【技术实现步骤摘要】
本专利技术是关于一种制造电容的方法。
技术介绍
1、动态随机存取存储器(dynamic random access memory；dram)是一种半导体装置，用于在集成电路内以单元电容存储数据位元。dram通常包括沟槽电容dram单元和/或堆叠电容dram单元。
技术实现思路
1、本专利技术的部分实施方式提供一种制造电容的方法。此方法通过沉积氧化层在下电极层上以及将含氧湿蚀刻工艺替换为无氧湿蚀刻工艺，可使电容在不增加电容的下电极厚度的情况下制造。如此一来，此方法可减少电容的氧化下电极被含氧湿蚀刻工艺不平均消耗所导致电容摇晃的问题。再者，此方法可减少电容的下电极厚度，以达到理想电容值。此方法可提供有效的解决方法，使电容达到良好的电性性能以及结构稳定性。
2、本专利技术的部分实施方式提出一种制造电容的方法。此方法包括：形成模具于内连接层上；形成凹槽于模具中；沉积下电极层于模具上以及凹槽中；设置金属氧化层于下电极层上以及凹槽中；形成表面氧化层于金属氧化层上；以及进行无氧湿蚀刻工艺，以将表面氧化层、金属氧化层以及模具从下电极层移除。
3、依据本专利技术的部分实施方式，此方法还包括：在沉积下电极层之前，降低模具的上表面。
4、依据本专利技术的部分实施方式，此方法还包括：在无氧湿蚀刻工艺之后，形成介电层于下电极层上。
5、依据本专利技术的部分实施方式，此方法还包括：沉积上电极层于介电层上。
6、依据本专利技术的部分实施方式，其中内连接
7、依据本专利技术的部分实施方式，其中沉积下电极层的进行使得下电极层与模具的上表面接触。
8、依据本专利技术的部分实施方式，其中下电极层包括金属氮化层。
9、依据本专利技术的部分实施方式，其中金属氧化层的厚度为至
10、依据本专利技术的部分实施方式，其中金属氧化层包括氧化钛。
11、依据本专利技术的部分实施方式，其中沉积下电极层的进行使得下电极层的侧表面与模具接触。
12、依据本专利技术的部分实施方式，其中形成表面氧化层的进行使得金属氧化层将表面氧化层与下电极层分隔开来。
13、本专利技术的部分实施方式提出一种制造电容的方法。此方法包括：形成模具于内连接层上；沉积下电极层于模具上；设置金属氧化层于下电极层的上表面上，其中金属氧化层与下电极层直接接触；氧化金属氧化层的上表面；以及将金属氧化层以及模具从下电极层蚀刻掉。
14、依据本专利技术的部分实施方式，其中下电极层包括金属硅氮层。
15、依据本专利技术的部分实施方式，其中蚀刻金属氧化层是用无氧蚀刻剂蚀刻。
16、依据本专利技术的部分实施方式，其中金属氧化层的厚度为至
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1.一种制造电容的方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，还包括：
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，还包括：
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，还包括：
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，该内连接层包括金属特征，且形成该凹槽的进行使得该凹槽直接位于该金属特征上方。
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，沉积该下电极层的进行使得该下电极层与该模具的上表面接触。
7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，该下电极层包括金属氮化层。
8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，该金属氧化层的厚度为至
9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，该金属氧化层包括氧化钛。
10.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，沉积该下电极层的进行使得该下电极层的侧表面与该模具接触。
11.根据权利要求10所述的方法，其特征在于，形成该表面氧化层的进行使得该金属氧化层将该表面氧化层与该下电极层分隔开来。
12.一种制造
13.根据权利要求12所述的方法，其特征在于，该下电极层包括金属硅氮层。
14.根据权利要求12所述的方法，其特征在于，蚀刻该金属氧化层是用无氧蚀刻剂蚀刻。
15.根据权利要求12所述的方法，其特征在于，该金属氧化层的厚度为至
...【技术特征摘要】
1.一种制造电容的方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，还包括：
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，还包括：
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，还包括：
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，该内连接层包括金属特征，且形成该凹槽的进行使得该凹槽直接位于该金属特征上方。
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，沉积该下电极层的进行使得该下电极层与该模具的上表面接触。
7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，该下电极层包括金属氮化层。
8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，该金属氧化层的厚度为至
【专利技术属性】
技术研发人员：徐宁霜，
申请(专利权)人：南亚科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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