【技术实现步骤摘要】
本申请涉及光伏，具体而言，涉及一种氟掺杂氧化锡薄膜的制备方法。
技术介绍
1、氧化锡是一种对可见光透明的宽带隙氧化物半导体，禁带宽度3.7-4.0ev，具有正四面体金红石结构。在掺了氟之后，sno2:f薄膜由于具有对可见光透光性好、紫外吸收系数大，电阻率低、化学性能稳定以及室温下抗酸碱能力强等优点，已被广泛应用于太阳能电池、电热材料、透明电极以及气敏材料等方面。目前已经有几种方法用于制备氟掺杂氧化锡薄膜，包括气相沉积法、溅射、热蒸发、溶胶凝胶法，但是这些制备方法无法精确地调控氟掺杂氧化锡薄膜的厚度，膜层的均匀性和厚度也存在差异，无法满足不同工况需求。
技术实现思路
1、鉴于上述技术问题，本申请提供一种氟掺杂氧化锡薄膜的制备方法，通过改变沉积处理次数、氧化锡薄膜子沉积次数以及氟化物子沉积处理次数，可以精确地调控氟掺杂氧化锡薄膜的厚度，且薄膜的均匀性好、厚度差异小。
2、本申请采用的第一个技术方案是：提供一种氟掺杂氧化锡薄膜的制备方法，包括以下步骤：
3、将基底置于沉积装置内；
4、进行至少一次沉积处理，每次所述沉积处理各自独立地包括进行至少一次氧化锡薄膜子沉积处理和至少一次氟化物子沉积处理。
5、在一些实施例中，沉积装置包括原子层沉积装置。
6、在一些实施例中，氧化锡薄膜子沉积处理包括：
7、向原子层沉积装置内通入锡源后通入第一吹扫气体；
8、向原子层沉积装置内通入第一氧源后通入第二吹扫气体，在基底上
9、在一些实施例中，氟化物子沉积处理包括：
10、向原子层沉积装置内通入氟源后通入第三吹扫气体；
11、向原子层沉积装置内通入第二氧源后通入第四吹扫气体，在氧化锡薄膜上完成氟化物子沉积处理。
12、在一些实施例中，沉积处理的次数为m，氧化锡薄膜子沉积处理的次数为m，所述氟化物子沉积处理的次数为n；其中，m大于等于1，m大于等于1，n大于等于0，且在m次沉积处理中，至少有一个n大于0。
13、在一些实施例中，氧化锡薄膜子沉积处理的次数m与氟化物子沉积处理的次数n的关系为m：n＝1～200：1。
14、在一些实施例中，锡源包括四(二甲氨基)锡(sn(nme2)4)、四(甲乙氨基)锡(sn(netme)4)、双(乙酰丙酮)锡(sn(acac)2)中的一种或者多种。
15、在一些实施例中，氟源包括六氟乙酰丙酮。
16、在一些实施例中，第一氧源包括臭氧、h2o、氧等离子体中的一种或者多种，第二氧源包括臭氧。
17、在一些实施例中，第一吹扫气体、第二吹扫气体、第三吹扫气体、第四吹扫气体各自独立地包括氮气、氩气、氦气中的一种或者多种。
18、在一些实施例中，沉积处理的温度为100℃～400℃，压力为0.2mbar～10mbar。
19、在一些实施例中，锡源的温度为50℃～80℃，氟源、第一氧源和第二氧源的温度各自独立地为0℃～40℃。
20、在一些实施例中，锡源、氟源、第一氧源和第二氧源的脉冲时间各自独立地为0.5s～30s，流量各自独立地为100sccm～2000sccm。
21、在一些实施例中，第一吹扫气体、第二吹扫气体、第三吹扫气体和第四吹扫气体的吹扫时间各自独立地为3s～300s，流量各自独立地为200sccm～2000sccm。
22、本申请采用的第二个技术方案是：提供一种氟掺杂氧化锡薄膜，由如上所述的氟掺杂氧化锡薄膜的制备方法制备。
23、区别于现有技术，本申请提供的氟掺杂氧化锡薄膜的制备方法的有益效果是：本申请通过改变沉积处理次数、氧化锡薄膜子沉积次数以及氟化物子沉积处理次数，可以精确地调控氟掺杂氧化锡薄膜的厚度且制备的薄膜均匀性好、厚度差异小。
24、上述说明仅是本申请技术方案的概述，为了能够更清楚了解本申请的技术手段，而可依照说明书的内容予以实施，并且为了让本申请的上述内容和其它目的、特征和优点能够更明显易懂，以下特举本申请的具体实施例。
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1.一种氟掺杂氧化锡薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.如权利要求1所述的氟掺杂氧化锡薄膜的制备方法，其特征在于，所述沉积装置包括原子层沉积装置。
3.如权利要求1所述的氟掺杂氧化锡薄膜的制备方法，其特征在于，所述氧化锡薄膜子沉积处理包括：
4.如权利要求1所述的氟掺杂氧化锡薄膜的制备方法，其特征在于，所述氟化物子沉积处理包括：
