【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及钙钛矿太阳能电池，具体而言，涉及一种钙钛矿太阳能电池中功能层的制备方法、钙钛矿太阳能电池的制备方法以及钙钛矿太阳能电池。
技术介绍
1、大面积钙钛矿太阳能电池(光照面积通常在几十平方厘米以上)的制备是目前的研究重点，同时也是可实现钙钛矿叠层电池量产的一个重要指标。目前，实现大面积钙钛矿叠层电池制备的方式主要有刮涂和狭缝涂布等，但由于工业应用中的钙钛矿太阳能电池的面积较大，因此涂覆在基片上的前驱体溶液存在不均匀或不能完整覆盖整个基片的问题，会导致整体加工的钙钛矿太阳能电池的成品质量较差。
2、另外，在钙钛矿叠层太阳能电池中，由于性能良好的叠层钙钛矿太阳能电池的底电池大都采用绒面结构，现有的上述制备大面积钙钛矿太阳能电池的方式很难与绒面形成优质界面，因此同样会导致整体加工的钙钛矿叠层太阳能电池的成品质量较差。
3、因此，亟需一种用于制备钙钛矿太阳能电池的新的制备工艺，以至少解决钙钛矿太阳能电池的成品质量较差的问题。
技术实现思路
1、本专利技术的主要目的在于提供一种钙钛矿太阳能电池中功能层的制备方法、钙钛矿太阳能电池的制备方法以及钙钛矿太阳能电池，以解决现有技术中钙钛矿太阳能电池的成品质量较差的问题。
2、为了实现上述目的，根据本专利技术的一个方面，提供了一种钙钛矿太阳能电池中功能层的制备方法，包括：将功能层的前驱体溶液置于传送设备的凹槽中，凹槽具有相对的第一侧壁和第二侧壁，第一侧壁和第二侧壁之间设置有传送轴，传送设备具有基板和传送轴，
3、可选地，功能层包括电子传输层、空穴传输层和钙钛矿吸收层中的任意一种。
4、可选地，凹槽包括第一凹槽和第二凹槽，在功能层为钙钛矿吸收层的情况下，形成前驱体薄膜的步骤包括：将半导体基底放置在第一凹槽的传送轴上并与第一凹槽中含有金属卤化物的第一前驱体溶液接触，其中，在传送轴处于运动状态的情况下，半导体基底从位于第一凹槽中的第一前驱体溶液的第一位置移动至第二位置，以在半导体基底的一侧形成金属卤化物薄膜；将具有金属卤化物薄膜的半导体基底放置在第二凹槽的传送轴上并与第二凹槽中含有有机胺盐的第二前驱体溶液接触，其中，在传送轴处于运动状态的情况下，具有金属卤化物薄膜的半导体基底从位于第二凹槽中的第二前驱体溶液的第一位置移动至第二位置，以形成前驱体薄膜。
5、可选地，在功能层为钙钛矿吸收层的情况下，形成前驱体薄膜的步骤包括：将半导体基底放置在凹槽的传送轴上并与凹槽中含有金属卤化物的第一前驱体溶液接触，其中，在传送轴处于运动状态的情况下，半导体基底从位于凹槽中的第一前驱体溶液的第一位置移动至第二位置，以在半导体基底的一侧形成金属卤化物薄膜；制备含有有机胺盐的第二前驱体溶液；在金属卤化物薄膜远离半导体基底的一侧涂覆第二前驱体溶液，以形成前驱体薄膜。
6、可选地，在功能层为钙钛矿吸收层的情况下，形成前驱体薄膜的步骤包括：制备含有金属卤化物的第一前驱体溶液；在半导体基底上涂覆第一前驱体溶液，以形成金属卤化物薄膜；将具有金属卤化物薄膜的半导体基底放置在凹槽的传送轴上并与凹槽中含有有机胺盐的第二前驱体溶液接触，其中，在传送轴处于运动状态的情况下，具有金属卤化物薄膜的半导体基底从位于凹槽中的第二前驱体溶液的第一位置移动至第二位置，以形成前驱体薄膜。
7、可选地，在凹槽包括多个的情况下，传送轴包括与多个凹槽一一对应的多个或传送轴位于任意一个凹槽的第一侧壁和第二侧壁之间。
8、根据本专利技术的另一方面，提供了一种钙钛矿太阳能电池的制备方法，包括：提供半导体基底，半导体基底至少包括第一透明导电层；在第一透明导电层上形成顺序层叠设置的第一传输层、钙钛矿吸收层和第二传输层，第一传输层、钙钛矿吸收层和第二传输层中的任意一层采用如权利要求1至6中任一项的钙钛矿太阳能电池中功能层的制备方法制备得到；在第二传输层远离钙钛矿吸收层的一侧形成导电电极层。
9、根据本专利技术的又一方面，提供了一种钙钛矿太阳能电池，采用如上述的钙钛矿太阳能电池的制备方法制备形成。
10、可选地，上述钙钛矿太阳能电池还包括：晶硅电池，位于钙钛矿太阳能电池的第一透明导电层远离钙钛矿太阳能电池的第一传输层的一侧。
