【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体，尤其是涉及一种半导体封装结构、半导体模块和车辆。
技术介绍
1、目前的单管通常是由一颗功率功率芯片封装而成，使用上更具灵活性，但传统的单管封装引脚较小通流能力有限，且源极功率端子与功率芯片上的源极键合，绝缘及散热依靠外部的热界面材料或塑封外壳进行，但是键合后功率芯片温升较大，散热效果不理想。
技术实现思路
1、本专利技术旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一。为此，本专利技术的第一个目的在于提出一种半导体封装结构，壳体提高半导体模块的散热能力。
2、本专利技术的第二个目的在于提出一种半导体模块，包括上述所述的半导体封装结构。
3、本专利技术的第三个目的在于提出一种车辆，包括上述所述的半导体模块。
4、根据本专利技术第一方面实施例的半导体封装结构，包括：基板、至少一个功率芯片，所述基板包括间隔设置的漏极功率导电层、源极功率导电层和驱动导电层，所述源极功率导电层和所述驱动导电层分别设置于所述漏极功率导电层的两侧，所述功率芯片设于所述漏极功率导电层上，所述功率芯片的漏极与所述漏极功率导电层电连接，所述功率芯片的源极与所述源极功率导电层电连接，所述功率芯片的驱动极与所述驱动导电层电连接。
5、根据本专利技术实施例的半导体封装结构，通过在基板上设置源极功率导电层，以使功率芯片的源极与源极功率导电层实现电连接在引出至半导体封装结构的其他元件上，可以优化半导体封装结构的布局，提高功率芯片与各导电层之间连接的灵活性。同时，由于
6、在一些实施例中，所述漏极功率导电层、源极功率导电层和驱动导电层在所述基板上沿第一方向延伸设置。
7、在一些实施例中，所述漏极功率导电层包括漏极功率导电层本体和端部漏极功率导电部，所述端部漏极功率导电部连接所述漏极功率导电层本体，所述至少一个功率芯片设于所述漏极功率导电层本体。
8、在一些实施例中，所述端部漏极功率导电部沿第二方向突出所述漏极功率导电层本体，所述漏极功率导电层本体沿第一方向延伸，所述漏极功率导电层本体位于所述驱动导电层和所述源极功率导电层之间，所述第一方向与所述第二方向垂直。
9、在一些实施例中，所述源极功率导电层包括端部源极功率导电部和源极功率导电层本体，所述端部源极功率导电部连接于所述源极功率导电层本体的一端，所述源极功率导电层本体沿第一方向延伸，所述端部源极功率导电部突出所述源极功率导电层本体设置。
10、在一些实施例中，所述端部源极功率导电部与漏极功率导电层本体相对设置，所述端部源极功率导电部间隔设置并包覆所述漏极功率导电层本体的延伸端部。
11、在一些实施例中，所述端部漏极功率导电部突出所述漏极功率导电层本体的两端，分别间隔设置并包覆所述源极功率导电层本体的端部和所述驱动导电层的端部。
12、在一些实施例中，所述驱动导电层包括驱动栅极导电层，所述驱动栅极导电层沿第一方向延伸，所述驱动极包括驱动栅极，所述驱动栅极导电层与所述驱动栅极电连接。
13、在一些实施例中，所述驱动导电层还包括：驱动源极导电层，所述驱动源极功率导电层沿第一方向延伸；所述驱动极包括驱动源极，所述驱动源极与所述驱动源极导电层电连接。
14、在一些实施例中，所述驱动源极导电层和所述驱动栅极导电层在第二方向上间隔设置，所述第二方向与所述第一方向垂直。
15、在一些实施例中，所述驱动源极导电层和所述驱动栅极导电层在第二方向上平行设置。
16、在一些实施例中，所述半导体封装结构包括漏极功率端子，所述漏极功率端子与所述漏极功率导电层电连接。
17、在一些实施例中，所述半导体封装结构包括源极功率端子，所述源极功率端子与所述源极功率导电层电连接。
18、在一些实施例中，所述半导体封装结构还包括驱动端子，所述驱动端子与所述驱动导电层电连接。
19、在一些实施例中，所述驱动端子包括栅极驱动端子，所述栅极驱动端子与所述驱动栅极导电层电连接。
20、在一些实施例中，所述驱动端子包括源极驱动端子，所述源极驱动端子与所述驱动源极导电层电连接。
21、在一些实施例中，所述源极驱动端子与所述驱动源极导电层沿第一方向相对设置，所述栅极驱动端子与所述驱动栅极导电层沿第一方向相对设置。
22、在一些实施例中，所述驱动端子与所述源极功率端子位于所述基板的同一侧。
23、在一些实施例中，所述功率芯片的漏极焊接于所述漏极功率导电层形成电连接
24、在一些实施例中，所述功率芯片的源极通过键合线与所述源极功率导电层形成电连接。
25、在一些实施例中，包括源极功率引出端子，所述功率芯片的源极通过所述源极功率引出端子与所述源极功率导电层形成电连接。
26、在一些实施例中，所述功率芯片的驱动极通过键合线与所述驱动导电层形成电连接。
27、在一些实施例中，所述功率芯片为多个，多个所述功率芯片沿第一方向间隔设置与所述所述漏极功率导电层上。
