【技术实现步骤摘要】
本申请涉及有机发光，尤其涉及一种发光屏体、制备发光屏体的方法及发光装置。
技术介绍
1、oled屏体的搭接区是位于屏体边缘的一个特定区域，它主要起到连接屏体内部的电极（如像素电极、公共电极等）和外部电路（如柔性电路板、驱动芯片等）的过渡作用。从物理结构上看，它是屏体内部电路和外部连接部件的接口区域，是实现信号、电源等传输的关键部位。现有的oled屏体的搭接区一般包括堆叠设置的搭接电极层（多为阴极层）和电极引线层，此种搭接方式容易造成屏体发热。
技术实现思路
1、本申请的目的是针对以上问题，提供一种可提高搭接效果、提升产品良率的发光屏体、制备发光屏体的方法及发光装置。
2、第一方面，本申请提供一种发光屏体，包括发光区，所述发光区包括两个电极层和位于两个电极层之间的发光层；所述发光区的一侧设有搭接导电层，所述发光区的至少一个电极层延伸至所述搭接导电层的一面，并与所述搭接导电层交叠形成所述搭接导电层的搭接区，所述搭接区上开设有至少一个搭接凹槽。
3、根据本申请某些实施例提供的技术方案，所述搭接区上设有沿第一方向分布的多个搭接凹槽组，每个所述搭接凹槽组包括多个沿第二方向分布的所述搭接凹槽，所述第二方向与所述第一方向交叉；相邻两个所述搭接凹槽组错位排布。
4、根据本申请某些实施例提供的技术方案，所述搭接凹槽组包括第一搭接凹槽和第二搭接凹槽，所述第一搭接凹槽的截面形状为圆形或凸多边形；所述第二搭接凹槽的截面形状为凸多边形；所述第一搭接凹槽和所述第二搭接凹槽沿
5、根据本申请某些实施例提供的技术方案，所述搭接导电层包括层叠设置的主导电层和辅助导电层；所述搭接凹槽位于所述辅助导电层上，或所述搭接凹槽为贯穿所述辅助导电层的开口。
6、根据本申请某些实施例提供的技术方案，相邻的两个所述搭接凹槽之间的间距大于10um。
7、根据本申请某些实施例提供的技术方案，所述搭接区上具有用于布置所述搭接凹槽的凹槽区，所述凹槽区靠近所述发光区一侧的边缘与所述搭接区靠近所述发光区一侧的边缘之间的距离大于5um，且小于50um；所述凹槽区远离所述发光区一侧的边缘与所述搭接区远离所述发光区一侧的边缘之间的距离大于100um。
8、根据本申请某些实施例提供的技术方案，所述主导电层采用氧化铟锡材料制成；所述辅助导电层采用导电金属材料制成。
9、根据本申请某些实施例提供的技术方案，所述主导电层的厚度为10nm~500nm；所述辅助导电层的厚度为100nm~1000nm；延伸至所述搭接导电层一面的所述电极层的厚度为100nm~5000nm。
10、第二方面，本申请提供一种制备如上发光屏体的方法，包括：形成阳极层和主导电层；在所述主导电层上形成辅助电极层；在非发光区除搭接区外的所述阳极层上形成绝缘层；在所述主导电层和所述阳极层之间、发光像素之间形成隔离柱层；在发光区内形成发光层；形成整层阴极层。
11、第三方面，本申请提供一种发光装置，包括如上所述的发光屏体。
12、与现有技术相比，本申请的有益效果：本申请提供的发光屏体，包括发光区，发光区包括两个电极层和位于两个电极层之间的发光层，发光区的一侧设有搭接导电层，发光区的至少一个电极层延伸至搭接导电层的一面，并与搭接导电层交叠形成搭接导电层的搭接区，搭接区上开设有至少一个搭接凹槽。本申请通过在发光区的一侧设置搭接导电层，发光区的至少一个电极层延伸至搭接导电层并与之交叠形成搭接区，并搭接区上开设搭接凹槽，当发光屏体工作时，可增大阴极层和搭接导电层之间的接触面积，减小二者的接触电阻，一方面可以大幅降低因电流集中而产生的热量，有效减少屏体发热现象；另一方面由于减小了搭接区2靠近邦定区一侧和靠近阴极层13一侧之间的电位差，从而可以有效解决了屏体发光亮度低的问题。
