System.ArgumentOutOfRangeException: 索引和长度必须引用该字符串内的位置。 参数名: length 在 System.String.Substring(Int32 startIndex, Int32 length) 在 zhuanliShow.Bind() 一种功率器件高温反偏试验温度确定方法技术_技高网

一种功率器件高温反偏试验温度确定方法技术

技术编号:44823856 阅读:6 留言:0更新日期:2025-03-28 20:14
本发明专利技术实施例公开了一种功率器件高温反偏试验温度确定方法,包括将功率器件样本固定在加热装置中,并短接功率器件样本的栅极和源极;对所述功率器件样本进行脉冲测试,以得到温度与漏电流关系曲线;将所述功率器件样本放置在散热器上,进行阶段性升温并稳定,以记录漏电流,进而确定试验温度。通过实施本发明专利技术实施例的方法可实现准确测量芯片结温,确保高温反偏测试的可靠性和准确性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体功率器件,尤其涉及一种功率器件高温反偏试验温度确定方法


技术介绍

1、随着电子设备的快速发展,半导体功率器件在现代工业中的重要性日益凸显。电力电子应用领域的迅猛扩张推动了模块功率密度的不断增加,但多芯片热耦合效应导致芯片在实际工况中温度上升。高温反偏试验作为研发阶段的重要考核项目,通过施加温度和电压加速应力,可以有效揭示器件边缘和钝化层中场耗尽结构的潜在弱点及退化效应。经过约6周的加速应力试验,能够等效于器件在实际工况下至少15年以上的使用寿命。

2、随着硅基器件制造工艺的不断进步,以及应用领域对器件性能的日益苛刻,传统的结温极限150℃已无法满足需求,业界对器件的结温极限提出了175℃的要求。然而,在高温反偏电压下,器件不可避免地会产生一定的漏电流,导致附加温升,这使得在htrb试验过程中,无法通过直接物理方法准确测量芯片结温,从而对试验的真实性和有效性提出了新的挑战。

3、因此,有必要设计一种新的方法,实现准确测量芯片结温,确保高温反偏测试的可靠性和准确性。


技术实现思路

1、本专利技术的目的在于克服现有技术的缺陷,提供一种功率器件高温反偏试验温度确定方法。

2、为解决上述技术问题,本专利技术的目的是通过以下技术方案实现的:提供一种功率器件高温反偏试验温度确定方法,包括:

3、将功率器件样本固定在加热装置中,并短接功率器件样本的栅极和源极;

4、对所述功率器件样本进行脉冲测试,以得到温度与漏电流关系曲线;

5、将所述功率器件样本放置在散热器上,进行阶段性升温并稳定,以记录漏电流,进而确定试验温度。

6、其进一步技术方案为:所述将功率器件样本固定在加热装置中,并短接功率器件样本的栅极和源极,包括:

7、将功率器件样本安装在加热装置内,确保功率器件样本的栅极与源极之间短接,同时将集电极和发射极通过引线正确连接。

8、其进一步技术方案为:所述功率器件样本的个数至少为2个。

9、其进一步技术方案为:所述对所述功率器件样本进行脉冲测试,以得到温度与漏电流关系曲线,包括:

10、将所述功率器件样本加热至预定温度并保持稳定;

11、在温度稳定后,对所述功率器件样本输入短时脉冲电压;

12、在施加短时脉冲电压的同时,同步记录所述功率器件样本的漏电流数据以及对应的温度;

13、根据漏电流数据以及对应的温度绘制温度与漏电流关系曲线。

14、其进一步技术方案为:所述短时脉冲电压的时长不超过1毫秒。

15、其进一步技术方案为:所述将所述功率器件样本放置在散热器上,进行阶段性升温并稳定,以记录漏电流,进而确定试验温度,包括:

16、在所述功率器件样本的铜底板上均匀涂抹导热硅脂;

17、将所述功率器件样本安装在散热器上;

18、对所述功率器件样本进行阶段性升温,逐步调整至目标温度;

19、在达到目标温度后,保持所述目标温度稳定;

20、在目标温度稳定的情况下,记录当前的漏电流数据;

21、根据记录的漏电流结合所述温度与漏电流关系曲线,以确定所述功率器件样本的芯片的结温,以得到试验温度。

22、其进一步技术方案为:所述在达到目标温度后,保持所述目标温度稳定,包括:

23、达到目标温度后,保持所述目标温度稳定2小时。

24、本专利技术与现有技术相比的有益效果是:本专利技术通过将功率器件样本固定在加热装置中,并短接栅极和源极,以确保电路闭合,便于测试;对样本进行脉冲测试,获取温度与漏电流的关系曲线,为后续分析提供数据支持;将功率器件样本放置在散热器上,确保良好的热接触,以优化散热效果;通过阶段性升温的方式,逐步提升温度,避免热冲击影响测试结果;在目标温度下保持稳定状态,记录漏电流数据,确保测试环境一致性;结合记录的漏电流和温度数据,准确确定芯片的结温,以验证高温反偏测试的可靠性和准确性。

25、下面结合附图和具体实施例对本专利技术作进一步描述。

本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种功率器件高温反偏试验温度确定方法,其特征在于,包括:

2.根据权利要求1所述的一种功率器件高温反偏试验温度确定方法,其特征在于,所述将功率器件样本固定在加热装置中,并短接功率器件样本的栅极和源极,包括:

3.根据权利要求2所述的一种功率器件高温反偏试验温度确定方法,其特征在于,所述功率器件样本的个数至少为2个。

4.根据权利要求1所述的一种功率器件高温反偏试验温度确定方法,其特征在于,所述对所述功率器件样本进行脉冲测试,以得到温度与漏电流关系曲线,包括:

5.根据权利要求4所述的一种功率器件高温反偏试验温度确定方法,其特征在于,所述短时脉冲电压的时长不超过1毫秒。

6.根据权利要求所述的一种功率器件高温反偏试验温度确定方法,其特征在于,所述将所述功率器件样本放置在散热器上,进行阶段性升温并稳定,以记录漏电流,进而确定试验温度,包括:

7.根据权利要求6所述的一种功率器件高温反偏试验温度确定方法,其特征在于,所述在达到目标温度后,保持所述目标温度稳定,包括:

【技术特征摘要】

1.一种功率器件高温反偏试验温度确定方法,其特征在于,包括:

2.根据权利要求1所述的一种功率器件高温反偏试验温度确定方法,其特征在于,所述将功率器件样本固定在加热装置中,并短接功率器件样本的栅极和源极,包括:

3.根据权利要求2所述的一种功率器件高温反偏试验温度确定方法,其特征在于,所述功率器件样本的个数至少为2个。

4.根据权利要求1所述的一种功率器件高温反偏试验温度确定方法,其特征在于,所述对所述功率器件样本进行脉冲测试,以得到...

【专利技术属性】
技术研发人员:王群吴云王天赐崔崧赵善麒
申请(专利权)人:江苏宏微科技股份有限公司
类型:发明
国别省市:

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