11、可选地，钙钛矿太阳能电池的导电电极层包括顺序层叠设置的第二透明导电层、减反层和金属电极层，第二透明导电层位于钙钛矿太阳能电池的第二传输层和减反层之间。
12、应用本专利技术的技术方案，提供一种钙钛矿太阳能电池中功能层的制备方法。该制备方法中，可以首先将功能层的前驱体溶液放置在传送设备的凹槽中，其中，该传输设备还具有基板和传送轴，可以理解的是，凹槽可以位于基板的一侧表面，且凹槽具有相对的第一侧壁和第二侧壁，传送轴可以设置在第一侧壁和第二侧壁之间。进而可以将半导体基底放置在传送轴上，此时，放置在传送轴上的半导体基底可以与凹槽中的前驱体溶液接触。之后，当传送轴处于运动状态的情况下，半导体基底可以从位于凹槽中的前驱体溶液的第一位置移动至第二位置，从而在半导体基底的一侧形成前驱体薄膜。最后，通过对该前驱体薄膜进行热处理，就可以形成上述功能层。需要注意的是，由于半导体基底一侧的整个表面均可以在传送轴的支撑下与凹槽中的前驱体溶液接触，在此基础上，通过移动传送轴，可以使得与前驱体溶液接触的半导体基底一侧的整个表面在前驱体溶液中游走，进而即使半导体基底一侧的整个表面的面积较大，仍然可以通过本申请的制备方法形成厚度均匀性较高且完整覆盖上述半导体基底一侧整个表面面积的功能层，从而改善了现有技术中涂覆在基片上的前驱体溶液存在不均匀或不能完整覆盖整个半导体基底一侧表面的问题，可以提高整体加工的钙钛矿太阳能电池的成品质量，从而解决了现有技术中钙钛矿太阳能电池的成品质量较差的问题。
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1.一种钙钛矿太阳能电池中功能层的制备方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述功能层包括电子传输层、空穴传输层和钙钛矿吸收层中的任意一种。
3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述凹槽包括第一凹槽和第二凹槽，在所述功能层为所述钙钛矿吸收层的情况下，形成所述前驱体薄膜的步骤包括：
4.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，在所述功能层为所述钙钛矿吸收层的情况下，形成所述前驱体薄膜的步骤包括：
5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，在所述功能层为所述钙钛矿吸收层的情况下，形成所述前驱体薄膜的步骤包括：
6.根据权利要求1至5中任一项所述的制备方法，其特征在于，在所述凹槽包括多个的情况下，所述传送轴包括与多个所述凹槽一一对应的多个或所述传送轴位于任意一个所述凹槽的第一侧壁和第二侧壁之间。
7.一种钙钛矿太阳能电池的制备方法，其特征在于，包括：
8.一种钙钛矿太阳能电池，其特征在于，采用如权利要求7所述的钙钛矿太阳能电池的制备方法制备形成。
...【技术特征摘要】
1.一种钙钛矿太阳能电池中功能层的制备方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述功能层包括电子传输层、空穴传输层和钙钛矿吸收层中的任意一种。
3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述凹槽包括第一凹槽和第二凹槽，在所述功能层为所述钙钛矿吸收层的情况下，形成所述前驱体薄膜的步骤包括：
4.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，在所述功能层为所述钙钛矿吸收层的情况下，形成所述前驱体薄膜的步骤包括：
5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，在所述功能层为所述钙钛矿吸收层的情况下，形成所述前驱体薄膜的步骤包括：
6.根据权利要求1至5中任...
【专利技术属性】
技术研发人员：宗贝贝，牛闯，吴涛，王宏涛，周晓波，邱开富，王永谦，陈刚，
申请(专利权)人：浙江爱旭太阳能科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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