述第二方向上相对于彼此倒置，使得所述第一电极板的第一焊盘部、第一连接部、第二焊盘部、第二连接部分别与所述第二电极板的第二连接部、第二焊盘部、第一连接部、第一焊盘部在平行于导电平面主表面的方向上相对设置。
8.根据权利要求1所述的电容结构，其中所述多个电极板包括多个第一电极板和多个第二电极板，所述多个第一电极板和所述多个第二电极板在所述第一方向和所述第二方向的至少一者上交替排列。
9.根据权利要求8所述的电容结构，其中所述多个第一电极板和所述多个第二电极板还包括在所述第二方向上彼此相邻的第一电极板和第二电极板；
10.根据权利要求1-9中任一项所述的电容结构，包括在垂直于所...
【专利技术属性】
技术研发人员：陈海英，柳琳，李思捷，梅萌，李继峰，王剑，
申请(专利权)人：北京字跳网络技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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