System.ArgumentOutOfRangeException: 索引和长度必须引用该字符串内的位置。 参数名: length 在 System.String.Substring(Int32 startIndex, Int32 length) 在 zhuanliShow.Bind() 一种陶瓷基片二次烧结复平的方法技术_技高网

一种陶瓷基片二次烧结复平的方法技术

技术编号:44790985 阅读:4 留言:0更新日期:2025-03-28 19:44
本发明专利技术公开了一种陶瓷基片二次烧结复平的方法,其特征在于,包括以下步骤:步骤S1,分类:将陶瓷基片按照缺陷的种类进行分类,缺陷的种类分为凹陷、条纹和波浪;当存在多种缺陷时,按照主要缺陷进行分类;步骤S2,叠片、烧结:按照由下到上依次为承烧板、陶瓷耐火垫片、陶瓷基片、陶瓷板进行叠片;然后进行烧结,得到部分复平或全部复平的陶瓷基片;在叠片过程中将同种类型缺陷的陶瓷基片叠放在一起进行烧结。本发明专利技术中通过对陶瓷基片的缺陷进行分类后,同种缺陷的陶瓷基片一起烧结,可以避免不同缺陷之间的缺陷传递,从而显著提高烧结后陶瓷基片的合格率,从而可以起到简化工艺节约成本的效果。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于陶瓷基片,具体涉及一种陶瓷基片二次烧结复平的方法


技术介绍

1、陶瓷基片是指以陶瓷材料为基底、通过特定工艺和技术制备的薄片状材料。由于陶瓷具有高温稳定性、低热膨胀系数、高机械强度、良好的耐蚀性和绝缘性等优异特性,因而广泛应用于电子、光电、通讯、航空航天等领域。

2、目前常用的陶瓷基片制作方法为流延法+高温烧结法,先把粉体制备为浆料,然后通过流延法把浆料变为生坯,将得到的生坯再进行高温烧结得到陶瓷基片。

3、通过流延+高温烧结方法得到的陶瓷基片不可避免的会有部分存在一些缺陷,例如凹陷、条纹和波浪。但是陶瓷基片的平整度和翘曲度要求较高,因而对于存在缺陷的基片,厂家一般的回收方案是:返磨制粉后重新进行流延+高温烧结。这样的回收方案,工艺较为复杂,且回收成本较高。


技术实现思路

1、本专利技术的目的是提供一种工艺简单,回收成本较低的陶瓷基片二次烧结复平的方法。

2、第一个方面,本专利技术提供种陶瓷基片二次烧结复平的方法,采用如下技术方案:

3、一种陶瓷基片二次烧结复平的方法,其特征在于,包括以下步骤:

4、步骤s1,分类:将陶瓷基片按照缺陷的种类进行分类,缺陷的种类分为凹陷、条纹和波浪;当存在多种缺陷时,按照主要缺陷进行分类;

5、步骤s2,叠片、烧结:按照由下到上依次为承烧板、陶瓷耐火垫片、陶瓷基片、陶瓷板进行叠片;然后进行烧结,得到部分复平或全部复平的陶瓷基片;在叠片过程中将同种类型缺陷的陶瓷基片叠放在一起进行烧结。

6、优选的,所述步骤s2的叠片过程中,承烧板的数量为1片;陶瓷耐火垫片的数量为1片;陶瓷基片为10~20片;陶瓷板为3~5片。

7、优选的,所述步骤s2中,陶瓷板、陶瓷耐火垫片与陶瓷基片为同种材质。

8、进一步优选的,陶瓷板的平整度大于陶瓷基片。

9、优选的,所述步骤s2中,烧结温度为1500~1800℃,保温时间为18~24h,升温速率为5~10℃/min。

10、优选的,所述步骤s2中,部分复平或全部复平的陶瓷基片是通过对陶瓷基片的平行度、垂直度与翘曲度进行复检,符合陶瓷基片平整度要求的,即为复平的陶瓷基片;不符合平整度要求的,即为未复平的陶瓷基片;陶瓷基片平整度要求为平行度≤0.8mm,垂直度≤0.8mm,翘曲度≤1000μm。

11、优选的,所述步骤s2中,复平的陶瓷基片,入库;对于未复平的陶瓷基片,重复步骤s1~s2或者返磨制粉后重新进行流延、烧结。

12、本专利技术的有益效果:

13、本专利技术通过对陶瓷基片的缺陷进行分类后,同种缺陷的陶瓷基片一起烧结,可以避免不同缺陷之间的缺陷传递,从而显著提高烧结后陶瓷基片的合格率,从而起到简化工艺、节约成本的效果。

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【技术保护点】

1.一种陶瓷基片二次烧结复平的方法,其特征在于,包括以下步骤:

2.根据权利要求1所述的陶瓷基片二次烧结复平的方法,其特征在于,所述步骤S2的叠片中,承烧板的数量为1片;陶瓷耐火垫片的数量为1片。

3.根据权利要求1所述的陶瓷基片二次烧结复平的方法,其特征在于,所述步骤S2的叠片中,陶瓷基片为10~20片;陶瓷板为3~5片。

4.根据权利要求1所述的陶瓷基片二次烧结复平的方法,其特征在于,所述步骤S2中,陶瓷板、陶瓷耐火垫片与陶瓷基片为同种材质。

5.根据权利要求1所述的陶瓷基片二次烧结复平的方法,其特征在于,陶瓷板的平整度大于陶瓷基片。

6.根据权利要求1所述的陶瓷基片二次烧结复平的方法,其特征在于,所述步骤S2中,烧结温度为1500~1800℃,保温时间为18~24h,升温速率为5~10℃/min。

7.根据权利要求1所述的陶瓷基片二次烧结复平的方法,其特征在于,所述步骤S2中,部分复平或全部复平的陶瓷基片是通过对陶瓷基片的平行度、垂直度与翘曲度进行复检,符合陶瓷基片平整度要求的,即为复平的陶瓷基片;不符合平整度要求的,即为未复平的陶瓷基片;陶瓷基片平整度要求为平行度≤0.8mm,垂直度≤0.8mm,翘曲度≤1000μm。

8.根据权利要求1或7所述的陶瓷基片二次烧结复平的方法,其特征在于,所述步骤S2中,复平的陶瓷基片,入库;对于未复平的陶瓷基片,重复步骤S1~S2或者返磨制粉后重新进行流延、烧结。

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【技术特征摘要】

1.一种陶瓷基片二次烧结复平的方法,其特征在于,包括以下步骤:

2.根据权利要求1所述的陶瓷基片二次烧结复平的方法,其特征在于,所述步骤s2的叠片中,承烧板的数量为1片;陶瓷耐火垫片的数量为1片。

3.根据权利要求1所述的陶瓷基片二次烧结复平的方法,其特征在于,所述步骤s2的叠片中,陶瓷基片为10~20片;陶瓷板为3~5片。

4.根据权利要求1所述的陶瓷基片二次烧结复平的方法,其特征在于,所述步骤s2中,陶瓷板、陶瓷耐火垫片与陶瓷基片为同种材质。

5.根据权利要求1所述的陶瓷基片二次烧结复平的方法,其特征在于,陶瓷板的平整度大于陶瓷基片。

6.根据权利要求1所述的陶瓷基片二次烧结复平的方...

【专利技术属性】
技术研发人员:吴玉玺王云卞浩东罗贤科武红辉朱明敏张文涛童培云
申请(专利权)人:先导薄膜材料淄博有限公司
类型:发明
国别省市:

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