【技术实现步骤摘要】
本技术涉及微波毫米波，具体为一种用于获取毫米波外围电路特性参数的去嵌入电路。
技术介绍
1、微波毫米波频段因为它的波长短，频带宽、全天候、对烟雾适应能力也比较强的优点，使得毫米波在通信、成像以及雷达等方面得到了广泛的应用。随着毫米波技术的发展，人们对毫米波各种电路的需求也在增加，但是毫米波由于其波长短，在空间与微带电路中衰减等特点，使得芯片在使用过程中受外部电路影响巨大，如信号衰减。且在实际使用中，由于一端连接有芯片电路，因此如何将外部影响去掉而得到毫米波芯片电路的真实响应，成为芯片设计与使用过程中的一个重要问题。目前，有通过改变连接器形态，从平行连接改为垂直连接，这样可以通过减少弯波导尺寸的方法将衰减小，还有人改变弯波导的结构形态来减小损耗，但是都无法彻底消除毫米波电路带来的影响。
2、现有技术中，专利公开号为cn117673689a的技术专利，提供一种毫米波衰减结构及毫米波芯片测试方法，公开了在叠置的地金属层及中间介质层上形成具有第一微带金属线及第二微带金属线的微带顶金属层，且第二微带金属线对应的特征阻抗小于第一微带金属线对应的特征阻抗，使得第一微带金属线间可进行耦合传输，构成具有1个信号输入端口、1个信号输出端口及2个辅助信号输出端口的毫米波衰减结构，可获得可观的信号衰减量。现有技术就是上述所说的毫米波在空间与微带电路中衰减特点，使得芯片在使用过程中受外部电路影响巨大。
技术实现思路
1、本技术所要解决的技术问题在于：解决现有现有技术无法将外部影响去掉而得到毫米波
2、为解决上述技术问题，本技术提供如下技术方案：
3、一种用于获取毫米波外围电路特性参数的去嵌入电路，包括：pcb板(10)和在pcb板(10)上设置有毫米波测试电路(20)，以及与毫米波测试电路(20)在pcb板(10)上以镜像基准面(30)为基准进行镜像设置的去嵌电路(40)；还包括s参数测量设备；所述s参数测量设备分别与毫米波测试电路(20)和去嵌电路(40)连接；
4、其中，毫米波测试电路(20)包括至少一个测试连接器(21)，以及与测试连接器(21)连接的测试弯波导(22)；对应的，去嵌电路(40)包括的去嵌连接器(41)，以及与去嵌连接器(41)连接的去嵌弯波导(42)，以及去嵌弯波导(42)与测试弯波导(22)在镜像基准面(30)处连接，使测试连接器(21)与去嵌连接器(41)直通；测试连接器(21)和去嵌连接器(41)分别与所述s参数测量设备的测试口连接。
5、优点：通过对去嵌入电路测试与计算，间接得到毫米波外围电路的特性参数。再通过矩阵运算的方式，将外围电路特性从毫米波电路的测试中彻底去除。
6、在本技术的一实施例中，毫米波测试电路(20)根据待测毫米波芯片测试电路(a)结构制成，将待测毫米波芯片测试电路中的芯片去除得到。
7、在本技术的一实施例中，镜像基准面(30)在pcb板(10)上位置，以待测毫米波芯片测试电路(a)中的芯片位置为基准设置。
8、在本技术的一实施例中，以待测毫米波芯片测试电路(a)中芯片位置作为校准平面(11)，镜像基准面(30)能够在镜像方向上，在校准平面(11)内微调。
9、在本技术的一实施例中，去嵌入电路适用于e波段测试范围。
10、在本技术的一实施例中，测试弯波导(22)和去嵌弯波导(42)在pcb板(10)上共面。
11、在本技术的一实施例中，所述s参数测量设备为矢量网络分析仪。
12、在本技术的一实施例中，测试连接器(21)位于pcb板(10)的边缘处；测试弯波导(22)与测试连接器(21)同轴压接。
13、与现有技术相比，本技术的有益效果是：可以去除毫米波芯片通路上微带电路与连接器带来的对芯片器件的影响。本技术与现有技术相比实施更加便捷，制作成本更加低廉方便并且能够有效的去除毫米波电路外围结构对其带来的影响，快速的得到电路中芯片性能。
