【技术实现步骤摘要】
本公开内容整体上涉及电镀系统和方法，且尤其涉及用于直接在钴衬里上电镀铜的系统和方法。
技术介绍
1、在常规的电镀方法中，在添加剂的存在下进行铜电沉积可在双镶嵌金属化中产生亚微米特征(例如通孔和沟槽)的无空隙电镀。通常采用这种方法在低于50nm技术节点的高级微处理器中制造互连。然而，随着互连件尺寸的减小，将互连件金属化工艺缩放到更窄的几何形状变得越来越困难。例如，铜在钴衬里上的物理气相沉积(pvd)会在特征开口处导致不希望有的缺陷，例如凸起或“突出”，从而导致夹断。此外，这些小特征的侧壁台阶覆盖率也可能导致在镀敷后的侧壁产生空隙。这样的缺陷会导致电短路和可靠性问题。
2、本公开试图解决这些缺点。应当注意的是，提供本节中描述的信息是以向本领域技术人员提供以下公开主题的一些背景，并且不应将其视为被认可的现有技术。
技术实现思路
【技术保护点】
1.一种电镀系统，其包括：
2.根据权利要求1所述的电镀系统，其中，所述第一铜层包括形成在所述晶片的所述钴层的顶部上的铜成核层。
3.根据权利要求2所述的电镀系统，其中，所述第二铜层包括形成在所述铜成核层的顶部上的铜填充层，所述铜填充层被配置为填充所述晶片的所述特征。
4.根据权利要求1所述的电镀系统，其中，在将所述衬底浸入所述第一电解质溶液中之前，用氢-氦等离子体处理对所述衬底进行预处理。
5.根据权利要求4所述的电镀系统，其中，所述氢-氦等离子体的温度介于约75摄氏度和约250摄氏度之间。
6.根据权利要求4所述的电镀系统，其中，在所述氢-氦等离子体处理之前，通过化学气相沉积将所述钴层沉积在所述衬底上。
7.根据权利要求1所述的电镀系统，其中，所述碱性铜复合溶液的pH约大于9，其中，所述酸性镀铜溶液的pH约小于2。
【技术特征摘要】
1.一种电镀系统，其包括：
2.根据权利要求1所述的电镀系统，其中，所述第一铜层包括形成在所述晶片的所述钴层的顶部上的铜成核层。
3.根据权利要求2所述的电镀系统，其中，所述第二铜层包括形成在所述铜成核层的顶部上的铜填充层，所述铜填充层被配置为填充所述晶片的所述特征。
4.根据权利要求1所述的电镀系统，其中，在将所述衬底浸入所述第一电解质溶液中之前，用氢-氦等离...
【专利技术属性】
技术研发人员：杰雅维尔·维尔姆鲁根，布莱恩·L·巴卡柳，托马斯·A·蓬努斯瓦米，
申请(专利权)人：朗姆研究公司，
类型：发明
国别省市：
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