【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体，特别涉及一种发光二极管及发光装置。
技术介绍
1、发光二极管(light emitting diode，简称led)为半导体发光元件，通常是由如gan、gaas、gap、gaasp等半导体制成，其核心是具有发光特性的pn结。led具有发光强度大、效率高、体积小、使用寿命长等优点，被认为是当前最具有潜力的光源之一。
2、现有的发光二极管一般包含ti的金属电极设计，ti在制备过程中容易导致空洞，其存在可靠性不稳定、老化异常率极高的问题。特别是在长期使用过程中，传统的含ti金属电极设计容易导致led器件的老化速度加快，发光效率降低，甚至出现失效现象。因此，如何提升芯片的抗老化风险是目前本领域技术人员需要解决的一大难题。
技术实现思路
1、为解决上述现有技术中发光二极管存在的至少一个不足，本申请的目的是提供一种发光二极管，能够提升芯片的抗老化能力，进而提高芯片的可靠性。
2、第一方面，本申请提供一种发光二极管，包括外延结构、第一电极、第二电极；外延结构包括依次层叠的第一半导体层、有源层和第二半导体层；第一电极位于所述外延结构上，且电连接所述第一半导体层；第二电极位于所述外延结构上，且电连接所述第二半导体层；所述第一电极和/或所述第二电极为无钛叠层结构。
3、第二方面，本申请提供一种发光二极管，所述发光二极管包括：外延结构、第一接触电极、第一电极、第二接触电极、第二电极；外延结构包括依次层叠的第一半导体层、有源层和第二半导体层；第一接
4、第三方面，本申请还提供一种发光装置，采用如上实施例所述的发光二极管。
5、基于上述，与现有技术相比，本申请提供的发光二极管通过将电极的材料限定为无钛叠层结构，能够有效避免电极存在可靠性不稳定、老化异常率极高的问题，进而提升整个芯片的可靠性和抗老化能力。
6、本专利技术的其它特征和有益效果将在随后的说明书中阐述，并且，部分地从说明书中变得显而易见，或者通过实施本专利技术而了解。本专利技术的目的和其他有益效果可通过在说明书、权利要求书以及附图中所特别指出的结构来实现和获得。
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1.一种发光二极管，其特征在于，所述发光二极管包括：
2.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：所述无钛叠层包括最远离外延结构一侧的金层。
3.根据权利要求2所述的发光二极管，其特征在于：所述金层的厚度是所述无钛叠层厚度的50%以上。
4.根据权利要求2所述的发光二极管，其特征在于：所述无钛叠层包括镍层，所述镍层至少位于最靠近外延结构一侧的层。
5.根据权利要求4所述的发光二极管，其特征在于：所述镍层还位于所述金层下方且与所述金层直接接触。
6.根据权利要求5所述的发光二极管，其特征在于：在所述无钛叠层中，位于最靠近外延结构一侧的镍层的厚度小于其他镍层的厚度。
7.根据权利要求4所述的发光二极管，其特征在于：在所述无钛叠层中，最靠近外延结构一侧的镍层的厚度小于其他单层的厚度。
8.根据权利要求4所述的发光二极管，其特征在于：所述无钛叠层还包括铂层；在所述无钛叠层中，所述镍层与所述铂层彼此交替堆叠，且交替堆叠的对数介于1～5对。
9.根据权利要求8所述的发光二极管，其特征在于：在所
10.一种发光二极管，其特征在于：所述发光二极管包括：
11.根据权利要求10所述的发光二极管，其特征在于：所述第一接触电极和/或所述第二接触电极包括最靠近外延结构一侧的第一底层和最远离外延结构一侧的第一顶层。
12.根据权利要求11所述的发光二极管，其特征在于：所述第一底层和所述第一顶层为相同金属材料。
13.根据权利要求11所述的发光二极管，其特征在于：所述第一底层和所述第一顶层均包括镍层；所述第一顶层的厚度不大于所述第一底层的厚度。
14.根据权利要求13所述的发光二极管，其特征在于：所述第一接触电极和/或所述第二接触电极还包括铂层，所述镍层与所述铂层彼此交替堆叠，且交替堆叠的对数介于1～5对。
15.根据权利要求14所述的发光二极管，其特征在于：所述铂层在所述第一接触电极或第二接触电极上的总厚度是所述第一接触电极或第二接触电极厚度的50%以上。
16.根据权利要求14所述的发光二极管，其特征在于：在所述第一接触电极和/或所述第二接触电极中，位于所述第一顶层和第一底层之间的单层镍层的厚度大于位于所述第一顶层或第一底层中的镍层的厚度。