28、在一些实施例中，所述漏极功率导电层包括多个漏极功率导电层本体和至少一个端部漏极功率导电部，多个所述漏极功率导电层本体沿第二方向间隔开，每个所述漏极功率导电层本体上设有至少一个所述功率芯片，所述第二方向与所述漏极功率导电层本体的延伸方向垂直。
29、在一些实施例中，所述功率芯片为多个，多个所述功率芯片至少包括第一功率芯片组和第二功率芯片组，所述第一功率芯片组包括多个第一功率芯片，所述第二功率芯片组包括多个第二功率芯片，多个漏极功率导电层本体至少包括沿所述第二方向间隔设置的第一漏极功率导电层本体和第二漏极功率导电层本体；多个所述第一功率芯片沿第一方向彼此间隔的设置于所述第一漏极功率导电层本体，多个所述第二功率芯片沿所述第一方向彼此间隔的设置于所述第二漏极功率导电层本体，所述第一方向与所述漏极功率导电层本体延伸的方向相同。
30、在一些实施例中，所述源极功率导电层为多个，多个所述源极功率导电层至少包括第一源极功率导电层和第二源极功率导电层，所述第一源极功率导电层邻近所述第一漏极功率导电层本体设置，所述第二源极功率导电层邻近所述第二漏极功率导电层本体设置。
31、在一些实施例中，还包括至少一个源极功率端子，所述源极功率端子与所述多个源极功率导电层形成电连接。
32、在一些实施例中，所述源极功率端子至少包括第一源极功率端子部和第二源极功率端子部，所述第一源极功率端子部与所述第一源极功率导电层电连接，所述第二源极功率端子部与所述第二源极功率导电层电连接。
33、在一些实施例中，所述驱动导电层的一端位于多个所述漏极功率导电层本体之间，用于与所述多个功率芯片的驱动极电连接。
34、在本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种半导体封装结构，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，
3.根据权利要求2所述的半导体封装结构，其特征在于，
4.根据权利要求3所述的半导体封装结构，其特征在于，所述端部漏极功率导电部沿第二方向突出所述漏极功率导电层本体，所述漏极功率导电层本体沿第一方向延伸，所述漏极功率导电层本体位于所述驱动导电层和所述源极功率导电层之间，所述第一方向与所述第二方向垂直。
5.根据权利要求4所述的半导体封装结构，其特征在于，所述源极功率导电层包括端部源极功率导电部和源极功率导电层本体，所述端部源极功率导电部连接于所述源极功率导电层本体的一端，所述源极功率导电层本体沿第一方向延伸，所述端部源极功率导电部突出所述源极功率导电层本体设置。
6.根据权利要求5所述的半导体封装结构，其特征在于，所述端部源极功率导电部与漏极功率导电层本体相对设置，所述端部源极功率导电部间隔设置并包覆所述漏极功率导电层本体的延伸端部。
7.根据权利要求6所述的半导体封装结构，其特征在于，所述端部漏极功率导电部突出
8.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，所述驱动导电层包括驱动栅极导电层，所述驱动栅极导电层沿第一方向延伸；
9.根据权利要求8所述的半导体封装结构，其特征在于，所述驱动导电层还包括：驱动源极导电层，所述驱动源极功率导电层沿第一方向延伸；
10.根据权利要求9所述的半导体封装结构，其特征在于，所述驱动源极导电层和所述驱动栅极导电层在第二方向上间隔设置，所述第二方向与所述第一方向垂直。
11.根据权利要求10所述的半导体封装结构，其特征在于，所述驱动源极导电层和所述驱动栅极导电层在第二方向上平行设置。
12.根据权利要求9所述的半导体封装结构，其特征在于，包括：漏极功率端子，所述漏极功率端子与所述漏极功率导电层电连接。
13.根据权利要求12所述的半导体封装结构，其特征在于，包括：源极功率端子，所述源极功率端子与所述源极功率导电层电连接。
14.根据权利要求13所述的半导体封装结构，其特征在于，还包括：驱动端子，所述驱动端子与所述驱动导电层电连接。
15.根据权利要求14所述的半导体封装结构，其特征在于，所述驱动端子包括：栅极驱动端子，所述栅极驱动端子与所述驱动栅极导电层电连接。
16.根据权利要求15所述的半导体封装结构，其特征在于，所述驱动端子包括：源极驱动端子，所述源极驱动端子与所述驱动源极导电层电连接。
17.根据权利要求16所述的半导体封装结构，其特征在于，所述源极驱动端子与所述驱动源极导电层沿第一方向相对设置，所述栅极驱动端子与所述驱动栅极导电层沿第一方向相对设置。
18.根据权利要求14所述的半导体封装结构，其特征在于，所述驱动端子与所述源极功率端子位于所述基板的同一侧。
19.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，所述功率芯片的漏极焊接于所述漏极功率导电层形成电连接。
20.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，所述功率芯片的源极通过键合线与所述源极功率导电层形成电连接。
21.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，包括：源极功率引出端子，所述功率芯片的源极通过所述源极功率引出端子与所述源极功率导电层形成电连接。
