【技术实现步骤摘要】
本公开涉及晶体生长领域，更具体地涉及一种超高纯锗单晶的制备方法。
技术介绍
1、锗晶体纯度及缺陷影响下游性能，在同等原料的情况下，通过提拉法得到纯度越高、缺陷越少的晶体越好，尤其是针对探测器的应用，需要进一步进行开发研究。
技术实现思路
1、鉴于
技术介绍
中存在的问题，本公开的一目的在于提供一种探测器级高纯锗单晶的制备方法，其能够实现纯度的提高和缺陷的减少。
2、由此，一种超高纯锗单晶的制备方法包括步骤：s1，将腐蚀好的12n高纯锗多晶装入提拉炉的坩埚中；s2，抽真空通高纯氮气吹扫，之后停止抽真空停止通氮气，保压；s3，切换成通入高纯氢气，并维持排气，以使提拉炉内维持流动式真空；s4，在流动式真空下，使提拉炉升温至950-1000℃，进行坩埚内的12n高纯锗多晶化料成熔体；s5，待化料完成后，将籽晶下降至距离坩埚内的熔体的液面10-20mm，预热籽晶30min；s6，开启旋转方向相反的使坩埚旋转的埚转和使籽晶旋转的晶转，将籽晶插入熔体的液面以下10-20mm，出现光圈，进行引晶、颈缩、细颈、放肩、等径、收尾，提拉生长出晶棒，坩埚内无剩余料或仅剩下少量的剩余料，停止埚转和晶转；s7，提拉炉降温至400-600℃，保持30-60min，使晶棒进行退火；s8，使晶棒下降至坩埚中与坩埚的埚底间隔开；s9，提拉炉升温至950-1000℃，将晶棒重新完全熔化到坩埚中再次形成熔体，籽晶提升离开坩埚；s10，重复步骤s6至步骤s9，重复规定次数；s11，步骤s10重复规定次数完成之后，重
3、本公开的有益效果如下：在根据本公开的超高纯锗单晶的制备方法中，无论是重复的步骤s6至步骤s9中的步骤s6还是最后形成产品晶棒的步骤s11中的重复的步骤s6的提拉，提拉过程中，熔体每层液面都能与形成流动式真空的氢气接触，重复的步骤s6至s9中的步骤s9的重熔更是增加了锗熔体与氢气的接触面积，从而带走了锗熔体中的杂质，净化了晶体原料，每重熔生长一次，晶体原料净化一次，晶体纯度提高一次；无论是重复的步骤s6至步骤s9中的步骤s7最后形成产品晶棒的步骤s11中的重复的步骤s7可减少晶体缺陷(尤其是针对探测器应用，盘状坑、系数结构、马赛克结构是力求避免的)，晶体重熔后，减少原料缺陷，每退火一次，晶体缺陷减少一次。换句话说，通过重复的步骤s6至步骤s9中的重熔和退火以及步骤s11重复的步骤s7的退火，实现了纯度的提高和缺陷的减少，进而能够适用于探测器应用的要求。
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1.一种超高纯锗单晶的制备方法，其特征在于，包括步骤：
2.根据权利要求1所述的探测器级高纯锗单晶的制备方法，其特征在于，
3.根据权利要求1所述的超高纯锗单晶的制备方法，其特征在于，
4.根据权利要求3所述的超高纯锗单晶的制备方法，其特征在于，
5.根据权利要求1所述的超高纯锗单晶的制备方法，其特征在于，
6.根据权利要求1所述的超高纯锗单晶的制备方法，其特征在于，
7.根据权利要求1所述的超高纯锗单晶的制备方法，其特征在于，
8.根据权利要求1所述的超高纯锗单晶的制备方法，其特征在于，
9.根据权利要求1所述的超高纯锗单晶的制备方法，其特征在于，
【技术特征摘要】
1.一种超高纯锗单晶的制备方法，其特征在于，包括步骤：
2.根据权利要求1所述的探测器级高纯锗单晶的制备方法，其特征在于，
3.根据权利要求1所述的超高纯锗单晶的制备方法，其特征在于，
4.根据权利要求3所述的超高纯锗单晶的制备方法，其特征在于，
5.根据权利要求1所述的超高纯...
【专利技术属性】
技术研发人员：顾小英，赵青松，牛晓东，狄聚青，
申请(专利权)人：安徽光智科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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