【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及led芯片领域，尤其涉及一种提升led芯片亮度的结构，通过栅格化光学隔离层并通过dbr与栅格化处理的光学隔离层相结合，增强光提取效率，减少光损耗。
技术介绍
1、led芯片作为半导体发光器件，其亮度提升一直是研究的重点。现有技术中，倒装led和正装led均存在一定的光损耗问题，特别是透明导电层和光学隔离层对光的吸收，以及分布式布拉格反射镜(dbr)反射效率的限制，导致整体光提取效率较低。
2、常规倒装led采用在量子阱层上方直接沉积透明导电层和光学隔离层的方式，通过电流注入层和光学隔离层实现电流分布和光提取。然而，由于透明导电层和光学隔离层对光的吸收率较高，以及dbr层的反射面积受限，导致部分向下传播的光被吸收或散射，影响了整体亮度。
3、为解决上述问题，本专利技术提供了一种改进的led芯片亮度提升结构。
技术实现思路
1、专利技术旨在提供一种提升led芯片亮度的结构，通过栅格化处理光学隔离层，结合高效的dbr设计，减少光吸收、增大反射面积，从而提升芯片发光亮度和光提取效率。
2、本专利技术所采用的技术方案为：
3、一种提升led芯片亮度的结构，包括：
4、led芯片中的量子阱层；
5、位于所述量子阱层上方的透明导电层和光学隔离层；
6、位于所述透明导电层和光学隔离层上的分布式布拉格反射镜(dbr)；
7、所述透明导电层和光学隔离层经过栅格化处理，形成规则的光栅结构，以减少
8、所述透明导电层为ito或zno，所述光学隔离层为sio2或al2o3。
9、优选地，所述透明导电层为ito，所述光学隔离层为sio2。
10、所述透明导电层的厚度为20～200nm，所述光学隔离层的厚度为60～2400nm。
11、优选地，所述透明导电层的厚度为50～120nm，所述光学隔离层的厚度为300～2400nm。
12、光学隔离层的厚度一般为透明导电层厚度的3～20倍：光学隔离层的厚度较大，有助于减弱透明导电层对光的吸收，并提升光栅结构的光提取效率；透明导电层较薄以维持良好的导电性，同时避免对光的过度吸收。
13、所述栅格孔为开口形状为圆形或方形的盲孔，所述栅格孔的内壁从开口处向下逐渐收窄，形成线性下降的斜面结构。
14、优选地，栅格孔开口的最小特征尺寸在3-12μm范围内；优选地，栅格孔的深度为光学隔离层厚度×a，其中a介于0.3-0.8之间。增大孔径有助于减少光效隔离层的吸收，但同时也会减少侧边斜坡的出光面，因此孔径一般介于3-12μm较优；a值增大有助于增加粗糙度，增加出光效率，但鉴于icp刻蚀机台稳定性，一般介于0.3-0.8之间较优，同时，a介于0.3-0.8之间还可以避免刻蚀深度超出光学隔离层，损害透明导电层的完整性和功能。
15、所述分布式布拉格反射镜(dbr)由高折射率材料和低折射率材料交替堆叠形成，每层厚度范围为50～150nm。
16、所述栅格化处理通过icp干法刻蚀工艺完成。
17、所述格栅结构可根据产品需求调整栅格孔尺寸和间距，以优化光提取效率。
18、栅格化处理的原理在于：通过光刻和刻蚀技术将光学隔离层形成规则的光栅结构，从而减小了光学隔离层对光的吸收面积；同时，格栅孔的设置一方面通过增加dbr在栅格孔内外的覆盖区域，增大了dbr的有效反射面积；另一方面，栅格孔的斜面结构使部分斜向传播的光线在dbr层与栅格孔内壁之间发生多次反射，从而减少光损耗，进一步提高光提取效率。
19、通过这种创新设计，本专利技术取得的技术进步和有益效果包括：
20、1.栅格化处理的光学隔离层有效减少光吸收，提高光提取效率；
21、2.dbr反射面积增大，光反射效率提升；
22、3.可根据不同产品需求调整栅格尺寸、间距及dbr材料。
23、总之，本专利技术通过在led芯片的光学隔离层上进行栅格化处理，结合分布式布拉格反射镜(dbr)，实现了对光吸收的有效抑制和光反射效率的提升。
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1.一种提升LED芯片亮度的结构，包括：
2.如权利要求1所述的结构，其特征在于，所述透明导电层为ITO或ZnO，所述光学隔离层为SiO2或Al2O3。
3.如权利要求2所述的结构，其特征在于，所述透明导电层为ITO，所述光学隔离层为SiO2。
4.如权利要求1所述的结构，其特征在于，所述透明导电层的厚度为20～200nm，所述光学隔离层的厚度为60～2400nm。
5.如权利要求4所述的结构，其特征在于，所述透明导电层的厚度为50～120nm，所述光学隔离层的厚度为300～2400nm。
6.如权利要求4所述的结构，其特征在于，所述光学隔离层的厚度为所述透明导电层厚度的3～20倍。
7.如权利要求1所述的结构，其特征在于，所述栅格孔为开口形状为圆形或方形的盲孔，所述栅格孔的内壁从开口处向下逐渐收窄，形成线性下降的斜面结构。
8.如权利要求7所述的结构，其特征在于，所述栅格孔开口的最小特征尺寸在3-12μm范围内。
9.如权利要求7所述的结构，其特征在于，所述栅格孔的深度为光学隔离层厚
...【技术特征摘要】
1.一种提升led芯片亮度的结构，包括：
2.如权利要求1所述的结构，其特征在于，所述透明导电层为ito或zno，所述光学隔离层为sio2或al2o3。
3.如权利要求2所述的结构，其特征在于，所述透明导电层为ito，所述光学隔离层为sio2。
4.如权利要求1所述的结构，其特征在于，所述透明导电层的厚度为20～200nm，所述光学隔离层的厚度为60～2400nm。
5.如权利要求4所述的结构，其特征在于，所述透明导电层的厚度为50～120nm，所述光学隔离层的厚...
【专利技术属性】
技术研发人员：程叶，褚志强，张中玉，
申请(专利权)人：聚灿光电科技宿迁有限公司，
类型：发明
国别省市：
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