22.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，所述功率芯片的驱动极通过键合线与所述驱动导电层形成电连接。
23.根据权利要求1至22中任一项所述的半导体封装结构，其特征在于，所述功率芯片为多个，多个所述功率芯片沿第一方向间隔设置与所述所述漏极功率导电层上。
24.根据权利要求1至22中任一所述的半导体封装结构，其特征在于，所述漏极功率导电层包括多个漏极功率导电层本体和至少一个端部漏极功率导电部，多个所述漏极功率导电层本体沿第二方向间隔开，每个所述漏极功率导电层本体上设有至少一个所述功率芯片，所述第二方向与所述漏极功率导电层本体的延伸方向垂直。
25.根据权利要求24所述的半导体封装结构，其特征在于，所述功率芯片为多个，多个所述功率芯片至少包括第一功率芯片组和第二功率芯片组，所述第一功率芯片组包括多个第一功率芯片，所述第二功率芯片组包括多个第二功率芯片，多个漏极功率导电层本体至少包括沿所述第二方向间隔设置的第一漏极功率导电层本体和第二漏极功率导电层本体；
<...【技术特征摘要】
1.一种半导体封装结构，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，
3.根据权利要求2所述的半导体封装结构，其特征在于，
4.根据权利要求3所述的半导体封装结构，其特征在于，所述端部漏极功率导电部沿第二方向突出所述漏极功率导电层本体，所述漏极功率导电层本体沿第一方向延伸，所述漏极功率导电层本体位于所述驱动导电层和所述源极功率导电层之间，所述第一方向与所述第二方向垂直。
5.根据权利要求4所述的半导体封装结构，其特征在于，所述源极功率导电层包括端部源极功率导电部和源极功率导电层本体，所述端部源极功率导电部连接于所述源极功率导电层本体的一端，所述源极功率导电层本体沿第一方向延伸，所述端部源极功率导电部突出所述源极功率导电层本体设置。
6.根据权利要求5所述的半导体封装结构，其特征在于，所述端部源极功率导电部与漏极功率导电层本体相对设置，所述端部源极功率导电部间隔设置并包覆所述漏极功率导电层本体的延伸端部。
7.根据权利要求6所述的半导体封装结构，其特征在于，所述端部漏极功率导电部突出所述漏极功率导电层本体的两端，分别间隔设置并包覆所述源极功率导电层本体的端部和所述驱动导电层的端部。
8.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，所述驱动导电层包括驱动栅极导电层，所述驱动栅极导电层沿第一方向延伸；
9.根据权利要求8所述的半导体封装结构，其特征在于，所述驱动导电层还包括：驱动源极导电层，所述驱动源极功率导电层沿第一方向延伸；
10.根据权利要求9所述的半导体封装结构，其特征在于，所述驱动源极导电层和所述驱动栅极导电层在第二方向上间隔设置，所述第二方向与所述第一方向垂直。
11.根据权利要求10所述的半导体封装结构，其特征在于，所述驱动源极导电层和所述驱动栅极导电层在第二方向上平行设置。
12.根据权利要求9所述的半导体封装结构，其特征在于，包括：漏极功率端子，所述漏极功率端子与所述漏极功率导电层电连接。
13.根据权利要求12所述的半导体封装结构，其特征在于，包括：源极功率端子，所述源极功率端子与所述源极功率导电层电连接。
14.根据权利要求13所述的半导体封装结构，其特征在于，还包括：驱动端子，所述驱动端子与所述驱动导电层电连接。
15.根据权利要求14所述的半导体封装结构，其特征在于，所述驱动端子包括：栅极驱动端子，所述栅极驱动端子与所述驱动栅极导电层电连接。
16.根据权利要求15所述的半导体封装结构，其特征在于，所述驱动端子包括：源极驱动端子，所述源极驱动端子与所述驱动源极导电层电连接。
17.根据权利要求16所述的半导体封装结构，其特征在于，所述源极驱动端子与所述驱动源极导电层沿第一方向相对设置，所述栅极驱动端子与所述驱动栅极导电层沿第一方向相对设置。
18.根据权利要求14所述的半导体封装结构，其特征在于，所述驱动端子与所述源极功率端子位于所述基板的同一侧。
19.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，所述功率芯片的漏极焊接于所述漏极功率导电层形成电连接。
20.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，所述功率芯片的源极通过键合线与所述源极功率导电层形成电连接。
21....
【专利技术属性】
技术研发人员：谢月，刘宗尧，吴彦，
申请(专利权)人：济南比亚迪半导体技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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