【技术实现步骤摘要】
本公开涉及半导体器件结构及其形成方法。
技术介绍
1、半导体集成电路(integrated circuit，ic)产业经历了指数式增长。ic材料和设计的技术进步造就了一代又一代的ic，其中每一代的ic都比上一代更小而且更复杂。在ic的发展过程中，功能密度(即，每个芯片区域的相连器件数量)普遍增加，而几何尺寸(即，使用制造工艺可以制造的最小元件(或线路))却在缩减。这种对尺寸进行缩减的工艺通常通过提高生产效率以及降低相关成本来提供好处。这种缩减也增加了加工和制造ic的复杂性。
2、因此，有必要改进ic的加工和制造。
技术实现思路
1、根据本公开的一个实施例，提供了一种形成半导体器件结构的方法，包括：从衬底形成鳍结构；在所述鳍结构的第一半导体层上沉积第一半导体材料；在所述第一半导体材料上沉积第二半导体材料；在所述第二半导体材料之上沉积层间电介质层；在所述层间电介质层中形成开口，以暴露所述第二半导体材料；执行第一注入工艺，以在所述第二半导体材料中形成非晶区，并在所述非晶区中注入第一物质；执行第二注入工艺，以在所述非晶区注入第二物质，其中，所述第二物质包括氟、氮或碳；以及执行退火工艺，以使所述非晶区再结晶。
2、根据本公开的一个实施例，提供了一种形成半导体器件结构的方法，包括：从衬底形成鳍结构；在所述衬底之上沉积第一半导体材料；在所述第一半导体材料之上沉积层间电介质层；在所述层间电介质层中形成开口，以暴露所述第一半导体材料；执行第一注入工艺，以在所述第一半导体材料中
3、根据本公开的一个实施例，提供了一种半导体器件结构，包括：多个半导体层，设置在衬底之上；以及源极/漏极区域，邻近所述多个半导体层设置，其中，所述源极/漏极区域包括：第一半导体材料，与所述多个半导体层中的每个半导体层接触，其中，与所述多个半导体层中的最顶部半导体层接触的所述第一半导体材料的第一部分包括第一物质，而与所述多个半导体层中的设置在所述最顶部半导体层下方的一个半导体层接触的所述第一半导体材料的第二部分具有梯度浓度的所述第一物质；以及第二半导体材料，与所述第一半导体材料相邻。
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1.一种形成半导体器件结构的方法，包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第二半导体材料包括SiP，并且所述第一物质包括磷。
3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一物质在所述非晶区的浓度范围为1x1019cm-3至5x 1020cm-3。
4.根据权利要求3所述的方法，其中，所述第二物质在所述非晶区的浓度范围为5x1020cm-3至1x 1021cm-3。
5.根据权利要求1所述的方法，其中，所述鳍结构包括所述第一半导体层、位于所述第一半导体层下方的第二半导体层、和位于所述第二半导体层下方的第三半导体层。
6.根据权利要求5所述的方法，还包括：在所述第二半导体层和所述第三半导体层上沉积所述第一半导体材料。
7.根据权利要求6所述的方法，其中，所述非晶区的底部位于所述第一半导体层和所述第二半导体层之间的水平。
8.一种形成半导体器件结构的方法，包括：
9.根据权利要求8所述的方法，其中，所述第一物质包括磷，并且所述第二物质包括氟、氮或碳。
10.一种半导体器件结
...【技术特征摘要】
1.一种形成半导体器件结构的方法，包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第二半导体材料包括sip，并且所述第一物质包括磷。
3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一物质在所述非晶区的浓度范围为1x1019cm-3至5x 1020cm-3。
4.根据权利要求3所述的方法，其中，所述第二物质在所述非晶区的浓度范围为5x1020cm-3至1x 1021cm-3。
5.根据权利要求1所述的方法，其中，所述鳍结构包括所述第一半导体层、位于所述第一...
【专利技术属性】
技术研发人员：林育樟，刘思杰，吴浚宏，陈亮吟，徐志安，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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