13、应当理解的是，本申请中对技术特征、技术方案、有益效果或类似语言的描述并不是暗示在任意的单个实施例中可以实现所有的特点和优点。相反，可以理解的是对于特征或有益效果的描述意味着在至少一个实施例中包括特定的技术特征、技术方案或有益效果。因此，本说明书中对于技术特征、技术方案或有益效果的描述并不一定是指相同的实施例。进而，还可以任何适当的方式组合本实施例中所描述的技术特征、技术方案和有益效果。本领域技术人员将会理解，无需特定实施例的一个或多个特定的技术特征、技术方案或有益效果即可实现实施例。在其他实施例中，还可在没有体现所有实施例的特定实施例中识别出额外的技术特征和有益效果。
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1.一种发光屏体，其特征在于，包括发光区，所述发光区包括两个电极层和位于两个电极层之间的发光层；所述发光区的一侧设有搭接导电层，所述发光区的至少一个电极层延伸至所述搭接导电层的一面，并与所述搭接导电层交叠形成所述搭接导电层的搭接区，所述搭接区上开设有至少一个搭接凹槽。
2.根据权利要求1所述的发光屏体，其特征在于，所述搭接区上设有沿第一方向分布的多个搭接凹槽组，每个所述搭接凹槽组包括多个沿第二方向分布的所述搭接凹槽，所述第二方向与所述第一方向交叉；相邻两个所述搭接凹槽组错位排布。
3.根据权利要求2所述的发光屏体，其特征在于，所述搭接凹槽组包括第一搭接凹槽和第二搭接凹槽，所述第一搭接凹槽的截面形状为圆形或凸多边形；所述第二搭接凹槽的截面形状为凸多边形；所述第一搭接凹槽和所述第二搭接凹槽沿所述第二方向依次排布。
4.根据权利要求1所述的发光屏体，其特征在于，所述搭接导电层包括层叠设置的主导电层和辅助导电层；所述搭接凹槽位于所述辅助导电层上，或所述搭接凹槽为贯穿所述辅助导电层的开口。
5.根据权利要求1所述的发光屏体，其特征在于，相邻的
6.根据权利要求1所述的发光屏体，其特征在于，所述搭接区上具有用于布置所述搭接凹槽的凹槽区，所述凹槽区靠近所述发光区一侧的边缘与所述搭接区靠近所述发光区一侧的边缘之间的距离大于5um，且小于50um；所述凹槽区远离所述发光区一侧的边缘与所述搭接区远离所述发光区一侧的边缘之间的距离大于100um。
7.根据权利要求4所述的发光屏体，其特征在于，所述主导电层采用氧化铟锡材料制成；所述辅助导电层采用导电金属材料制成。
8.根据权利要求4所述的发光屏体，其特征在于，所述主导电层的厚度为10nm~500nm；所述辅助导电层的厚度为100nm~1000nm；延伸至所述搭接导电层一面的所述电极层的厚度为100nm~5000nm。
9.一种制备如权利要求1-8任一项所述的发光屏体的方法，其特征在于，包括：
10.一种发光装置，其特征在于，包括如权利要求1-8任一项所述的发光屏体。
...【技术特征摘要】
1.一种发光屏体，其特征在于，包括发光区，所述发光区包括两个电极层和位于两个电极层之间的发光层；所述发光区的一侧设有搭接导电层，所述发光区的至少一个电极层延伸至所述搭接导电层的一面，并与所述搭接导电层交叠形成所述搭接导电层的搭接区，所述搭接区上开设有至少一个搭接凹槽。
2.根据权利要求1所述的发光屏体，其特征在于，所述搭接区上设有沿第一方向分布的多个搭接凹槽组，每个所述搭接凹槽组包括多个沿第二方向分布的所述搭接凹槽，所述第二方向与所述第一方向交叉；相邻两个所述搭接凹槽组错位排布。
3.根据权利要求2所述的发光屏体，其特征在于，所述搭接凹槽组包括第一搭接凹槽和第二搭接凹槽，所述第一搭接凹槽的截面形状为圆形或凸多边形；所述第二搭接凹槽的截面形状为凸多边形；所述第一搭接凹槽和所述第二搭接凹槽沿所述第二方向依次排布。
4.根据权利要求1所述的发光屏体，其特征在于，所述搭接导电层包括层叠设置的主导电层和辅助导电层；所述搭接凹槽位于所述辅助导电层上，或所述搭接凹槽为贯穿所述辅助导电层的开口。
【专利技术属性】
技术研发人员：江舟，陈旭，张明福，李坤鹏，胡永岚，
申请(专利权)人：固安翌光科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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