5.如权利要求1所述的氟掺杂氧化锡薄膜的制备方法，其特征在于，所述沉积处理的次数为M，所述氧化锡薄膜子沉积处理的次数为m，所述氟化物子沉积处理的次数为n；
6.如权利要求5所述的氟掺杂氧化锡薄膜的制备方法，其特征在于，所述氧化锡薄膜子沉积处理的次数m与所述氟化物子沉积处理的次数n的关系为m：n＝1～200：1。
7.如权利要求3所述的氟掺杂氧化锡薄膜的制备方法，其特征在于，所述锡源包括四(二甲氨基)锡(Sn(NMe2)4)、四(甲乙氨基)锡(Sn(NEtMe)4)、双(乙酰丙酮)锡(Sn(acac)2)中的一种或者多种。
8.如权利要求4所述的氟掺杂氧化锡薄膜
9.如权利要求3所述的氟掺杂氧化锡薄膜的制备方法，其特征在于，所述第一氧源包括臭氧、H2O、氧等离子体中的一种或者多种，所述第一吹扫气体、所述第二吹扫气体、各自独立地包括氮气、氩气、氦气中的一种或者多种。
10.如权利要求4所述的氟掺杂氧化锡薄膜的制备方法，其特征在于，所述第二氧源包括臭氧，所述第三吹扫气体、所述第四吹扫气体各自独立地包括氮气、氩气、氦气中的一种或者多种。
11.如权利要求1所述的氟掺杂氧化锡薄膜的制备方法，其特征在于，所述沉积处理的温度为100℃～400℃，压力为0.2mbar～10mbar。
12.如权利要求3所述的氟掺杂氧化锡薄膜的制备方法，其特征在于，所述锡源的温度为50℃～80℃，第一氧源的温度为0℃～40℃。
13.如权利要求3所述的氟掺杂氧化锡薄膜的制备方法，其特征在于，在一次所述氧化锡薄膜子沉积处理过程中，所述锡源、所述第一氧源的通入时间各自独立地为0.5s～30s，所述第一吹扫气体、所述第二吹扫气体的吹扫时间各自独立地为3s～300s，流量各自独立地为200sccm～2000sccm。
14.如权利要求4所述的氟掺杂氧化锡薄膜的制备方法，其特征在于，所述氟源、所述第二氧源的温度各自独立地为0℃～40℃。
15.如权利要求4所述的氟掺杂氧化锡薄膜的制备方法，其特征在于，在一次所述氟化物子沉积处理过程中，所述所述氟源、所述第二氧源的通入时间各自独立地为0.5s～30s，流量各自独立地为100sccm～2000sccm，所述第三吹扫气体和所述第四吹扫气体的吹扫时间各自独立地为3s～300s，流量各自独立地为200sccm～2000sccm。
16.一种氟掺杂氧化锡薄膜，其特征在于，所述氟掺杂氧化锡薄膜由权利要求1～15任一项所述的氟掺杂氧化锡薄膜的制备方法制备。
...【技术特征摘要】
1.一种氟掺杂氧化锡薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.如权利要求1所述的氟掺杂氧化锡薄膜的制备方法，其特征在于，所述沉积装置包括原子层沉积装置。
3.如权利要求1所述的氟掺杂氧化锡薄膜的制备方法，其特征在于，所述氧化锡薄膜子沉积处理包括：
4.如权利要求1所述的氟掺杂氧化锡薄膜的制备方法，其特征在于，所述氟化物子沉积处理包括：
5.如权利要求1所述的氟掺杂氧化锡薄膜的制备方法，其特征在于，所述沉积处理的次数为m，所述氧化锡薄膜子沉积处理的次数为m，所述氟化物子沉积处理的次数为n；
6.如权利要求5所述的氟掺杂氧化锡薄膜的制备方法，其特征在于，所述氧化锡薄膜子沉积处理的次数m与所述氟化物子沉积处理的次数n的关系为m：n＝1～200：1。
7.如权利要求3所述的氟掺杂氧化锡薄膜的制备方法，其特征在于，所述锡源包括四(二甲氨基)锡(sn(nme2)4)、四(甲乙氨基)锡(sn(netme)4)、双(乙酰丙酮)锡(sn(acac)2)中的一种或者多种。
8.如权利要求4所述的氟掺杂氧化锡薄膜的制备方法，其特征在于，所述氟源包括六氟乙酰丙酮。
9.如权利要求3所述的氟掺杂氧化锡薄膜的制备方法，其特征在于，所述第一氧源包括臭氧、h2o、氧等离子体中的一种或者多种，所述第一吹扫气体、所述第二吹扫气体、各自独立地包括氮气、氩气、氦气中的一种或者多种。
10.如权利要求4所述的氟掺杂氧化锡薄膜的制备方法，...
【专利技术属性】
技术研发人员：李翔，袁红霞，杨蕾，李鹏，
申请(专利权)人：江苏微导纳米科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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