【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体发光装置。
技术介绍
1、日本特开2020-65041号公报(专利文献1)公开了一种半导体发光装置。
技术实现思路
1、本公开的目的在于提供一种能够提高注入了高电流时的光输出的半导体发光装置。
2、本专利技术的半导体发光装置包括电流限制层和半导体发光层叠体。半导体发光层叠体配置在电流限制层上，并且具有与电流限制层接触的底面。电流限制层包含绝缘层和多个导电部。多个导电部配置在绝缘层中，且与底面接触。多个导电部相对于底面的面积比率为7％以上且15％以下。上述面积比率是在底面的俯视时与底面重叠的多个导电部的第二面积相对于底面的第一面积的比例。
【技术保护点】
1.一种半导体发光装置，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体发光装置，其特征在于：
3.根据权利要求1或2所述的半导体发光装置，其特征在于：
4.根据权利要求3所述的半导体发光装置，其特征在于：
5.根据权利要求1～4中任一项所述的半导体发光装置，其特征在于：
6.根据权利要求1～5中任一项所述的半导体发光装置，其特征在于：
7.根据权利要求1～5中任一项所述的半导体发光装置，其特征在于：
【技术特征摘要】
1.一种半导体发光装置，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体发光装置，其特征在于：
3.根据权利要求1或2所述的半导体发光装置，其特征在于：
4.根据权利要求3所述的半导体发光装置，其特征在...
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