17.根据权利要求10所述的发光二极管，其特征在于：所述第一接触电极和/或所述第二接触电极的厚度介于500~3500埃。
18.根据权利要求11所述的发光二极管，其特征在于：所述第一电极和/或所述第二电极包括最远离外延结构一侧的第二顶层和最靠近外延结构一侧的第二底层。
19.根据权利要求13所述的发光二极管，其特征在于：所述第二顶层的厚度是该第二顶层所在的第一电极或第二电极厚度的50%以上。
20.根据权利要求18所述的发光二极管，其特征在于：所述第一底层和所述第二底层为相同金属材料，和/或，所述第一顶层和所述第二底层为相同金属材料。
21.根据权利要求18所述的发光二极管，其特征在于：所述第二底层包括镍层，所述第二顶层包括金层。
22.根据权利要求21所述的发光二极管，其特征在于：所述第一电极和/或所述第二电极还包括铂层，所述镍层与所述铂层彼此交替堆叠，且交替堆叠的对数介于1～4对。
23.根据权利要求10所述的发光二极管，其特征在于：所述第一电极的厚度大于所述第一接触电极的厚度，所述第二电极的厚度大于所述第二接触电极的厚度；所述第一电极和所述第二电极的厚度介于1~3μm。
24.根据权利要求1或10所述的发光二极管，其特征在于：所述发光二极管还包括绝缘层，所述绝缘层覆盖在所述外延结构上且至少覆盖部分所述外延结构侧壁。
25.根据权利要求24所述的发光二极管，其特征在于：所述绝缘层包括层叠的第一绝缘层、第二绝缘层和第三绝缘层，所述第一绝缘层的厚度小于所述第二绝缘层的厚度，所述第二绝缘层的厚度小于所述第三绝缘层的厚度；所述第一绝缘层的厚度小于等于100埃。
26.根据权利要求1或10所述的发光二极管，其特征在于：所述发光二极管的尺寸小于等于150μm。
27.一种发光装置，其特征在于：采用如权利要求1-26任一项所述的发光二极管。
...【技术特征摘要】
1.一种发光二极管，其特征在于，所述发光二极管包括：
2.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：所述无钛叠层包括最远离外延结构一侧的金层。
3.根据权利要求2所述的发光二极管，其特征在于：所述金层的厚度是所述无钛叠层厚度的50%以上。
4.根据权利要求2所述的发光二极管，其特征在于：所述无钛叠层包括镍层，所述镍层至少位于最靠近外延结构一侧的层。
5.根据权利要求4所述的发光二极管，其特征在于：所述镍层还位于所述金层下方且与所述金层直接接触。
6.根据权利要求5所述的发光二极管，其特征在于：在所述无钛叠层中，位于最靠近外延结构一侧的镍层的厚度小于其他镍层的厚度。
7.根据权利要求4所述的发光二极管，其特征在于：在所述无钛叠层中，最靠近外延结构一侧的镍层的厚度小于其他单层的厚度。
8.根据权利要求4所述的发光二极管，其特征在于：所述无钛叠层还包括铂层；在所述无钛叠层中，所述镍层与所述铂层彼此交替堆叠，且交替堆叠的对数介于1～5对。
9.根据权利要求8所述的发光二极管，其特征在于：在所述无钛叠层中，所述镍层的总厚度不大于所述铂层的总厚度。
10.一种发光二极管，其特征在于：所述发光二极管包括：
11.根据权利要求10所述的发光二极管，其特征在于：所述第一接触电极和/或所述第二接触电极包括最靠近外延结构一侧的第一底层和最远离外延结构一侧的第一顶层。
12.根据权利要求11所述的发光二极管，其特征在于：所述第一底层和所述第一顶层为相同金属材料。
13.根据权利要求11所述的发光二极管，其特征在于：所述第一底层和所述第一顶层均包括镍层；所述第一顶层的厚度不大于所述第一底层的厚度。
14.根据权利要求13所述的发光二极管，其特征在于：所述第一接触电极和/或所述第二接触电极还包括铂层，所述镍层与所述铂层彼此交替堆叠，且交替堆叠的对数介于1～5对。
15.根据权利要求14所述的发光二极管，其特征在于：所述铂层在所述第一接触电极或第二接触电极上的总厚度是所述第一接触电极或第二接触电极厚度的50%以上。
【专利技术属性】
技术研发人员：吴美健，徐瑾，严小勇，李宗林，陈鑫，刘可，
申请(专利权)人：泉州三安半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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