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1.一种用于获取毫米波外围电路特性参数的去嵌入电路，其特征在于，包括：PCB板(10)和在PCB板(10)上设置有毫米波测试电路(20)，以及与毫米波测试电路(20)在PCB板(10)上以镜像基准面(30)为基准进行镜像设置的去嵌电路(40)；还包括S参数测量设备；所述S参数测量设备分别与毫米波测试电路(20)和去嵌电路(40)连接。
2.根据权利要求1所述的用于获取毫米波外围电路特性参数的去嵌入电路，其特征在于，毫米波测试电路(20)包括至少一个测试连接器(21)，以及与测试连接器(21)连接的测试弯波导(22)；对应的，去嵌电路(40)包括的去嵌连接器(41)，以及与去嵌连接器(41)连接的去嵌弯波导(42)，以及去嵌弯波导(42)与测试弯波导(22)在镜像基准面(30)处连接，使测试连接器(21)与去嵌连接器(41)直通。
3.根据权利要求2所述的用于获取毫米波外围电路特性参数的去嵌入电路，其特征在于，测试连接器(21)和去嵌连接器(41)分别与所述S参数测量设备的测试口连接。
4.根据权利要求1所述的用于获取毫米波外围电路特性参数的去嵌
5.根据权利要求1所述的用于获取毫米波外围电路特性参数的去嵌入电路，其特征在于，镜像基准面(30)在PCB板(10)上位置，以待测毫米波芯片测试电路(A)中的芯片位置为基准设置。
6.根据权利要求5所述的用于获取毫米波外围电路特性参数的去嵌入电路，其特征在于，以待测毫米波芯片测试电路(A)中芯片位置作为校准平面(11)，镜像基准面(30)能够在镜像方向上，在校准平面(11)内微调。
7.根据权利要求1所述的用于获取毫米波外围电路特性参数的去嵌入电路，其特征在于，去嵌入电路适用于E波段测试范围。
8.根据权利要求1所述的用于获取毫米波外围电路特性参数的去嵌入电路，其特征在于，测试弯波导(22)和去嵌弯波导(42)在PCB板(10)上共面。
9.根据权利要求1所述的用于获取毫米波外围电路特性参数的去嵌入电路，其特征在于，所述S参数测量设备为矢量网络分析仪。
10.根据权利要求2所述的用于获取毫米波外围电路特性参数的去嵌入电路，其特征在于，测试连接器(21)位于PCB板(10)的边缘处；测试弯波导(22)与测试连接器(21)同轴压接。
...【技术特征摘要】
1.一种用于获取毫米波外围电路特性参数的去嵌入电路，其特征在于，包括：pcb板(10)和在pcb板(10)上设置有毫米波测试电路(20)，以及与毫米波测试电路(20)在pcb板(10)上以镜像基准面(30)为基准进行镜像设置的去嵌电路(40)；还包括s参数测量设备；所述s参数测量设备分别与毫米波测试电路(20)和去嵌电路(40)连接。
2.根据权利要求1所述的用于获取毫米波外围电路特性参数的去嵌入电路，其特征在于，毫米波测试电路(20)包括至少一个测试连接器(21)，以及与测试连接器(21)连接的测试弯波导(22)；对应的，去嵌电路(40)包括的去嵌连接器(41)，以及与去嵌连接器(41)连接的去嵌弯波导(42)，以及去嵌弯波导(42)与测试弯波导(22)在镜像基准面(30)处连接，使测试连接器(21)与去嵌连接器(41)直通。
3.根据权利要求2所述的用于获取毫米波外围电路特性参数的去嵌入电路，其特征在于，测试连接器(21)和去嵌连接器(41)分别与所述s参数测量设备的测试口连接。
4.根据权利要求1所述的用于获取毫米波外围电路特性参数的去嵌入电路，其特征在于，毫米波测试电路(20)根据待测毫米波芯片测试电路(a)...
【专利技术属性】
技术研发人员：刘畅，周杨，
申请(专利权)人：合肥鸣鸿微电子科技有限公司，
类型：新型
国别省市：
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